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公开(公告)号：KR101061421B1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020090024812
申请日：2009-03-24
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정을 위한 화학물질의 증기상 순도 측정방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 전구체 시료의 석출 및 탈기를 제어하도록 단열격벽체로 격리된 내실에 등압유지챔버 및 압력 측정부를 포함하는 반도체 제조공정을 위한 전구체 순도 측정장치 및 그 방법에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 온도 변화에 따른 전구체 화학물질의 증기상 순도를 측정하고, 전구체 화학물질의 증기상 순도의 오차 범위를 줄여 정확한 수치를 측정하며, 전구체의 분해상태를 감시하며, 전구체 증기압 및 화학물질의 증기상 순도를 이용함으로써, 다양한 원료물질을 반도체 제조공정의 특성에 맞게 적절하게 선별하는 효과가 있다.
증기압, 순도, 화학물질, 전구체, 반도체Abstract translation: 本发明涉及用于测量半导体制造工艺的化学品的气相纯度的方法。 更具体地，涉及前体纯度测定装置和方法，用于在半导体制造过程中，包括等静压保持室和所述压力测量单元在所述主体基本隔离的绝缘壁，以控制沉积和前体样品的剥离。 因此，本发明测量的前体的化学纯度的气相根据温度变化，以及减少错误的边缘在所述前体的化学计量精确的值的蒸气相纯度，并监测前体，所述前体蒸气压力和化学的劣化状态 通过利用材料的气相纯度，具有根据半导体制造工艺的特性适当选择各种原材料的效果。
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公开(公告)号：KR100998987B1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020080110415
申请日：2008-11-07
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/66
Abstract: 본 발명은 아킹을 이용한 내플라즈마 평가방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체와 같은 정밀기기에 사용되는 부품의 코팅성능을 측정하기 위한 방법 중 내플라즈마 평가방법에서 챔버내에 아킹을 걸어 부품의 코팅에서 튀어나오는 입자를 정량화하여 부품의 내구성을 평가하는 플라즈마 평가방법에 관한 것이다.
본 발명의 평가방법은, 반도체를 포함한 정밀기기에 사용되는 부품의 코팅성능을 평가하는 내플라즈마 평가방법에 있어서, 코팅부품의 시편을 챔버에 장착하고, 챔버의 배기라인에는 OES(Optical emission spectroscopy) 장착하는 평가준비과정과; 상기 챔버에 플라즈마를 걸어 시편에 아킹이 발생되도록 하는 아킹발생실험과정과; 상기 아킹에 의해 시편으로부터 분리된 파티클을 OES 스펙트럼 분석하여 Al 또는 O 성분 피크크기를 정량화하는 OES분석과정과; 상기 OES분석과정에서 분석된 데이터를 이용하여 내플라즈마를 평가하는 내플라즈마 평가과정;을 포함하여 이루어진다.
플라즈마, 내구성, 코팅성능, 아킹, 부품-
公开(公告)号：KR100991023B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080016029
申请日：2008-02-21
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 DMA를 이용한 입자측정기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 DMA를 구성하는 외부 실린더와 내부 일렉트로드 사이의 방전전압 를 측정하여 DMA의 내부 압력을 측정하는 중앙처리부를 포함하는 DMA를 이용한 입자측정기에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 입자측정기를 이용하여 DMA의 내부 압력을 측정하기 위한 프로그램이 내장된 기록매체에 관한 것이기도 하다.
DMA, 방전전압, 저압, 전기이동도-
公开(公告)号：KR100934768B1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：KR1020070130359
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본 발명은 내플라즈마 평가방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체와 같은 정밀기기에 사용되는 부품의 코팅성능을 측정하기위한 방법 중 내플라즈마 평가방법에서 시편을 측정하기 위한 챔버의 환경조건을 표준화하여 측정장치의 챔버 크기가 다른 상황에서도 유사한 측정값을 얻을 수 있도록 하는 내플라즈마 평가방법에 관한 것이다.
