公开(公告)号：US09630831B1

公开(公告)日：2017-04-25

申请号：US14883908

申请日：2015-10-15

Applicant: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： Jung-Huei Peng ,  Chia-Hua Chu ,  Fei-Lung Lai ,  Shiang-Chi Lin

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: The present disclosure provides a CMOS structure, including a substrate, a metallization layer over the substrate, a sensing structure over the metallization layer, and a signal transmitting structure adjacent to the sensing structure. The sensing structure includes an outgassing layer over the metallization layer, a patterned outgassing barrier over the outgassing layer; and an electrode over the patterned outgassing barrier. The signal transmitting structure electrically couples the electrode and the metallization layer.

公开(公告)号：US09287075B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US14670671

申请日：2015-03-27

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Stephen E. Luce ,  Anthony K. Stamper

IPC: H01H51/22 ,  H01H59/00 ,  H01H11/00 ,  H01H49/00 ,  H01H1/58

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00523 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0145 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2203/0145 ,  H01H1/0036 ,  H01H1/58 ,  H01H11/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0018 ,  Y10T29/49105

Abstract: MEMS switches and methods of manufacturing MEMS switches is provided. The MEMS switch having at least two cantilevered electrodes having ends which overlap and which are structured and operable to contact one another upon an application of a voltage by at least one fixed electrode.

公开(公告)号：US20160035511A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：US14883825

申请日：2015-10-15

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Stephen E. LUCE ,  Anthony K. STAMPER

IPC: H01H11/00 ,  H01H59/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00523 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0145 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2203/0145 ,  H01H1/0036 ,  H01H1/58 ,  H01H11/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0018 ,  Y10T29/49105

Abstract: MEMS switches and methods of manufacturing MEMS switches is provided. The MEMS switch having at least two cantilevered electrodes having ends which overlap and which are structured and operable to contact one another upon an application of a voltage by at least one fixed electrode.

公开(公告)号：US09019049B2

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US13826070

申请日：2013-03-14

Applicant: International Business Machines Corporation

Inventor： Stephen E. Luce ,  Anthony K. Stamper

IPC: H01H51/22 ,  H01H59/00 ,  H01H11/00 ,  H01H1/58

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00523 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0145 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2203/0145 ,  H01H1/0036 ,  H01H1/58 ,  H01H11/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0018 ,  Y10T29/49105

Abstract: MEMS switches and methods of manufacturing MEMS switches is provided. The MEMS switch having at least two cantilevered electrodes having ends which overlap and which are structured and operable to contact one another upon an application of a voltage by at least one fixed electrode.

Abstract translation: 提供MEMS开关和制造MEMS开关的方法。 所述MEMS开关具有至少两个悬臂电极，所述至少两个悬臂电极具有重叠的端部，并且在被至少一个固定电极施加电压时被构造和可操作以彼此接触。

公开(公告)号：US08961853B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13375361

申请日：2010-06-04

Applicant: Chad A. Mirkin ,  Wooyoung Shim ,  Adam B. Braunschweig ,  Xing Liao ,  Jinan Chai ,  Jong Kuk Lim ,  Gengfeng Zheng ,  Zijian Zheng

Inventor： Chad A. Mirkin ,  Wooyoung Shim ,  Adam B. Braunschweig ,  Xing Liao ,  Jinan Chai ,  Jong Kuk Lim ,  Gengfeng Zheng ,  Zijian Zheng

IPC: B29C59/02 ,  G03F7/00 ,  B81C1/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81B2203/0361 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/0046 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10S977/732

Abstract: Disclosed are methods of lithography using a tip array having a plurality of pens attached to a backing layer, where the tips can comprise a metal, metalloid, and/or semi-conducting material, and the backing layer can comprise an elastomeric polymer. The tip array can be used to perform a lithography process in which the tips are coated with an ink (e.g., a patterning composition) that is deposited onto a substrate upon contact of the tip with the substrate surface. The tips can be easily leveled onto a substrate and the leveling can be monitored optically by a change in light reflection of the backing layer and/or near the vicinity of the tips upon contact of the tip to the substrate surface.

Abstract translation: 公开了使用具有连接到背衬层的多个笔的尖端阵列的光刻方法，其中尖端可以包括金属，准金属和/或半导电材料，并且背衬层可以包括弹性体聚合物。 尖端阵列可用于执行光刻工艺，其中尖端涂覆有当尖端与衬底表面接触时沉积到衬底上的油墨（例如，图案化组合物）。 尖端可以容易地平整到基底上，并且可以通过背衬层的光反射的变化和/或在尖端与基底表面接触时靠近尖端附近来光学地监测流平。

公开(公告)号：US08187480B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12270511

申请日：2008-11-13

Applicant: Kim Yang Lee ,  David S. Kuo ,  Dorothea Buechel ,  Kalman Pelhos

Inventor： Kim Yang Lee ,  David S. Kuo ,  Dorothea Buechel ,  Kalman Pelhos

IPC: B44C1/22

CPC classification number: G11B5/855 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/038 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/26

Abstract: Methods comprising providing a pre-patterned substrate having an array of thick walls, depositing a conforming layer on the pre-patterned substrate, etching the conforming layer from the top of the thick walls and the space between the walls, and etching the thick walls while leaving thin walls of conforming layer.

