公开(公告)号：US20020186114A1

公开(公告)日：2002-12-12

申请号：US10206284

申请日：2002-07-26

Applicant: Memscap

Inventor： Laurent Basteres ,  Ahmed Mhani ,  Francois Valentin ,  Jean-Michel Karam

IPC: H01F005/00

CPC classification number: H01F17/0006 ,  H01F2017/0046 ,  H01L23/645 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An inductive component (1), especially intended to be incorporated into a radiofrequency circuit, comprising: a substrate layer (2); a flat inductor formed from a metal strip (3) wound in a spiral; wherein: the substrate layer (2) is made of quartz; the metal strip (3) is made of copper and has a thickness (E3) of greater than 10 microns.

Abstract translation: 一种特别旨在并入射频电路中的电感元件（1），包括：衬底层（2）; 由螺旋缠绕的金属条（3）形成的扁平电感器; 其中：所述基底层（2）由石英制成; 金属条（3）由铜制成并且具有大于10微米的厚度（E3）。

公开(公告)号：US20020160576A1

公开(公告)日：2002-10-31

申请号：US10177435

申请日：2002-06-21

Applicant: Memscap S.A.

Inventor： Laurent Basteres ,  Ahmed Mhani ,  Francois Valentin ,  Jean-Michel Karam

IPC: H01L021/20

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0006 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: A monolithic integrated circuit (1) incorporating an inductive component (2) and comprising: a semiconductor substrate layer (2); a passivation layer (4) covering the substrate layer (2); metal contact pads (5) connected to the substrate (2) and passing through the passivation layer (4) in order to be flush with the upper face (6) of the passivation layer (4); which circuit also includes a spiral winding (20) which forms an inductor and lies in a plane parallel to the upper face (6) of the passivation layer (4), said winding (20) consisting of copper turns (21-23, 27, 28) having a thickness of greater than 10 microns, the winding ends forming extensions (12) which extend below the plane of the winding (20) and are connected to the contact pads (5).

Abstract translation: 一种结合电感元件（2）的单体集成电路（1），包括：半导体衬底层（2）; 覆盖衬底层（2）的钝化层（4）; 金属接触焊盘（5），其连接到衬底（2）并通过钝化层（4）以与钝化层（4）的上表面（6）齐平; 该电路还包括形成电感器并且位于平行于钝化层（4）的上表面（6）的平面中的螺旋绕组（20），所述绕组（20）由铜匝（21-23,27） ，28），所述绕组端形成在所述绕组（20）的平面下方延伸并延伸到所述接触焊盘（5）的延伸部（12）。

公开(公告)号：US20020132387A1

公开(公告)日：2002-09-19

申请号：US10151744

申请日：2002-05-20

Applicant: Memscap

Inventor： Catherine Charrier ,  Eric Bouchon ,  Alain Campo ,  Guy Imbert ,  Francois Valentin ,  Laurent Basteres

IPC: H01L021/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0197 ,  H01G5/16 ,  H01H1/0036

Abstract: Process for fabricating electronic components, of the variable capacitor or microswitch type, comprising a fixed plate (1) and a deformable membrane (20) which are located opposite each other, which comprises the following steps, consisting in: depositing a first metal layer on an oxide layer (2), said first metal layer being intended to form the fixed plate; depositing a metal ribbon (10, 11) on at least part of the periphery and on each side of the fixed plate (1), said ribbon being intended to serve as a spacer between the fixed plate (1) and the deformable membrane (20); depositing a sacrificial resin layer (15) over at least the area of said fixed plate (1); generating, by lithography, a plurality of wells in the surface of said sacrificial resin layer; depositing, by electrolysis, inside the wells formed in the sacrificial resin (15), at least one metal region intended to form the deformable membrane (20), this metal region extending between sections of the metal ribbon (10, 11) which are located on each side of said fixed plate (1); removing the sacrificial resin layer (15).

Abstract translation: 用于制造可变电容器或微型开关类型的电子部件的方法包括彼此相对定位的固定板（1）和可变形膜（20），其包括以下步骤：将第一金属层沉积在 氧化物层（2），所述第一金属层旨在形成所述固定板; 在固定板（1）的周边的至少一部分和每一侧上沉积金属带（10,11），所述带旨在用作固定板（1）和可变形膜（20）之间的间隔件 ）; 在所述固定板（1）的至少所述区域上沉积牺牲树脂层（15）; 通过光刻产生在所述牺牲树脂层的表面中的多个孔; 通过电解在形成在牺牲树脂（15）中的阱内沉积旨在形成可变形膜（20）的至少一个金属区域，该金属区域在位于金属带（10,11）的部分之间延伸 在所述固定板（1）的每一侧上; 去除牺牲树脂层（15）。

公开(公告)号：US20020047769A1

公开(公告)日：2002-04-25

申请号：US09943604

申请日：2001-08-30

Applicant: Memscap S.A.

