公开(公告)号：KR1020050016209A

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：KR1020040062163

申请日：2004-08-06

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 아이가,마사유키 ,  츠카다,토시유기

IPC: H01J23/05 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J23/05 ,  B82Y10/00 ,  H01J25/587 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/30461

Abstract: PURPOSE: A magnetron is provided to lower the operating temperature of a cathode and form the peripheral part of the cathode from inexpensive metal including a stainless steel, by using graphite nano fibers or carbon fibers for a cathode unit. CONSTITUTION: A magnetron comprises an anode unit; a cathode unit(13) disposed in an axial direction together with the anode unit, wherein the cathode unit has an electron emission surface; and graphite nano fibers(11) disposed on the electron emission surface of the cathode unit. The magnetron further includes a cathode substrate(10) which is heated to 400 to 600 Deg.C in an atmosphere of hydrocarbon gas such as methane. The gas reacts with a surface of the cathode substrate through a thermal CVD method. An electron emitter for growing the graphite nano fibers in a gas phase on the surface of the cathode substrate is fixed between upper and lower hats(12) so as to form the cathode unit.

Abstract translation: 目的：通过使用石墨纳米纤维或碳纤维作为阴极单元，提供磁控管以降低阴极的工作温度并由廉价金属（包括不锈钢）形成阴极的周边部分。 构成：磁控管包括阳极单元; 阴极单元（13），其与所述阳极单元一起沿轴向设置，其中所述阴极单元具有电子发射表面; 以及设置在阴极单元的电子发射表面上的石墨纳米纤维（11）。 磁控管还包括阴极基板（10），其在诸如甲烷的烃气体的气氛中被加热至400-600℃。 气体通过热CVD方法与阴极基板的表面反应。 用于在阴极基板的表面上以气相形成石墨纳米纤维的电子发射体被固定在上下帽（12）之间以形成阴极单元。

公开(公告)号：TWI534847B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW103106200

申请日：2014-02-25

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 柳鵬 ,  LIU, PENG ,  李德杰 ,  LI, DE-JIE ,  張春海 ,  ZHANG, CHUN-HAI ,  周段亮 ,  ZHOU, DUAN-LIANG ,  杜秉初 ,  DU, BING-CHU ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/30461 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0449 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484 ,  Y10S977/939

公开(公告)号：TWI529769B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW103106195

申请日：2014-02-25

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 柳鵬 ,  LIU, PENG ,  李德杰 ,  LI, DE-JIE ,  張春海 ,  ZHANG, CHUN-HAI ,  周段亮 ,  ZHOU, DUAN-LIANG ,  杜秉初 ,  DU, BING-CHU ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J29/18 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30461 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0449 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484

公开(公告)号：TW201530601A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103106200

申请日：2014-02-25

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 柳鵬 ,  LIU, PENG ,  李德杰 ,  LI, DE-JIE ,  張春海 ,  ZHANG, CHUN-HAI ,  周段亮 ,  ZHOU, DUAN-LIANG ,  杜秉初 ,  DU, BING-CHU ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/30461 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0449 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484 ,  Y10S977/939

Abstract: 本發明涉及一種電子發射源，其包括：依次層疊設置的一第一電極，一半導體層，一絕緣層及一第二電極，其中，所述電子發射源還包括設置於所述半導體層與所述絕緣層之間的一電子收集層，所述電子收集層為一導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。

公开(公告)号：TW200929323A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW096150312

申请日：2007-12-26

Applicant: 大同股份有限公司 TATUNG COMPANY

Inventor： 鄭健民 JENG, JIAN MIN ,  羅吉宗 LO, CHI TSUNG ,  施文欽 SHIH, WEN CHING ,  蔡維隆 TASI, WEI LUNG

IPC: H01J

CPC classification number: H01J9/025 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45523 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30461