본 발명의 내플라즈마 평가방법은 플라즈마의 전자밀도를 기준으로 플라즈마발생장치의 파워를 조절하여 챔버내의 플라즈마 밀도를 일정하게 유지함으로써 챔버의 크기에 관계없이 일정한 전자밀도를 갖는 챔버 환경을 제공할 수 있다. 또한, 상기 균일한 전자밀도의 플라즈마 상태에 시편이 일정시간 노출하여 반응이 이루어지게 함으로써 측정기기가 변경되어도 동일/유사한 측정값을 수취하여 내플라즈마 정도를 평가 하여 코팅이 적합하게 이루어진 부품 사용이 가능하도록 하는 유용한 방법의 제공이 가능하게 된 것이다.
코팅성능, 평가장치, 플라즈마, 전자밀도, 부식Abstract translation: 通过基于等离子体密度控制等离子体发生器的功率，提供抗等离子体评估方法以维持腔室中恒定的等离子体密度。 执行制造样本的过程（P1）。 通过执行初始耐电压测量过程（P2）来测量所制造的样品的耐电压。 等离子体生成室的操作条件被设置为实验环境（P3）。 样本放置在设定室上。 通过将样品暴露于等离子体（P4）来执行抗等离子体实验过程。 测量样品的耐电压（P5）。 测量的第二耐受电压值与初始耐受测量值（P6）进行比较。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100919850B1
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020070130274
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체/LCD 장비용 코팅 부품의 성능평가를 하기 위해 코팅층이 손상되지 않게 제작할 수 있는 시편 제작방법에 관한 것으로, 이를 위해 반도체/LCD 장비용 코팅 부품의 성능평가를 하기 위한 시편 제작방법에 있어서, 금속편을 준비하는 단계;(S100)와, 상기 금속편을 동일 크기로 나눌 수 있도록 표면에 밑 그림을 그리는 단계;(S200)와, 밑 그림을 따라 금속편에 홈부를 형성하는 단계;(S300)와, 상기 금속편의 표면에 코팅층을 형성하여 코팅편을 형성하는 단계;(S400)와, 상기 코팅편의 양면 중 홈부가 형성되지 않은 면의 코팅층을 제거하는 단계;(S500)와, 상기 코팅편의 양면 중 코팅층이 제거된 금속면을 따라 커팅하되, 코팅층에 형성된 홈부에 맞닿는 방향으로 커팅하여 시편을 제작하여 완성하는 단계;(S600)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 � ��다.
또한 본 발명은 코팅층의 표면이 손상되지 않게 시편을 제작하되, 상기 시편의 코팅층 표면에 도트를 배열시켜 내전압실험 성능평가가 가능하게 제작할 수 있는 시편 제작방법에 관한 것이다.
또한 본 발명은 코팅층의 표면이 손상되지 않게 시편을 제작하되, 시편의 코팅층을 제외한 모든 면에 걸쳐 파라핀을 도포시켜 내화학실험의 성능평가가 가능하게 제작할 수 있는 시편 제작방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020090095861A
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：KR1020080021062
申请日：2008-03-06
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16
Abstract: A method for doping transition metals in zinc oxide nanowire using ultrasonic wave is provided to enable to control the concentration of transition metals included in zinc oxide nanowire. A method for doping transition metals in zinc oxide nanowire comprises the following steps of: forming a zinc film on the top of a substrate(S10); dipping the substrate in an aqueous solution containing zinc salt, reducing agent and transition metal salts(S20); and applying ultrasonic wave to the aqueous solution in order to generate the zinc oxide nanowires where the transition metals are doped and to grow them(S30). The transition metal salt represents nitrate, acetate or their mixture. The transition metal is selected from the group consisting of Mn, Fe, Co and Ni.
