Abstract:
A switch actuating device for actuating a switch by eight types of non-tactile gestures performed with an object emitting heat includes a gesture sensor with four pixels configured to detect heat emitted by the object. The pixels include thin films made of pyroelectric sensitive material which generate a signal that has signal deflections corresponding to a temporal intensity curve of the heat detected by the thin film of the corresponding pixel. The types of the gestures are determined with a signal processing unit which controls an actuator to actuate the switch when a performance of one of the types of the gestures is determined. The gesture types are determined during an approach phase when the object approaches the gesture sensor, a waiting phase during when the object remains close to the gesture sensor, and a subsequent translational phase when the object moves in one of eight directions.
Abstract:
A method for producing a micro system, said method comprising: providing a substrate (2) made of aluminum oxide; producing a thin film (6) on the substrate (2) by depositing lead zirconate titanate onto the substrate (2) with a thermal deposition method such that the lead zirconate titanate in the thin film (6) is self-polarized and is present predominantly in the rhombohedral phase; and cooling down the substrate (2) together with the thin film (6).
Abstract:
Switch operating device (100) with: a gesture sensor operating a switch (103) with a non-tactile push-gesture performed with a heat emitting part. The gesture has an approach phase (111) during which the part approaches the sensor, a waiting phase (113) during which the part remains proximate to the sensor, and a withdrawal phase (112) during which the part is moved away from the sensor. The sensor detects heat emitted by the part with at least one pixel and outputs per pixel a signal (51 to 54) with signal deflections (56, 57) corresponding to a temporal intensity curve of heat detected by the pixel while the gesture (115) is performed. A signal processing unit (101) which determines performance of the gesture from a temporal succession of signal deflections. An actuator (104) is controlled by the signal processing unit and operates the switch when the gesture is performed.
Abstract:
A Method for producing a microsystem (1) with pixels includes: producing a thermal silicon oxide layer on the surface of a silicon wafer as a base layer (5) by oxidation of the silicon wafer; producing a silicon oxide thin layer on the base layer as a carrier layer (6)by thermal deposition; producing a platinum layer on the carrier layer by thermal deposition, whereby an intermediate product is produced; cooling the intermediate product to room temperature; pixel-like structuring of the platinum layer by removing surplus areas of the platinum layer, whereby bottom electrodes (8, 12) of the pixels (7, 8) are formed in pixel shape on the carrier layer in remaining areas; removing material on the side of the silicon wafer facing away from the base layer, so a frame (3) remains and a membrane (4) formed by the base layer and the carrier layer is spanned by the frame.
Abstract:
Schalterbetätigungseinrichtung (11) zum Betätigen eines Schalters (10) durch acht mögliche Arten (3, 4, 31 bis 38) von nicht-taktilen Gesten, die mit einem Wärme emittierenden Teil auszuüben sind, mit einem Gestensensor (1), der eingerichtet ist beim Ausüben einer der Arten (3, 4, 31 bis 38) der Gesten vom Teil emittierte Wärme mittels vier Pixel (21 bis 24) zu detektieren und pro Pixel (21 bis 24), die jeweils einen Dünnfilm aus pyroelektrischem Material aufweisen, ein Signal (41 bis 44, 71 bis 74) mit einem Signalausschlag (48, 78) entsprechend dem zeitlichen Intensitätsverlauf der vom Dünnfilm des entsprechenden Pixels (21 bis 24) detektierten Wärme auszugeben, einer Signalauswerteeinheit (7), mit der aus dem zeitlichen Aufeinanderfolgen der Signalausschläge (48, 78) die Ausübung einer der Arten der Gesten ermittelbar ist, und einem Aktuator (9), der von der Signalauswerteeinheit (7) angesteuert wird und, sobald die Ausübung einer der Arten der Gesten ermittelt ist, den Schalter (10) betätigt, wobei die Arten (3, 4, 31 bis 38) der Geste von einer Annäherungsphase (3), bei der das Teil sich dem Gestensensor (1) annähert, einer darauffolgenden Wartephase (4), bei der das Teil in der Nähe des Gestensensors (1) verharrt, und einer darauffolgenden Translationsphase, bei der das Teil in eine von acht Richtungen sich bewegt, gebildet ist, wobei die vier einen Richtungen eine Längsrichtung (31), eine der Längsrichtung (31) entgegen gerichtete Richtung (32), eine Querrichtung (33), die im rechten Winkel zu der Längsrichtung (31) ist, und eine der Querrichtung (33) entgegen gerichtete Richtung (34) sind und die vier anderen Richtungen (35 bis 38) jeweils um 45° zu einer der ihr entsprechenden vier einen Richtungen (31 bis 34) gedreht sind, wobei die vier Pixel (21 bis 24) jeweils in einer der Ecken eines konvexen Vierecks angeordnet sind, dessen eine der Diagonalen (29) im Wesentlichen parallel zur Längsrichtung (31) und die andere Diagonale (28) im Wesentlichen parallel zur Querrichtung sind (33).