Abstract: 一種複合式場發射源的製作方法,包括先使用射頻磁控濺鍍法(RF magnetron sputtering)進行第一階段成膜製程,以於基板上形成一層奈米結構膜,且此奈米結構膜是由多個奈米石墨壁構成的花瓣狀結構。之後,進行第二階段成膜製程,以增加在奈米結構膜上的碳沉積量。如此可得到强度高且具奈米珊瑚狀結構的複合式場發射源,並藉此改善電子場發射效果與壽命。

Abstract in simplified Chinese: 一种复合式场发射源的制作方法,包括先使用射频磁控溅镀法(RF magnetron sputtering)进行第一阶段成膜制程,以于基板上形成一层奈米结构膜,且此奈米结构膜是由多个奈米石墨壁构成的花瓣状结构。之后,进行第二阶段成膜制程,以增加在奈米结构膜上的碳沉积量。如此可得到强度高且具奈米珊瑚状结构的复合式场发射源,并借此改善电子场发射效果与寿命。

公开(公告)号：TWI550675B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW103106192

申请日：2014-02-25

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 柳鵬 ,  LIU, PENG ,  李德杰 ,  LI, DE-JIE ,  張春海 ,  ZHANG, CHUN-HAI ,  周段亮 ,  ZHOU, DUAN-LIANG ,  杜秉初 ,  DU, BING-CHU ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J29/18 ,  H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30461 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0449 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484

公开(公告)号：TW201530594A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103106192

申请日：2014-02-25

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 柳鵬 ,  LIU, PENG ,  李德杰 ,  LI, DE-JIE ,  張春海 ,  ZHANG, CHUN-HAI ,  周段亮 ,  ZHOU, DUAN-LIANG ,  杜秉初 ,  DU, BING-CHU ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J29/18 ,  H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30461 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0449 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484

Abstract: 本發明涉及一種電子發射裝置，其包括複數條形第一電極及條形第二電極交叉且間隔設置，所述複數條形第一電極相互間隔並沿第一方向延伸，所述複數條形第二電極相互間隔並沿第二方向延伸，位於交叉位置處的條形第一電極與條形第二電極之間形成一電子發射單元，每一電子發射單元包括依次層疊設置的一半導體層及一絕緣層，所述條行第一電極為一奈米碳管層，所述半導體層包括複數孔洞，所述條形奈米碳管層覆蓋所述複數孔洞，對應孔洞位置處的條形奈米碳管層懸空設置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种电子发射设备，其包括复数条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置，所述复数条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸，所述复数条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元，每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层，所述条行第一电极为一奈米碳管层，所述半导体层包括复数孔洞，所述条形奈米碳管层覆盖所述复数孔洞，对应孔洞位置处的条形奈米碳管层悬空设置。

公开(公告)号：TWI363367B

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：TW096150312

申请日：2007-12-26

Applicant: 大同股份有限公司 ,  大同大學

Inventor： 鄭健民 ,  羅吉宗 ,  施文欽 ,  蔡維隆

IPC: H01J

CPC classification number: H01J9/025 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45523 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30461

Abstract: 一種複合式場發射源的製作方法，包括先使用射頻磁控濺鍍法(RF magnetron sputtering)進行第一階段成膜製程，以於基板上形成一層奈米結構膜，且此奈米結構膜是由多個奈米石墨壁構成的花瓣狀結構。之後，進行第二階段成膜製程，以增加在奈米結構膜上的碳沉積量。如此可得到強度高且具奈米珊瑚狀結構的複合式場發射源，並藉此改善電子場發射效果與壽命。

Abstract in simplified Chinese: 一种复合式场发射源的制作方法，包括先使用射频磁控溅镀法(RF magnetron sputtering)进行第一阶段成膜制程，以于基板上形成一层奈米结构膜，且此奈米结构膜是由多个奈米石墨壁构成的花瓣状结构。之后，进行第二阶段成膜制程，以增加在奈米结构膜上的碳沉积量。如此可得到强度高且具奈米珊瑚状结构的复合式场发射源，并借此改善电子场发射效果与寿命。