Abstract translation: 提供了使用超声波在氧化锌纳米线中掺杂过渡金属的方法，以能够控制包含在氧化锌纳米线中的过渡金属的浓度。 在氧化锌纳米线中掺杂过渡金属的方法包括以下步骤：在衬底的顶部形成锌膜（S10）; 将基材浸渍在含有锌盐，还原剂和过渡金属盐的水溶液中（S20）; 并向该水溶液施加超声波以产生掺杂过渡金属并生长的氧化锌纳米线（S30）。 过渡金属盐代表硝酸盐，乙酸盐或它们的混合物。 过渡金属选自Mn，Fe，Co和Ni。
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公开(公告)号：KR100909448B1
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020070130358
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: A coating performance evaluation apparatus is provided to place a plurality of specimens in a tray so as to perform measurement under the same condition. A coating performance evaluation apparatus comprises a chamber(20) with a hollow cavity, a chemical vessel(30) which is installed on the bottom of the chamber to contain etchant solution having acidity, a tray(40) installed in the middle of the chamber, a plasma generating device(50) installed on the top of the chamber, and a heating unit creating high temperature in the chamber. The tray has a through hole so that the coated surface of a specimen(90) is exposed to the etchant gas.
Abstract translation: 提供涂覆性能评估设备以将多个样品放置在托盘中以便在相同条件下进行测量。 涂层性能评估设备包括具有空腔的腔室（20），安装在腔室底部以容纳具有酸性的蚀刻剂溶液的化学容器（30），安装在腔室中部的托盘（40） ，安装在腔室顶部的等离子体产生装置（50）以及在腔室中产生高温的加热单元。 托盘具有通孔，使得样品（90）的涂覆表面暴露于蚀刻剂气体。
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公开(公告)号：KR1020090062830A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070130274
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: A method for manufacturing a sample is provided to evaluate the performance by making an evaluation reference sample for evaluating the part. A metal piece is prepared(S100). A rough sketch is drawn on the surface of the metal piece to divide the metal piece equally(S200). A groove part is formed in the metal piece along the rough sketch(S300). A coating piece is formed by forming a coating layer in the surface of the metal piece(S400). The coating layer in other coating side except for the coating side with the groove part is removed(S500). A cutting process is performed along the metal surface without the coating layer. The sample is completed by performing the cutting process in a direction contacting with the groove part formed in the coating layer(S600).
Abstract translation: 提供了用于制造样品的方法，以通过制备用于评估该部件的评估参考样品来评估性能。 准备金属片（S100）。 在金属片的表面上绘制粗略的草图，以均分金属片（S200）。 沿着粗略草图在金属片上形成槽部（S300）。 通过在金属片的表面形成涂层形成涂层（S400）。 除了具有凹槽部分的涂层侧之外的其它涂层侧的涂层（S500）。 沿着金属表面进行切割处理而没有涂层。 通过在与形成在涂层中的槽部接触的方向上进行切割加工来完成样品（S600）。
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公开(公告)号：KR1020090062798A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070130238
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: A device for measuring a withstanding voltage of a piece of a semiconductor apparatus is provided to evaluate performance by making an evaluation standard sample. A jig is fixed in one side of an upper part of a base and supports a core(4) vertically. A conductive plate is fixed in the other side of the upper part of the base to be electrically connected to the core. A piece(5) is arranged between the conductive plate and the core to test a withstand voltage of an uneven coating layer(51). A minute hand(42) is combined in the end of the core with a screw to test the withstand voltage of one part of the uneven coating layer. A plurality of dots(511) are arranged in the uneven coating layer with various minute height. The dots are electrically connected to the minute hand of the core.
Abstract translation: 提供了一种用于测量半导体装置的耐受电压的装置，以通过制作评价标准样本来评估性能。 夹具固定在基部的上部的一侧，并且垂直地支撑芯（4）。 导电板被固定在基座的上部的另一侧以与芯体电连接。 一块（5）布置在导电板和芯之间以测试不均匀涂层（51）的耐受电压。 分针（42）在芯的末端用螺钉组合，以测试不均匀涂层的一部分的耐受电压。 多个点（511）以不同的微小高度布置在不均匀涂覆层中。 点与芯的分针电连接。
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