Abstract translation: 方法包括提供具有厚壁阵列的预图案化衬底，在预图案化衬底上沉积合适层，从厚壁的顶部和壁之间的空间蚀刻适形层，并蚀刻厚壁，同时 留下薄壁的合格层。

公开(公告)号：US07998330B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12122967

申请日：2008-05-19

Applicant: Nicholas X. Fang ,  Placid M. Ferreira ,  Keng Hao Hsu ,  Peter Lee Schultz ,  Kyle E. Jacobs ,  Anil Kumar

Inventor： Nicholas X. Fang ,  Placid M. Ferreira ,  Keng Hao Hsu ,  Peter Lee Schultz ,  Kyle E. Jacobs ,  Anil Kumar

IPC: C25D5/02 ,  C25D17/00

CPC classification number: B23H3/00 ,  B23H3/04 ,  B81C1/0046 ,  B81C2201/0154 ,  C25D1/00 ,  C25D1/006 ,  C25D5/02 ,  C25D11/22 ,  C25D17/007 ,  G01Q80/00 ,  H01L21/32134 ,  H05K3/07 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/0117

Abstract: Disclosed herein are electrochemical fabrication platforms for making structures, arrays of structures and functional devices having selected nanosized and/or microsized physical dimensions, shapes and spatial orientations. Methods, systems and system components use an electrochemical stamping tool such as solid state polymeric electrolytes for generating patterns of relief and/or recessed features exhibiting excellent reproducibility, pattern fidelity and resolution on surfaces of solid state ionic conductors and in metal. Electrochemical stamping tools are capable high throughput patterning of large substrate areas, are compatible with commercially attractive manufacturing pathways to access a range of functional systems and devices including nano- and micro-electromechanical systems, sensors, energy storage devices, metal masks for printing, interconnects, and integrated electronic circuits.

Abstract translation: 本文公开了用于制造具有选定的纳米尺寸和/或微尺寸物理尺寸，形状和空间取向的结构，结构阵列和功能装置的电化学制造平台。 方法，系统和系统组件使用电化学冲压工具，例如固态聚合物电解质，用于产生在固态离子导体和金属表面上显示出优异的再现性，图案保真度和分辨率的浮雕和/或凹陷特征图案。 电化学冲压工具能够对大衬底区域进行高通量图案化，与商业上有吸引力的制造途径兼容，以访问一系列功能系统和设备，包括纳米和微机电系统，传感器，能量存储设备，印刷用金属掩模，互连 ，和集成电子电路。

公开(公告)号：JP2018526232A

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2018502220

申请日：2016-05-24

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： ライナー シュトラウプ ,  シュテファン ピンター ,  イェアク ムホー

IPC: B81B7/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2203/0136 ,  G02B1/14 ,  G02B26/0833

Abstract: 本発明は、マイクロメカニカル窓構造の製造方法に関する。この方法は、前面(4)および後面(5)を有する基板(1)を用意するステップと、前面(4)に第1の凹部(6)を形成するステップと、前面(4)上および第1の凹部(6)上にコーティング(8;8’,8’’)を形成するステップと、コーティング(8)の少なくとも一部の領域が露出され、これによりコーティングの露出領域によって窓(F)が形成されるように、後面(5)に第2の凹部(7)を形成するステップとを含む。

公开(公告)号：JP5670141B2

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：JP2010219680

申请日：2010-09-29

Applicant: コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat Al’Energie Atomique Et Aux Energiesalternatives ,  コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives

Inventor： モハメッド、ベンワディー

IPC: H01L21/336 ,  B81B7/02 ,  B82B3/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0004 ,  B81C1/00492 ,  B81C2201/0154 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/5012

公开(公告)号：JP2012507849A

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：JP2011533934

申请日：2009-11-03

Applicant: イエダ・リサーチ・アンド・デベロツプメント・カンパニー・リミテツド

Inventor： アモス・バーデア ,  アレクサンダー・ヨッフェ ,  ロン・ナーマン

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00 ,  C12M1/34

CPC classification number: C12M23/06 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/0198 ,  C12M27/00 ,  H01F41/16

Abstract: 本発明は、基板をパターニングする方法及び装置に関する。 本方法は、所定のパターンに従って磁場に可変磁気特性を生じさせる磁場を調節するように構成され、かつ操作可能である少なくとも一つの磁気パターン発生器を提供する段階と、基板の近傍に調節された磁場を印加し、得られるべき特定のパターンの相互作用領域を基板上部に生成する段階と、基板を磁気粒子と相互作用させ、調節された磁場の印加の下で、磁気粒子が特定のパターンによって規定される選択された相互作用領域に引き付けられ、一方で相互作用領域の外側の領域に実質的に引き付けられず、その結果基板の上部に磁気粒子と相互作用する特定の領域のパターンを形成する段階と、を含む。 所定のパターンは所定の磁場プロファイルに関する、磁気パターン発生器からの所定の距離、ここにサンプルが配置される、における、特定のパターンに対応する。