SWITCH OPERATING DEVICE, MOBILE DEVICE AND METHOD FOR OPERATING A SWITCH BY A NON-TACTILE PUSH-GESTURE
    63.
    发明申请
    SWITCH OPERATING DEVICE, MOBILE DEVICE AND METHOD FOR OPERATING A SWITCH BY A NON-TACTILE PUSH-GESTURE 有权
    开关操作装置,移动装置以及通过非触发按钮操作开关的方法

    公开(公告)号:US20160154467A1

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:US14950036

    申请日:2015-11-24

    Applicant: Pyreos Ltd.

    Abstract: Switch operating device (100) with: a gesture sensor operating a switch (103) with a non-tactile push-gesture performed with a heat emitting part. The gesture has an approach phase (111) during which the part approaches the sensor, a waiting phase (113) during which the part remains proximate to the sensor, and a withdrawal phase (112) during which the part is moved away from the sensor. The sensor detects heat emitted by the part with at least one pixel and outputs per pixel a signal (51 to 54) with signal deflections (56, 57) corresponding to a temporal intensity curve of heat detected by the pixel while the gesture (115) is performed. A signal processing unit (101) which determines performance of the gesture from a temporal succession of signal deflections. An actuator (104) is controlled by the signal processing unit and operates the switch when the gesture is performed.

    Abstract translation: 使用具有以热发射部分执行的非触觉推动手势操作开关(103)的手势传感器来切换操作装置(100)。 手势具有接近阶段(111),在该阶段期间,部件接近传感器,等待阶段(113)期间零件保持靠近传感器,以及抽出阶段(112),在该阶段,部件被移动远离传感器 。 该传感器利用至少一个像素检测由该部件发出的热量,并且每个像素输出信号(51至54),信号偏转(56,57)对应于由像素检测到的热量的时间强度曲线,而手势(115) 被执行。 信号处理单元(101),其从信号偏转的时间连续性确定手势的性能。 致动器(104)由信号处理单元控制,并且在执行手势时操作开关。

    METHOD FOR PRODUCING A MICROSYSTEM HAVING PIXELS
    64.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A MICROSYSTEM HAVING PIXELS 有权
    用于生产具有像素的微结构的方法

    公开(公告)号:US20160149071A1

    公开(公告)日:2016-05-26

    申请号:US15011812

    申请日:2016-02-01

    Applicant: Pyreos Ltd.

    Abstract: A Method for producing a microsystem (1) with pixels includes: producing a thermal silicon oxide layer on the surface of a silicon wafer as a base layer (5) by oxidation of the silicon wafer; producing a silicon oxide thin layer on the base layer as a carrier layer (6)by thermal deposition; producing a platinum layer on the carrier layer by thermal deposition, whereby an intermediate product is produced; cooling the intermediate product to room temperature; pixel-like structuring of the platinum layer by removing surplus areas of the platinum layer, whereby bottom electrodes (8, 12) of the pixels (7, 8) are formed in pixel shape on the carrier layer in remaining areas; removing material on the side of the silicon wafer facing away from the base layer, so a frame (3) remains and a membrane (4) formed by the base layer and the carrier layer is spanned by the frame.

    Abstract translation: 一种用于制造具有像素的微系统(1)的方法包括:通过硅晶片的氧化在硅晶片的表面上形成作为基底层(5)的热氧化硅层; 通过热沉积在基底层上形成作为载体层(6)的氧化硅薄层; 通过热沉积在载体层上产生铂层,由此产生中间产物; 将中间产物冷却至室温; 通过去除铂层的剩余区域来形成铂层的像素结构,由此像素(7,8)的底部电极(8,12)以剩余区域中的载体层上的像素形状形成; 去除硅晶片背离基底层的材料,因此保留框架(3),并且由基底层和载体层形成的膜(4)被框架横跨。

    Infrared detection system having a small infrared detector and its manufacturing method, and the red-light detector

    公开(公告)号:JP2013501925A

    公开(公告)日:2013-01-17

    申请号:JP2012524160

    申请日:2010-05-21

    CPC classification number: G01J5/34 G01J1/46 G01J5/02 G01J5/022 G01J5/024 H01L37/02

