公开(公告)号：CN104282520A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410319167.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木和男 ,  齐藤均 ,  山泽阳平 ,  古屋敦城 ,  内藤启

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32119 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11)；和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间，与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a～30d)，使这些金属窗(30a～30d)各自通过一个接地点接地。

公开(公告)号：CN104094385A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380008244.8

申请日：2013-02-21

Applicant: 威特尔有限公司

Inventor： 郑成炫 ,  李香周

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0132 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理方法和基板处理装置。所述等离子体处理方法包括：在腔室上安装至少一个第一等离子体源和至少一个第二等离子体源；向第一等离子体源提供第一气体；向第二等离子体源提供不同于第一气体的第二气体；向第一等离子体源施加电力以形成第一等离子体；向第二等离子体源施加电力以形成第二等离子体；以及通过使用第一和第二等离子体处理设置在所述腔室内部的基板。

公开(公告)号：CN103926850A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410014140.4

申请日：2014-01-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·C·小瓦尔考 ,  布拉德福德·J·林达克

IPC: G05B19/04

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明涉及调谐与等离子体阻抗有关联的参数，具体描述了用于调谐与等离子体阻抗相关联的参数的系统和方法。方法中的一种包括接收信息以判定变量。在传输线路测量信息并在参数具有第一值时进行测量。该传输线路用于提供功率到等离子体室。该方法进一步包括：判定所述变量是否在局部最小值，并在判定所述变量在局部最小值时提供所述第一值来调谐阻抗匹配电路。该方法包括在判定变量不在局部最小值时改变参数的所述第一值到第二值，并判定参数具有第二值时变量是否在局部最小值。

公开(公告)号：CN103918064A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280029581.0

申请日：2012-05-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  亚历克斯·帕特森 ,  理查德·马什 ,  吴英

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32697 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明公开了用于操作腔室的等离子体处理器腔室和方法。示例性的腔室包括用于接收衬底的静电夹盘以及与腔室的顶部连接的电介质窗。电介质窗的内侧面向位于静电夹盘的上方的等离子体处理区域，电介质窗的外侧位于等离子体处理区域的外部。内侧和外侧线圈被设置在电介质窗的外侧，并且内侧和外侧线圈与第一RF功率源相连。充电格栅被设置在电介质窗的外侧以及内侧和外侧线圈之间。充电格栅与第二RF功率源相连，该第二功率源独立于第一RF功率源。

公开(公告)号：CN103733318A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280040387.2

申请日：2012-08-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 前平谦 ,  铃木大地 ,  真濑江理子 ,  不破耕

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: B01J3/006 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831

Abstract: 提供一种真空处理装置以及真空处理方法，能够在进行等离子处理时强力吸附保持绝缘性基板。真空处理装置（1）具有：接地的真空槽（11），与真空槽（11）相连的真空排气装置（19），配置在真空槽（11）内部的吸附装置（40），对设在吸附装置（40）上的单极（3）外加输出电压的吸附用电源（16），向真空槽（11）内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置（21），以及使等离子生成气体为等离子的等离子生成部（20），将处理对象物（6）配置在吸附装置（40）上，当通过吸附用电源（16）对单极（3）外加输出电圧时，在真空槽内（11）内生成等离子，并且当将处理对象物（6）吸附在吸附装置上时，通过等离子进行处理，其中，处理对象物（6）使用绝缘性基板，吸附用电源（16）向单极（3）输出正电圧和负电圧周期地变化的输出电圧。

公开(公告)号：CN102254847B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110127888.1

申请日：2011-05-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置。其与以往相比能够提高处理的面内均匀性，并且能够实现装置的小型化和处理效率的提高，而且能够容易地改变上部电极和下部电极之间的间隔。该等离子体处理装置包括：下部电极，其设在处理室内；上部电极，其具有作为簇射头的功能且能够上下移动；盖体，其设在上部电极的上侧且用于气密地闭塞处理室的上部开口；多个排气孔，其形成于上部电极的相对面上；环状构件，其以沿上部电极的周缘部向下方突出的方式设置且能够与上部电极联动地上下移动，且在下降位置处形成由下部电极、上部电极和该环状构件围成的处理空间；线圈，其以收容于电介质制的容器内的方式被配置在环状构件的内壁部分。

公开(公告)号：CN101681830B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200880015720.8

申请日：2008-05-08

Applicant: 爱发科股份有限公司

Inventor： 森川泰宏 ,  邹红红 ,  林俊雄

IPC: H01L21/3065 ,  C23C4/10

CPC classification number: H01J37/3266 ,  C23C4/00 ,  C23C4/11 ,  H01J37/16 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供一种面内均匀性好且蚀刻速度高的干式蚀刻装置及干式蚀刻方法。该干式蚀刻装置，具备由上部的等离子体发生室及下部的基板处理室构成的真空室、设置在所述等离子体发生室的侧壁的外侧的磁场线圈、配置在该磁场线圈和侧壁的外侧之间且与高频电源连接的天线线圈和设置在等离子体发生室上部的蚀刻气体导入机构，所述侧壁由比介电常数为4以上的材料构成。

公开(公告)号：CN103621187A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030726.9

申请日：2012-06-21

Applicant: FEI公司

Inventor： S.克罗格 ,  A.格劳佩拉 ,  N.W.帕克 ,  M.W.乌特劳特 ,  A.B.威尔斯 ,  J.B.麦金

IPC: H05H1/00

CPC classification number: H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31749 ,  H05H1/28 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种用于带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括提供改进的电隔离与减少后的电容RF耦合的导电屏蔽以及使等离子体绝缘并且对其进行冷却的介电流体。可以将导电屏蔽封闭在固体介电介质内。可以通过泵使介电流体循环或不可以通过泵使其循环。热管可以用于对介电流体进行冷却。

公开(公告)号：CN102087974B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201010541047.0

申请日：2010-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 文·梁 ,  阿基特若·高

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6831 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明描述了深沟槽衬里去除方法，其中基本去除了在沟槽中所形成的共形衬里的多余部分，同时减少或最大程度减小了对沟槽中的块体填充材料的损坏。

公开(公告)号：CN101855707B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880115393.3

申请日：2008-11-12

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  井野英二 ,  石原伸一郎 ,  芦田肇 ,  渡边亮

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/503 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32715

Abstract: 本发明目的在于提供一种等离子处理装置，其对平面状被处理基体进行等离子处理，离子的利用效率及均匀性优良、且生产性高。本发明的等离子处理装置包含：真空容器(11)；一个或多个的天线支撑部(等离子产生机构支撑部)(12)，其向真空容器(11)的内部空间(111)内突出而设置；高频天线(等离子产生机构)(13)，分别安装于天线支撑部(12)；以及一对的基体保持部(16)，其在真空容器(11)内夹着天线支撑部(12)而设置，用以保持平面状的被处理基体(21)。