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Absorptionsspektrometer mit einer Basis (2), einem Träger (3), einem Lager (22) und einer Abstandsscheibe (4), wobei die Basis (2) ein Basisfenster (7) und eines von einer Lichtquelle (9) und einem Detektor (10) aufweist, der Träger (3) ein Trägerfenster (8) und das andere der Lichtquelle (9) und des Detektors (10) aufweist, und die Abstandsscheibe (4) eine ebene erste Seite (24), eine ebene zweite Seite (25), die parallel zu der ersten Seite (24) ist, und ein Durchgangsloch (26) aufweist, das sich von der ersten Seite (24) bis zu der zweiten Seite (25) erstreckt, wobei die Abstandsscheibe (4) derart angeordnet ist, dass ihre zweite Seite (25) mit einem der zwei Fenster (7, 8) kontaktiert und der Träger (3) in einer Richtung im Wesentlichen senkrecht zu beiden Fenstern (7, 8) mittels des Lagers (22) derart bewegbar ist, dass das andere der zwei Fenster (7, 8) mit der Abstandsscheibe (4) an ihrer ersten Seite (24) kontaktierbar ist, so dass ein Probenraum (23) von dem Durchgangsloch (26) gebildet ist und von den Fenstern (7, 8) und der Abstandsscheibe (4) begrenzt ist, so dass der Probenraum (4) geschlossen gebildet ist, wobei das mindestens eine der Fenster (7, 8) derart beweglich abgestützt ist, dass das Trägerfenster (8) parallel zu dem Basisfenster (7) ausgerichtet ist, wenn die zwei Fenster (8) die Abstandsscheibe (4) kontaktieren, um den Probenraum (23) abzudichten, wobei von der Lichtquelle (9) emittiertes Licht durch die Fenster (7, 8) und den Probenraum (23) passierbar ist und auf den Detektor (10) auftreffen kann, um die Absorption einer in dem Probenraum (23) angeordneten Probe zu messen.
Abstract:
Eine Schalterbetätigungseinrichtung (100) weist einen Gestensensor (1) zum Betätigen eines Schalters (103) durch eine nicht-taktile „Push“-Geste (115), die mit einem Wärme emittierenden Teil (114) auszuüben ist und von einer Annäherungsphase (111), bei der das Teil (114) sich dem Gestensensor (1) annähert, einer Wartephase (113), bei der das Teil (114) in der Nähe des Gestensensors (1) verharrt, und einer Rückzugsphase (112), bei der das Teil (114) vom Gestensensor (1) wegzubewegen ist, gebildet ist, wobei der Gestensensor (1) eingerichtet ist beim Ausüben der Geste (115) vom Teil (114) emittierte Wärme mittels mindestens einem einen Dünnfilm aus pyroelektrischem Material aufweisenden Pixel (21 bis 24) zu detektieren und pro Pixel (21 bis 24) ein Signal (51 bis 54) mit Signalausschlägen (56, 57) entsprechend dem zeitlichen Intensitätsverlauf der vom Pixel (21 bis 24) detektierten Wärme auszugeben, eine Signalauswerteeinheit (101), mit der aus dem zeitlichen Aufeinanderfolgen der Signalausschläge (56, 57) die Ausübung der Geste (115) ermittelbar ist, und einen Aktuator (104) auf, der von der Signalauswerteeinheit (101) angesteuert und, sobald die Ausübung der Geste (115) ermittelt ist, den Schalter (103) betätigt.
Abstract:
Ein Verfahren zum Herstellen des Dünnfilms aus Blei-Zirkonat-Titanat in 111-orientierter Perovskit-Struktur weist die Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats mit einer Substrattemperatur von über 450°C und eines Blei-Targets, eines Zirkon-Targets und eines Titan-Targets; Aufbringen des Dünnfilms durch Sputtern von Blei, Zirkon und Titan von den jeweiligen Targets auf das Substrat, wobei die gesamte Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan größer als 10 nm/min ist, die Abscheiderate von Zirkon derart gewählt wird, dass die atomare Konzentration von Zirkon bezogen auf die atomare Konzentration von Zirkon zusammen mit Titan im Dünnfilm zwischen 0,2 und 0,3 liegt, und die Abscheiderate von Blei in Abhängigkeit der Substrattemperatur und der gesamten Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan so niedrig gewählt wird, dass ein Röntgendiffraktometerdiagramm des 111-orientierten Blei-Zirkonat-Titanats im Bereich des Beugungswinkels von 33 bis 35,5° einen signifikanten Spitzenwert (19) hat; und Fertigstelle des Dünnfilms.