公开(公告)号：KR101026796B1

公开(公告)日：2011-04-04

申请号：KR1020030030198

申请日：2003-05-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동범 ,  이수경 ,  강명구 ,  정의진 ,  김현재

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명에 따른 표시 장치용 표시판은 절연 기판, 기판 위에 형성되어 있으며 일정하게 반복되는 톱니 모양의 결정립을 가지는 다결정 규소층, 다결정 규소층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선 위에 형성되어 있는 제1 층간 절연막, 제1 층간 절연막 위에 형성되어 있는 데이터선 및 드레인 전극, 데이터선 위에 형성되어 있는 제2 층간 절연막, 제2 층간 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하고, 다결정 규소층은 결정의 성장 방향에 따라 Y축으로 성장한 결정, Y축에 대해서 소정 각도 기울어진 결정이 교번하여 형성되어 있다.
다결정 규소, 순차적 측면 결정화 공정

公开(公告)号：KR1020110023743A

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020100076557

申请日：2010-08-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 장성철 ,  김원익 ,  김현재 ,  김성경 ,  윤철식

IPC: H04B7/26 ,  H04W68/02

CPC classification number: H04W68/00 ,  H04W84/045 ,  H04L5/0082

Abstract: PURPOSE: A low-duty mode operating method in a femto cell base station is provided to reduce interference between a base station and the femto cell base station and quickly scan the femto cell base station in a mobile terminal. CONSTITUTION: A femto cell base station(100) comprises a base station using the same frequency. A wireless communication system includes a femto cell base station and a macro cell base station(500). Each base station manages a cell region. A terminal transmits data by accessing the base station. The femto cell base station is operated in a low-duty mode.

Abstract translation: 目的：提供毫微微小区基站中的低负载模式操作方法，以减少基站与毫微微小区基站之间的干扰并快速扫描移动终端中的毫微微小区基站。 构成：毫微微小区基站（100）包括使用相同频率的基站。 无线通信系统包括毫微微小区基站和宏小区基站（500）。 每个基站管理小区区域。 终端通过访问基站来发送数据。 毫微微小区基站在低负载模式下操作。

公开(公告)号：KR1020100136413A

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：KR1020100053075

申请日：2010-06-04

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 김원익 ,  차재선 ,  장성철 ,  임광재 ,  김현재 ,  김성경 ,  윤철식

IPC: H04W88/08 ,  H04W52/02 ,  H04B7/155 ,  H04W8/00 ,  H04W84/04

CPC classification number: H04W52/0206 ,  H04W8/005 ,  H04W84/045 ,  Y02D70/1226 ,  H04W88/08 ,  H04B7/155

Abstract: PURPOSE: A management device of a base station, a method and a terminal thereof are provided to scan the around base station according to the previously agreed LDM pattern in the terminal while the base station is operated in LDM. CONSTITUTION: If a terminal MS(Mobile Station) in an active state does not exist in femto cell, a femto BS(Base Station) performs a LDM(Low Duty operation Mode)(S601, S602). The femto base station transmits the LDM initiation and LDM information to an adjacent base station through backhaul(S610). The adjacent base station broadcasts or unicasts the LDM information to a terminal(S620). The terminal scans the femto base station operated in the LDM through the LDM information(S630).

Abstract translation: 目的：提供基站的管理设备，方法和终端，以便在基站在LDM中操作时，根据终端中先前约定的LDM模式扫描周围的基站。 构成：如果在毫微微小区中不存在处于活动状态的终端MS（移动台），则毫微微BS（基站）执行LDM（低占空运算模式）（S601，S602）。 毫微微基站通过回程向邻近基站发送LDM起始和LDM信息（S610）。 相邻基站向终端广播或单播LDM信息（S620）。 终端通过LDM信息扫描在LDM中操作的毫微微基站（S630）。

公开(公告)号：KR100997971B1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：KR1020030082222