Inventor： Jean-Marc Fedeli

IPC: H01F038/20

CPC classification number: B82Y25/00 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3286 ,  H01F17/0033

Abstract: Inductive microcomponent (1), such as a microinductor or microtransformer, comprising a metal winding (2) having the shape of a solenoid, and a magnetic core (4) including a strip made of a ferromagnetic material, positioned at the center of the solenoid (2), and characterized in that the core comprises at least one additional strip made of a ferromagnetic material (13), separated from the other strip (12) by a spacer layer (14) made of a non-magnetic material, the thickness of which is such that the strips (12, 13) located on either side of the spacer layer (14) are antiferromagnetically coupled.

Abstract translation: 包括具有螺线管形状的金属绕组（2）的微电子或微型变压器的感应微元件（1）和包括由铁磁材料制成的带的磁芯（4）位于螺线管的中心 （2），其特征在于，所述芯包括由铁磁材料（13）制成的至少一个附加带，所述铁磁材料通过由非磁性材料制成的间隔层（14）与另一条带（12）分离，所述厚度 位于间隔层（14）的任一侧上的条（12,13）被反铁磁耦合。

公开(公告)号：EP1351315A2

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：EP03100542.4

申请日：2003-03-05

Applicant: Memscap

Inventor： Girardie, Lionel

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/87 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/511

Abstract: Micro-composant électronique réalisé à partir d'un substrat, et intégrant une structure capacitive réalisée au-dessus d'un niveau de métallisation (3) présent dans le substrat (2), ladite structure capacitive comportant deux électrodes (4,7), caractérisé en ce que:

la première électrode (4) comporte une pluralité de lamelles métalliques (14,24,34) empilées les unes au-dessus des autres, et séparées les unes des autres par des tronçons (18,28) de moindre largeur réalisés à partir du même métal,
la seconde électrode (7) recouvre la première électrode (4) en comportant une pluralité de lamelles (31,32) intercalées entre les lamelles (14,24,34) de la première électrode (4).

Abstract translation: 电容结构包括两个电极（4,7），其中第一电极（4）包括一组金属条（14,24,43），该组金属条（14,24,43）一个安装在另一个之上，并且由一个较小宽度的部分（18,28） 并且第二电极（7）覆盖第一电极（4）并且包括插入在第一电极的条之间的一组条带（31,32）。 两个电极（4,7）被介电材料薄层分开。 用于电极的金属具有低于5微欧姆·厘米的电阻率。 电极（4,7）由选自铁电和/或热电氧化物的电介质材料层分开。 介电材料层通过叠加不同组成的基本层来实现，并形成纳米层压结构，其中材料的化学计量从一层到另一层不同。 用于在电子微型部件上实现电容结构的方法（要求保护）在两个实施例中。 在第一实施例中，该方法包括以下步骤：在金属化层上方沉积第一金属层，在第一金属层之上沉积较小宽度的第二金属层，在两个金属层之上沉积一层聚合材料，重复三个 步骤，以获得形成第一电极的轴状结构，消除聚合材料层，在第一电极的所有表面上沉积电介质材料，以及沉积导电材料，插入第一电极的条之间，以便 形成第二电极。 在第二实施例中，该方法包括以下步骤：在金属化层之上沉积第一金属层，在金属层之上沉积聚合物材料层，重复两个步骤，以便获得由聚合物材料层隔开的一组金属层 在第一金属层上形成沟槽，将相同的金属沉积在沟槽中，以获得形成第一电极的轴状结构，消除聚合材料层，以及沉积导电材料，插入第一 电极，以形成第二电极。

公开(公告)号：EP1316974A1

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：EP02356231.7

申请日：2002-11-18

Applicant: Memscap

Inventor： Girardie, Lionel ,  David, Jean-Baptiste

IPC: H01F41/04 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53228 ,  H01F41/042 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer des composants électroniques incorporant un micro-composant inductif, disposé au dessus d'un substrat.
Un tel composant comporte :

une succession de couches (10,10a) de matériau à faible permittivité relative séparées par des couches de masque dur (12), la première couche de matériau à faible permittivité relative, reposant sur la face supérieure du substrat (1) ;
un ensemble de spires métalliques (30-31), définies au-dessus de la succession de couches (10, 10a) de matériau à faible permittivité relative ;
une couche (15) barrière à la diffusion du cuivre, interposée entre les spires métalliques (30-31) et la couche sous-jacente de matériau à faible permittivité relative.

