公开(公告)号：KR1020060042145A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050015376

申请日：2005-02-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아

Inventor： 김동욱 ,  유인경 ,  진성호 ,  첸리한

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488

Abstract: 본 발명은 향상된 에미터 안정성과 결합된 향상된 방출 특성을 발휘하는 새로운 전계 에미터의 제조방법을 개시한다. 특히, 바람직한 나노스케일, 정렬된 그리고 샤프한 팁 에미터 구조를 가진 새로운 타입의 카바이드 또는 나이트라이드를 근거한 전계 방출 에미터의 제조방법을 개시한다.

公开(公告)号：TWI483279B

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW100111874

申请日：2011-04-06

Applicant: 光學實驗室公司 ,  LIGHTLAB SWEDEN AB

Inventor： 胡魁鴻 ,  HU, QIU-HONG

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

公开(公告)号：TW201214495A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100111874

申请日：2011-04-06

Applicant: 光學實驗室公司

Inventor： 胡魁鴻

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本發明係關於一種場發射陰極，該場發射陰極包含至少部分導電基底結構，及空間上分佈於該基底結構處之複數個導電微米大小區段，其中該複數個微米大小區段之至少一部分各自具備複數個導電奈米結構。本發明之優點包括較低功率消耗，以及(例如)包含該場發射陰極之場發射照明配置之光輸出增加。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种场发射阴极，该场发射阴极包含至少部分导电基底结构，及空间上分布于该基底结构处之复数个导电微米大小区段，其中该复数个微米大小区段之至少一部分各自具备复数个导电奈米结构。本发明之优点包括较低功率消耗，以及(例如)包含该场发射阴极之场发射照明配置之光输出增加。