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    PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT UNE PHOTODIODE ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT.
    52.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT UNE PHOTODIODE ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT. 未知

    公开(公告)号：FR2884351A1

    公开(公告)日：2006-10-13

    申请号：FR0503570

    申请日：2005-04-11

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD ,  MARCELLIER YANN

    IPC: H01L27/146 ,  H01L21/266

    Abstract: Procédé de fabrication d'un circuit intégré (CI) comprenant la réalisation d'une photodiode (PD) comportant la formation d'un empilement de trois couches semi-conductrices et la formation d'une zone de stockage surdopée (PK) dans la deuxième couche de l'emplacement, et la réalisation d'un transistor de lecture (TR) comportant la formation d'une grille (G) au-dessus de l'empilement. La formation de la zone de stockage (PK) comprend la réalisation d'un masque d'implantation (MS) au-dessus de la grille et de l'empilement et possédant une ouverture découvrant une partie de la grille et une partie de la surface supérieure de l'empilement située à côté de ladite partie découverte de la grille, et une première implantation oblique (IMP1) de dopants à travers ladite ouverture.

    Monolithic photodetector for image sensor for devices, e.g. cameras, comprises first active area of doped single-crystal silicon corresponding to first and second photodiodes
    54.
    发明专利
    Monolithic photodetector for image sensor for devices, e.g. cameras, comprises first active area of doped single-crystal silicon corresponding to first and second photodiodes 未知

    公开(公告)号：FR2844398A1

    公开(公告)日：2004-03-12

    申请号：FR0211215

    申请日：2002-09-11

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/08

    Abstract: A monolithic photodetector comprises a first active area of doped single-crystal silicon corresponding to first and second photodiodes having same surface area as two charge transfer metal oxide semiconductor (MOS) transistors. A cathode of each photodiode is connected to a cathode of the storage diode via the charge transfer MOS transistors as one storage diode. A monolithic photodetector comprises: (i) a first active area of doped single-crystal silicon corresponding to first and second photodiodes having a same surface area as two charge transfer MOS transistors, and as one storage diode, a cathode of each photodiode is connected to a cathode of the storage diode via one of the charge transfer MOS transistors; (ii) second active area of doped single-crystal silicon arranged next to a portion of the first active area associated with the second photodiode and corresponding to a precharge switch having a first terminal connected to the cathode of the storage diode and a second terminal connected to a reference voltage; and (iii) a third active doped single-crystal silicon area arranged next to the first active area associated with the first photodiode and corresponding to two read MOS transistors in series. The gate of the read transistors is connected to the cathode of the storage diode and the drain or the source of the read transistors are connected to a processing system. The surfaces of the second and third active areas exposed to lighting are identical.

    PHOTOSITE A TRANSFERT DE CHARGES AMÉLIORÉ
    56.
    发明专利
    PHOTOSITE A TRANSFERT DE CHARGES AMÉLIORÉ 未知

    公开(公告)号：FR2971887A1

    公开(公告)日：2012-08-24

    申请号：FR1151318

    申请日：2011-02-17

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS ,  LALANNE FREDERIC

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Photosite comprenant dans un substrat (10) semi-conducteur une photodiode (20) pincée dans la direction de la profondeur du substrat (10) comportant une zone de stockage de charges (30), et un transistor de transfert de charges (TG) apte à transférer les charges stockées. La zone de stockage de charge (30) comprend au moins un pincement selon une première direction passant par le transistor de transfert de charges (TG) définissant au moins une zone d'étranglement (90) adjacente au transistor de transfert de charges (TG).

    STRUCTURE COMPACTE DE CAPTEUR D'IMAGE
    57.
    发明专利
    STRUCTURE COMPACTE DE CAPTEUR D'IMAGE 未知

    公开(公告)号：FR2955701A1

    公开(公告)日：2011-07-29

    申请号：FR1050572

    申请日：2010-01-28

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  BARBIER FREDERIC

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant : une pluralité de zones de pixel délimitées par des tranchées d'isolement (412), chaque zone de pixel comprenant une photodiode (414, 416) ; une grille de transfert (406) associée à chacune des zones de pixel et agencée pour transférer une charge à partir de la photodiode vers un noeud de lecture (420) ; et un circuit de lecture pour lire la tension sur au moins un des noeuds de lecture, le circuit de lecture comprenant une pluralité de transistors dont au moins un est disposé au moins partiellement au dessus d'une zone de pixel de la pluralité de zones de pixel.

    DISPOSITIF IMAGEUR DOTE D'UN DERNIER NIVEAU D'INTERCONNEXION A BASE DE CUIVRE ET D'ALUMINIUM
    58.
    发明专利
    DISPOSITIF IMAGEUR DOTE D'UN DERNIER NIVEAU D'INTERCONNEXION A BASE DE CUIVRE ET D'ALUMINIUM 未知

    公开(公告)号：FR2910703A1

    公开(公告)日：2008-06-27

    申请号：FR0655895

    申请日：2006-12-22

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'image ou imageur comprenant :- une pluralité de composants formés sur un substrat (100),- une pluralité de niveaux (N1, N2, N3) métalliques superposés d'interconnexions des composants, lesdits niveaux métalliques étant situés dans une couche isolante (160-165) reposant sur le substrat et comportant au moins un niveau (N2) métallique donné comprenant une pluralité de lignes conductrices (120a, 120b, 120c) à base d'un premier matériau métallique et au moins un autre niveau (N3) situé sur le niveau (N2) donné et comprenant :- une ou plusieurs zones conductrices (130b) à base du premier matériau métallique et connectées respectivement à au moins une ligne conductrice (120b) dudit niveau (N2) donné,- une ou plusieurs autres zones (130c) conductrices à base d'un deuxième matériau métallique et connectées respectivement à au moins au moins une autre ligne conductrice (120c) dudit niveau (N2) donné.

    60.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2829876B1

    公开(公告)日：2004-07-02

    申请号：FR0112051

    申请日：2001-09-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  DEVOIVRE THIERRY ,  MARCELLIER YANN

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

    Abstract: A photo-sensitive cell, with an inlet face (1) for light and a photo-sensitive element (3), has an element forming a light guide placed between the inlet face and the photo-sensitive element to ensure the optical coupling between them. The light guide element is made up of at least two dielectric materials having different optical refraction indices and arranged in concentric volumes (11, 12). An Independent claim is also included for a photo-sensitive matrix incorporating these photo-sensitive cells.

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