申请日：2003-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수경 ,  김현재 ,  강명구

IPC: G02F1/13

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는, 우선, 절연 기판의 상부에 비정질 규소 박막을 형성하고, 투과 영역의 슬릿을 가지는 다결정용 마스크를 이용하여 레이저빔을 국부적으로 조사하는 순차적 고상 결정 공정으로 비정질 규소 박막을 결정화하여 다결정 규소 박막을 형성한다. 이어, 슬릿이 반투과막으로 이루어져 레이저빔의 에너지를 조절할 수 있는 마스크를 이용한 순차적 고상 결정으로 다결정 규소 박막의 표면을 재결정화한다. 이어, 다결정 규소 박막을 패터닝하여 반도체층을 형성하고, 반도체층을 덮는 게이트 절연막을 형성한 다음, 반도체층의 게이트 절연막의 상부에 게이트 전극을 형성한다. 이어, 반도체층에 불순물을 주입하여 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 소스 및 드레인 영역을 형성하고, 소스 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극을 각각 형성한 다음, 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
다결정, 고상결정, 마스크, 레이저, 슬릿, 투과율

公开(公告)号：KR1020100118959A

公开(公告)日：2010-11-08

申请号：KR1020100040148

申请日：2010-04-29

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 김원익 ,  장성철 ,  김현재 ,  김성경 ,  차재선 ,  윤철식 ,  안지환

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04B7/15507 ,  H04B7/155 ,  H04W36/0061

Abstract: PURPOSE: A method for configuring a list of adjacent base stations is provided to reset a base station adjacent to a specific base station according to scanning information of the base station adjacent to the specific base station, thereby reducing not detection probability between base stations. CONSTITUTION: A base station adjacent to the first base station among base stations is determined according to location information about the first base station to which an SON(Self-Organizing Network) controller is added. The controller generates a candidate list about the adjacent base stations(S105). The base station determines the base station adjacent to the first base station according to the first scanning information for a base station in the candidate list. The controller generates the first adjacent base station list for the adjacent base station(S113).

Abstract translation: 目的：提供一种用于配置相邻基站列表的方法，用于根据与该特定基站相邻的基站的扫描信息来复位与特定基站相邻的基站，从而降低基站之间的检测概率。 构成：根据添加有SON（自组织网络）控制器的第一基站的位置信息来确定基站之间与第一基站相邻的基站。 控制器生成关于相邻基站的候选列表（S105）。 基站根据候选列表中的基站的第一扫描信息来确定与第一基站相邻的基站。 控制器产生相邻基站的第一相邻基站列表（S113）。

公开(公告)号：KR1020100097457A

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020090016404

申请日：2009-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재호 ,  최정달 ,  김현재 ,  오현실

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C16/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/30

Abstract: PURPOSE: A flash memory device, a programming method thereof, and a memory system including the same are provided to improve the boosting efficiency of a program prohibition cell by applying a pass voltage to a first word line and local voltage to first and second word lines. CONSTITUTION: A local voltage is applied to a first unselected word line(S110). The local voltage is applied to a second unselected word line(S120). A pass voltage is applied to the first unselected word line(S130). The first unselected word line is positioned between the selected word line and a selected line. A second unselected word line is positioned between the first selected word line is positioned between the first unselected word line and the selected line. When the local voltage is applied to the first unselected word line, the pass voltage is applied to the selected word line.

Abstract translation: 目的：提供一种闪速存储器件及其编程方法以及包括该闪速存储器件的存储器系统，以通过向第一和第二字线施加通过电压至第一字线和局部电压来提高程序禁止单元的升压效率 。 构成：本地电压施加到第一未选字线（S110）。 局部电压施加到第二未选字线（S120）。 向第一未选字线施加通过电压（S130）。 第一个未选择的字线位于所选字线和所选行之间。 第二未选择字线位于第一所选字线之间，位于第一未选择字线和所选行之间。 当本地电压施加到第一未选择字线时，将通过电压施加到所选择的字线。

公开(公告)号：KR1020100064319A

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020090082083

申请日：2009-09-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 조승권 ,  김영일 ,  채수창 ,  문영진 ,  이용수 ,  박지수 ,  오정훈 ,  차재선 ,  김현재

IPC: H04W48/08 ,  H04L27/26

Abstract: PURPOSE: Even if MS(Mobile Station) receives a map IE(Information Element) which nibble is not arranged, a map analyzing device and a map analyzing method performs map analyzing method in a nibble unit, thereby securing the consumption time of a physical layer by a reduce of map analyzing time. CONSTITUTION: A delay unit(130) outputs lower three bits among four bits forming one nibble as delay bit by a delay. A combination unit(140) generates a plurality of nibble data comprising four bits by combination of delay bit of a current bit and the delay unit of a memory unit(120). A multiplexing unit(150) outputs one from a plurality of nibble data as nibble array map data. A map analyzing unit(160) analyzes the nibble array map data in a nibble unit.

