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公开(公告)号：CN117690975A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311098309.4
申请日：2023-08-29
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明提供包含防止氢侵入沟道区域的氢捕获区域的半导体器件。半导体器件包含：氧化物绝缘层；氧化物绝缘层之上的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的、氧化物绝缘层及氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的栅电极；和覆盖栅电极的、栅极绝缘层及栅电极之上的保护绝缘层，栅极绝缘层包含与栅电极重叠的第1区域、和与栅电极不重叠并与保护绝缘层相接的第2区域，氧化物绝缘层包含与栅电极重叠的第3区域、和与栅电极及所述氧化物半导体层不重叠并与栅极绝缘层相接的第4区域，氧化物半导体层的源极区域及漏极区域以及第2区域包含杂质，第2区域的氢浓度大于第1区域的氢浓度。
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公开(公告)号：CN117374127A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310816771.7
申请日：2023-07-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/10 , H01L29/04
Abstract: 本发明涉及半导体装置。其课题在于提供含有氧化物半导体层的半导体装置，所述氧化物半导体层包含经充分低电阻化的源极区域及漏极区域。半导体装置包含设置于绝缘表面上的、具有多晶结构的氧化物半导体层、设置于氧化物半导体层之上的栅电极、和设置于氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层，氧化物半导体层包含与栅电极重叠且具有第1晶体结构的第1区域、以及不与栅电极重叠且具有第2晶体结构的第2区域，第2区域的电导率大于前述第1区域的电导率，第2晶体结构与第1晶体结构相同。
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公开(公告)号：CN116895534A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310260264.X
申请日：2023-03-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。本发明的解决方式在于，半导体器件的制造方法，其中，在基板上形成氧化物半导体层，在前述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层，在前述栅极绝缘层上形成以铝为主成分的氧化金属层，在前述栅极绝缘层上形成有前述氧化金属层的状态下进行热处理，在前述热处理之后，将前述氧化金属层除去，在前述栅极绝缘层上形成栅电极。前述栅电极可以以与通过前述氧化金属层被除去而露出的前述栅极绝缘层相接的方式形成。
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公开(公告)号：CN116895533A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310259938.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。本发明的解决方式在于，半导体器件的制造方法中，在基板上形成以铝为主成分的第1氧化金属层，在前述第1氧化金属层上形成氧化物半导体层，在前述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层，在前述栅极绝缘层上形成以铝为主成分的第2氧化金属层，在前述栅极绝缘层上形成有前述第2氧化金属层的状态下进行热处理，在前述热处理之后，将前述第2氧化金属层除去，在前述栅极绝缘层上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN114582979A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111367388.5
申请日：2021-11-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , G09G3/3233
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其提高包含使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和第1金属层，其与所述氧化物半导体层接触，并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107527954B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201710324502.3
申请日：2017-05-10
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有：氧化物半导体层；氧化物半导体层的上方的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于第1绝缘层上，包含铝层，经由第1开口部电连接于氧化物半导体层；阻挡层，将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及阻挡层上的有机绝缘层。
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公开(公告)号：CN111584499A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010081137.X
申请日：2020-02-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。
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公开(公告)号：CN107017210A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611252352.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/51 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/511
Abstract: 根据本实施方式，薄膜晶体管具备第1绝缘膜、设置在上述第1绝缘膜之上的氧化物半导体层、设置在上述氧化物半导体层之上的第2绝缘膜，上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的至少一方具有与上述氧化物半导体层接触的第1区域、和比上述第1区域更远离上述氧化物半导体层的第2区域，上述第2区域具有比上述第1区域高的氩浓度。
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公开(公告)号：CN207381400U
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201721172053.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 株式会社日本显示器
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/134363 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , G03F7/00 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02675 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L27/1274 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66969 , H01L29/78675 , H01L29/78693 , H01L2227/323
Abstract: 本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置，显示装置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102)，在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105)，在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。
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公开(公告)号：CN212569365U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021144125.9
申请日：2020-06-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L27/32 , G01S17/89 , G01V8/10
Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，在其基片之上，多条扫描线(11)相互平行地在第一方向上延伸，多条信号线(12)相互平行地在作为与上述第一方向交叉的方向的第二方向上延伸，在由上述扫描线(11)和上述信号线(12)包围的区域配置有第一电极(115)，上述第一电极(115)是通过将由第一氧化物半导体(103)构成的第一TFT和由第二氧化物半导体(103)构成的第二TFT串联连接而成的结构来控制的，上述第一氧化物半导体(103)和上述第二氧化物半导体(103)隔开间隔地配置。根据本实用新型，在使用基于氧化物半导体的TFT的半导体器件中，能够防止因杂质等的影响而使TFT发生导通不良。
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