    Abstract: 【課題】赤外光検出器と、赤外光検出器を製造するための方法と、省スペースを達成すると共に製造コスト面で有利な赤外光検出器を備えた赤外光検出システムを創出する。
    【解決手段】本発明の赤外光検出器は、焦電感受性材料から製造された薄層エレメント(5)を有し、電気絶縁体(27)を具備したセンサチップ(4)と、読み出し電子回路の一部を形成する薄層構造の少なくとも1電子部品(17、18)と、薄膜(2)とを備え、該薄膜にはセンサチップ(4)と電子部品(17、18)とが、電子部品(17、18)が薄層エレメント(5)と導電接続され、かつ、電子部品(17、18)と連携作用して、センサチップ(4)から出力された電気信号を増幅し得る信号増幅器(22)が電子部品(17、18)に接続可能であるようにして隣接統合され、マウントされている。 電子部品(17、18)が赤外光検出器に統合されて配置されているため省スペース構造を有し、別個の独立した読み出し電子回路が不要なのでコスト面で有利である。
    【選択図】図2

    Schalterbetätigungseinrichtung, mobiles Gerät und Verfahren zum Betätigen eines Schalters durch eine nicht-taktile Geste

    公开(公告)号:DE102014017585B4

    公开(公告)日:2017-08-24

    申请号:DE102014017585

    申请日:2014-11-27

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: Schalterbetätigungseinrichtung (11) zum Betätigen eines Schalters (10) durch acht mögliche Arten (3, 4, 31 bis 38) von nicht-taktilen Gesten, die mit einem Wärme emittierenden Teil auszuüben sind, mit einem Gestensensor (1), der eingerichtet ist beim Ausüben einer der Arten (3, 4, 31 bis 38) der Gesten vom Teil emittierte Wärme mittels vier Pixel (21 bis 24) zu detektieren und pro Pixel (21 bis 24), die jeweils einen Dünnfilm aus pyroelektrischem Material aufweisen, ein Signal (41 bis 44, 71 bis 74) mit einem Signalausschlag (48, 78) entsprechend dem zeitlichen Intensitätsverlauf der vom Dünnfilm des entsprechenden Pixels (21 bis 24) detektierten Wärme auszugeben, einer Signalauswerteeinheit (7), mit der aus dem zeitlichen Aufeinanderfolgen der Signalausschläge (48, 78) die Ausübung einer der Arten der Gesten ermittelbar ist, und einem Aktuator (9), der von der Signalauswerteeinheit (7) angesteuert wird und, sobald die Ausübung einer der Arten der Gesten ermittelt ist, den Schalter (10) betätigt, wobei die Arten (3, 4, 31 bis 38) der Geste von einer Annäherungsphase (3), bei der das Teil sich dem Gestensensor (1) annähert, einer darauffolgenden Wartephase (4), bei der das Teil in der Nähe des Gestensensors (1) verharrt, und einer darauffolgenden Translationsphase, bei der das Teil in eine von acht Richtungen sich bewegt, gebildet ist, wobei die vier einen Richtungen eine Längsrichtung (31), eine der Längsrichtung (31) entgegen gerichtete Richtung (32), eine Querrichtung (33), die im rechten Winkel zu der Längsrichtung (31) ist, und eine der Querrichtung (33) entgegen gerichtete Richtung (34) sind und die vier anderen Richtungen (35 bis 38) jeweils um 45° zu einer der ihr entsprechenden vier einen Richtungen (31 bis 34) gedreht sind, wobei die vier Pixel (21 bis 24) jeweils in einer der Ecken eines konvexen Vierecks angeordnet sind, dessen eine der Diagonalen (29) im Wesentlichen parallel zur Längsrichtung (31) und die andere Diagonale (28) im Wesentlichen parallel zur Querrichtung sind (33).

    Absorptionsspektrometer
    68.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102015117063A1

