公开(公告)号：CN1195261A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：CN97129706.1

申请日：1997-12-31

Applicant: 易通公司

Inventor： T·N·霍尔斯基 ,  W·E·雷伊诺尔斯 ,  R·M·克劳蒂尔

IPC: H05H1/34 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 离子注入机用的离子源,包括限定气体电离区的导电室壁的气封室,其出口允许离子射出。基板使气封室对着将射出的离子形成离子束的结构配置。阴极一部分伸入气封室的开口中。阴极包括置有灯丝的内部区域的阴极体。阴极体包括内管件、同轴的外管件和端帽。端帽具有带径向延伸凸缘的横截面减小的主体部分。端帽压入内管件。给灯丝供电以加热该端帽,使其发射电子至电离区。该灯丝受阴极体保护,可免受气体电离区中激发等离子体的影响。

公开(公告)号：CN1119338A

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN95108133.0

申请日：1995-06-29

Applicant: 易通公司

Inventor： F·R·特鲁爱拉

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/15 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 在一种离子注入设备中，一种可移走的对准夹具90，同一种自对中的夹紧装置92一起，被用来使引出元件孔精确地定位到同预定的束路线对准。引出元件72固定于夹紧装置的支持环94，而夹紧装置安装于对准夹具。被安装于源机箱的对准夹具同预定束路线精密对准。夹紧装置的开口环107固定于围绕着离子发生电弧室18的支持筒80。由于夹紧装置是自对中的，故不危害引出元件孔的对准。在移走对准夹具之后，将可变间隙引出电极装置130固定于源机箱。

公开(公告)号：CN109716479A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057110.3

申请日：2017-09-27

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 尼尔·科尔文 ,  哲-简·谢

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种用于改善离子注入性能的离子源组件和方法。该离子源组件具有离子源腔室，并且源气体供应源向离子源腔室提供分子碳源气体。激发源激发分子碳源气体，形成碳离子和原子碳。引出电极从离子源腔室中引出碳离子，形成离子束。过氧化氢共伴气体供应源向离子源腔室提供过氧化氢共伴气体。过氧化氢共伴气体分解并与原子碳反应，在离子源腔室内形成碳氢化合物。进一步引入惰性气体并使其离子化，以抵消因过氧化氢分解所致的阴极氧化。真空泵除去碳氢化合物，其中减少原子碳的沉积并且延长离子源腔室的使用寿命。

公开(公告)号：CN104979151B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510171305.3

申请日：2015-04-13

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： B.R.小劳思 ,  V.布罗登 ,  M.施米德特

IPC: H01J37/26 ,  G01N1/28

CPC classification number: H01J37/20 ,  G01N1/44 ,  H01J37/26 ,  H01J37/261 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/2602 ,  H01J2237/31745

Abstract: 本发明涉及高容量TEM栅格，特别是一种TEM栅格提供立柱，立柱具有台阶，台阶增加了能附连到栅格上的样品数量。在某些实施例中，每个立柱包括单侧楼梯台阶配置。一种用于提取多种样品的方法包括提取样品并且将样品附连到立柱的不同楼梯台阶上。

公开(公告)号：CN108796446A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810967214.4

申请日：2014-05-01

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： D.C.海德曼 ,  A.K.辛哈 ,  L.A.布朗

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/48 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  C23C14/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/48 ,  F17C1/00 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/08 ,  Y02E60/321 ,  Y10T137/7781

Abstract: 提供一种用于离子注入包含同位素富集硒的源材料的新颖方法。选择所述源材料并富集硒的特定质量同位素，藉此所述富集高于天然丰度水平。本发明的方法允许降低气体消耗以及减少废物。优选从低于大气压的储存和递送设备储存并递送所述源材料，以增加在所述硒离子注入工艺期间的安全性和可靠性。

公开(公告)号：CN104124141B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310561130.8

申请日：2013-09-23

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： A·K·辛哈 ,  C·I·李

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 在此提供了一种使用富集和高富集掺杂剂气体的新型工艺，由于能够实现与这种掺杂剂气体的离子注入相关的工艺优势，因此消除了终端使用者当前所遭遇的问题。对于在指定范围内的给定流速，与其相应非富集或较少富集掺杂剂气体相比，设计为在降低的离子源的总功率等级下运行以降低该富集掺杂剂气体的电离效率。还降低了源灯丝的温度，从而当利用含氟富集掺杂剂气体时减轻了氟刻蚀和离子源寿命缩短的不利效果。当有利地将射束电流维持在不用难以接受地背离原来限定的等级时，该降低的总功率等级与降低的电离效率和降低的离子源温度组合，能够相互协同作用以改善并延长离子源寿命。

公开(公告)号：CN102881546B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210240654.2

申请日：2012-07-12

Applicant: FEI公司

Inventor： A.格劳佩拉 ,  S.克罗格 ,  M.W.乌特劳特 ,  N.W.帕克

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3002 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0827

Abstract: 本发明涉及电感耦合等离子体（ICP）离子源中不同处理气体之间快速切换的方法和结构。可打开的气体通道实现在带电粒子束系统中的电感耦合等离子体源中的处理气体或热烘气体的快速泵出。阀，通常定位在源电极中或形成为气体入口的一部分，在打开以泵空等离子体腔时增加气体流导并且在操作等离子体源期间关闭。

公开(公告)号：CN102651299B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210055385.2

申请日：2012-02-24

Applicant: FEI公司

Inventor： T·米勒

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/3053 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/049 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 公开一种用于在带电粒子系统中具有不同射束电流的操作模式之间进行快速切换的方法。许多FIB研磨应用要求感兴趣区域(RoI)中的研磨图案的准确定位。这可通过使用RoI附近的基准标记来实现，其中周期地偏转FIB，以便在FIB研磨期间对这些标记进行成像。然后能够测量和补偿射束相对于RoI的任何漂移，从而实现FIB研磨射束的更准确定位。往往有利的是使用较低电流FIB用于成像，因为这可实现标记的图像中的更高空间分辨率。为了更快的FIB研磨，期望更大的射束电流。因此，对于FIB研磨过程的优化，一种用于在高与低电流操作模式之间进行快速切换的方法是合乎需要的。

公开(公告)号：CN105453225A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480025344.6

申请日：2014-03-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  J·D·斯威尼 ,  唐瀛 ,  R·S·雷

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/2225

Abstract: 描述了用于掺杂物的注入的离子注入组合物、系统和方法。描述了具体的硒掺杂源组合物，以及并流气体用以实现在注入系统特征方面的优势的用途，所述注入系统特征为例如方法转变、束稳定性、源寿命、束均匀性、束流和购置成本。

公开(公告)号：CN105264632A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032691.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 金子朝子 ,  高须久幸 ,  武藤宏史 ,  岩谷彻 ,  许斐麻美

IPC: H01J37/20 ,  G01N1/28 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/20 ,  G01K1/14 ,  G01N1/32 ,  H01J37/30 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/20271 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/317

Abstract: 本发明的目的在于提供离子碾磨装置，能够在将离子束照射至试样并进行加工的离子碾磨装置中，与照射离子束时的试样的变形等无关地，高精度地进行试样的温度控制，例如提出有如下离子碾磨装置的方案，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。