Abstract translation: 通过在感应微元件的匝（30,31）之间蚀刻铜扩散阻挡层（15）来制造包含感应微元件的电子部件。 包括：（i）在衬底（1）上沉积具有低相对介电常数的材料层;（ⅰ）包含感应微元件的电子部件的制造包括： （ii）形成硬掩模的沉积层（12）; （iii）在硬掩模上垂直地在金属焊盘上方形成孔; （iv）将具有低相对介电常数的材料上的层蚀刻到金属焊盘上以形成互连孔或通孔; （v）沉积形成铜屏障扩散的层; （vi）沉积铜底漆层; （vii）沉积防护面罩并将其从通孔的底部移除; （viii）在通孔中电解沉积铜; （ix）（ix）去除保护面罩的其余部分; （x）沉积顶层抗蚀剂层，其厚度类似于电感微元件的匝数; （xi）蚀刻抗蚀剂层以形成限定感应微元件的匝几何形状的通道; （xii）在蚀刻通道中电解沉积层; （xiii）去除顶层抗蚀剂层的其余部分; （xiv）在铜匝之间蚀刻铜底漆层; （xv）蚀刻感应微元件之间的铜扩散阻挡层。

公开(公告)号：EP1119012A3

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：EP00311586.2

申请日：2000-12-21

Applicant: Memscap S.A.

Inventor： Hill, Edward A. ,  Mahadevan, Ramaswamy

IPC: H01H50/00

CPC classification number: H01H50/005 ,  H01H67/22 ,  H01H2001/0078 ,  H01H2036/0093

Abstract: A MEMS electrical cross-point switch is provided that includes a microelectronic substrate, a magnetic element attached to the microelectronic substrate that is free to move in a predetermined direction in response to a magnetic field and an electrical element connected to the magnetic element for movement therewith to selectively switch electric current. In one embodiment the magnetic element and the electrical element are connected via a tethering device that acts as a platform for the magnetic and electrical elements. The electrical cross-point switch may also comprise a clamping element that serves to lock the switch in an open or closed position to circumvent the magnetic actuation of the switch. In another embodiment, the invention provides for a MEMS electrical cross-point switching array that includes a microelectronic substrate, a magnetic field source in circuit with said microelectronic substrate, a plurality of first and second electrical lines disposed on the microelectronic substrate in an array formation, and a plurality of the in-plane MEMS electrical cross-point switches as described above disposed at the cross point of a first and second electrical line. In one embodiment the array is configured in a NxN or NxM array having a series of crossing first and second electrical load lines. In another configuration the array has a series of first electrical load lines that extend radially from a central point of reference and a series of second electrical load lines that extend outward, in spoke-like fashion, from the central point of reference.

公开(公告)号：EP1187149A1

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：EP01420186.7

申请日：2001-09-05

Applicant: Memscap

Inventor： Fedeli, Jean-Marc

IPC: H01F17/00 ,  H01F10/32

CPC classification number: B82Y25/00 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3286 ,  H01F17/0033

Abstract: Microcomposant inductif (1), tel que micro-inductance ou microtransformateur, comportant un bobinage métallique (2) ayant la forme d'un solénoïde, et un noyau magnétique (4) incluant un ruban en un matériau ferromagnétique, positionné au centre du solénoïde (2), caractérisé en ce que le noyau comporte au moins un ruban supplémentaire en un matériau ferromagnétique (13), séparé de l'autre ruban (12) par une couche de séparation (14) en un matériau amagnétique dont l'épaisseur est telle que les rubans (12,13) situés de part et d'autre de la couche de séparation (14) sont couplés antiferromagnétiquement.

Abstract translation: 微电感或微型变压器具有带有具有铁磁材料带（12）的磁芯（4）的金属线圈。 中心具有在非磁性材料中具有分离层（14）的铁磁材料中的辅助条（13）。 非磁性材料厚度使得两个铁磁条被反铁磁耦合。

公开(公告)号：FR2838868B1

公开(公告)日：2005-06-03

申请号：FR0204782

申请日：2002-04-17

Applicant: MEMSCAP

Inventor： GIRARDIE LIONEL

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L29/92 ,  H01G4/002 ,  G11C11/401

Abstract: A multilayer structure with strong relative permittivity is made up of a number of distinct layers each with a thickness of less than 500 Angstrom and made from a base of hafnium dioxide, zirconium dioxide and alumina. The hafnium dioxide, zirconium dioxide and alumina are formed from alloys with the formula HfxZrtAly)z and their stoichiometry varies from layer to layer. The structure is made up of at least five layers and at least one of the outer layers is made up of alumina. The layers are deposited by atomic layer deposition.

公开(公告)号：FR2837622B1

公开(公告)日：2005-03-25

申请号：FR0203442

申请日：2002-03-20

Applicant: MEMSCAP

Inventor： GIRARDIE LIONEL

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L29/92 ,  H01G4/002

Abstract: A multilayer structure with strong relative permittivity is made up of a number of distinct layers each with a thickness of less than 500 Angstrom and made from a base of hafnium dioxide, zirconium dioxide and alumina. The hafnium dioxide, zirconium dioxide and alumina are formed from alloys with the formula HfxZrtAly)z and their stoichiometry varies from layer to layer. The structure is made up of at least five layers and at least one of the outer layers is made up of alumina. The layers are deposited by atomic layer deposition.