    公开(公告)日:2017-04-13

    申请号:DE102015117063

    申请日:2015-10-07

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Absorptionsspektrometer mit einer Basis (2), einem Träger (3), einem Lager (22) und einer Abstandsscheibe (4), wobei die Basis (2) ein Basisfenster (7) und eines von einer Lichtquelle (9) und einem Detektor (10) aufweist, der Träger (3) ein Trägerfenster (8) und das andere der Lichtquelle (9) und des Detektors (10) aufweist, und die Abstandsscheibe (4) eine ebene erste Seite (24), eine ebene zweite Seite (25), die parallel zu der ersten Seite (24) ist, und ein Durchgangsloch (26) aufweist, das sich von der ersten Seite (24) bis zu der zweiten Seite (25) erstreckt, wobei die Abstandsscheibe (4) derart angeordnet ist, dass ihre zweite Seite (25) mit einem der zwei Fenster (7, 8) kontaktiert und der Träger (3) in einer Richtung im Wesentlichen senkrecht zu beiden Fenstern (7, 8) mittels des Lagers (22) derart bewegbar ist, dass das andere der zwei Fenster (7, 8) mit der Abstandsscheibe (4) an ihrer ersten Seite (24) kontaktierbar ist, so dass ein Probenraum (23) von dem Durchgangsloch (26) gebildet ist und von den Fenstern (7, 8) und der Abstandsscheibe (4) begrenzt ist, so dass der Probenraum (4) geschlossen gebildet ist, wobei das mindestens eine der Fenster (7, 8) derart beweglich abgestützt ist, dass das Trägerfenster (8) parallel zu dem Basisfenster (7) ausgerichtet ist, wenn die zwei Fenster (8) die Abstandsscheibe (4) kontaktieren, um den Probenraum (23) abzudichten, wobei von der Lichtquelle (9) emittiertes Licht durch die Fenster (7, 8) und den Probenraum (23) passierbar ist und auf den Detektor (10) auftreffen kann, um die Absorption einer in dem Probenraum (23) angeordneten Probe zu messen.

    "> Schalterbetätigungseinrichtung, mobiles Gerät und Verfahren zum Betätigen eines Schalters durch eine nicht-taktile

    公开(公告)号:DE102014106680A1

    公开(公告)日:2014-11-27

    申请号:DE102014106680

    申请日:2014-05-12

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: Eine Schalterbetätigungseinrichtung (100) weist einen Gestensensor (1) zum Betätigen eines Schalters (103) durch eine nicht-taktile „Push“-Geste (115), die mit einem Wärme emittierenden Teil (114) auszuüben ist und von einer Annäherungsphase (111), bei der das Teil (114) sich dem Gestensensor (1) annähert, einer Wartephase (113), bei der das Teil (114) in der Nähe des Gestensensors (1) verharrt, und einer Rückzugsphase (112), bei der das Teil (114) vom Gestensensor (1) wegzubewegen ist, gebildet ist, wobei der Gestensensor (1) eingerichtet ist beim Ausüben der Geste (115) vom Teil (114) emittierte Wärme mittels mindestens einem einen Dünnfilm aus pyroelektrischem Material aufweisenden Pixel (21 bis 24) zu detektieren und pro Pixel (21 bis 24) ein Signal (51 bis 54) mit Signalausschlägen (56, 57) entsprechend dem zeitlichen Intensitätsverlauf der vom Pixel (21 bis 24) detektierten Wärme auszugeben, eine Signalauswerteeinheit (101), mit der aus dem zeitlichen Aufeinanderfolgen der Signalausschläge (56, 57) die Ausübung der Geste (115) ermittelbar ist, und einen Aktuator (104) auf, der von der Signalauswerteeinheit (101) angesteuert und, sobald die Ausübung der Geste (115) ermittelt ist, den Schalter (103) betätigt.

    Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilms aus Blei-Zirkonat-Titanat, elektronisches Bauteil mit dem Dünnfilm und Verwendung des Bauteils

    公开(公告)号:DE102011000752B3

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:DE102011000752

    申请日:2011-02-15

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen des Dünnfilms aus Blei-Zirkonat-Titanat in 111-orientierter Perovskit-Struktur weist die Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats mit einer Substrattemperatur von über 450°C und eines Blei-Targets, eines Zirkon-Targets und eines Titan-Targets; Aufbringen des Dünnfilms durch Sputtern von Blei, Zirkon und Titan von den jeweiligen Targets auf das Substrat, wobei die gesamte Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan größer als 10 nm/min ist, die Abscheiderate von Zirkon derart gewählt wird, dass die atomare Konzentration von Zirkon bezogen auf die atomare Konzentration von Zirkon zusammen mit Titan im Dünnfilm zwischen 0,2 und 0,3 liegt, und die Abscheiderate von Blei in Abhängigkeit der Substrattemperatur und der gesamten Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan so niedrig gewählt wird, dass ein Röntgendiffraktometerdiagramm des 111-orientierten Blei-Zirkonat-Titanats im Bereich des Beugungswinkels von 33 bis 35,5° einen signifikanten Spitzenwert (19) hat; und Fertigstelle des Dünnfilms.

Patent Agency Ranking