Abstract translation: 目的：即使MS（Mobile Station）接收到没有配置半字节的映射IE（Information Element），地图分析装置和地图分析方法也进行半字节单位的地图分析方法，从而确保物理层的消耗时间 通过减少地图分析时间。 构成：延迟单元（130）在四位中输出低位三位，形成一个作为延迟位的一个半字节延迟。 组合单元（140）通过组合当前位的延迟位和存储器单元（120）的延迟单元来生成包括四位的多个半字节数据。 复用单元（150）从多个半字节数据中输出一个作为半字节阵列映射数据。 地图分析单元（160）以半字节单元分析半字节阵列地图数据。

公开(公告)号：KR100885013B1

公开(公告)日：2009-02-20

申请号：KR1020020000179

申请日：2002-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명구 ,  김현재 ,  강숙영 ,  정우석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 액정 표시 장치에 관한 것으로, 구동회로부의 크기를 증가시키지 않고서도 각 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 균일하게 하기 위하여, 적어도 일부분이 결정립의 성장 방향에 교차하는 방향을 가지는 게이트 전극을 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는, 절연 기판 위에 결정립이 성장하여 형성된 다결정 규소의 박막으로 이루어진 반도체 패턴이 형성되어 있는데, 이 반도체 패턴은 채널 영역과 채널 영역의 양쪽에 위치하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하고 있다. 이러한 반도체 패턴을 게이트 절연막이 덮고 있다. 게이트 절연막 위에는 적어도 일부가 결정립의 성장 방향과 교차하는 방향을 가지는 게이트 전극이 채널 영역에 중첩한다. 또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 데이터 구동회로부 또는 게이트 구동회로부를 구성하는 다수개의 박막 트랜지스터는 순차적 측면 고상 결정화법에 의하여 형성된 다결정 규소의 박막으로 형성되고, 게이트 전극의 적어도 일부가 결정립의 성장 방향과 교차하는 방향을 가지고 있으며, 다수개의 박막 트랜지스터 중 적어도 하나는 다른 박막 트랜지스터와 게이트 전극의 패턴이 다르다.
순차적 측면 고상 결정화법, 다결정 규소, 결정립 성장 방향, 채널

公开(公告)号：KR100796755B1

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：KR1020010059317

申请日：2001-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강명구 ,  김현재 ,  신경주 ,  강숙영

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법에서는, 우선 기판의 상부에 비정질 규소를 적층하고 패터닝하여 비정질 규소 박막을 형성한다. 이어, 박막 트랜지스터의 채널 영역을 정의하며 산화 규소와 같이 레이저의 투과율을 증가시킬 수 있는 저반사 코팅막을 비정질 규소 박막의 상부에 형성한다. 이어, 비정질 규소 박막에 레이저빔을 조사하여 완전 용융 영역을 형성한 다음 그레인을 성장시키는 순차적 측면 고상 결정 공정을 진행하여 다결정 규소의 반도체층을 형성한다. 이렇게 하면 레이저 마스크를 포함하는 광학계 및 이를 이동하기 위한 스테이지가 없이도 순차적 측면 고상 결정 공정을 진행할 수 있어 제조 공정을 단순화 할 수 있으며, 전면적으로 박막 트랜지스터의 채널 영역을 균일한 결정립계로 형성할 수 있다. 이어, 게이트 절연막을 형성한 다음, 반도체층의 채널 영역 상부에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극을 마스크로 하여 반도체층에 불순물을 이온 주입하여 소스 및 드레인 영역을 형성한다. 이어, 소스 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극을 형성한다.
다결정, 순차적고상결정, 반사방지코팅, 반사막, 레이저

公开(公告)号：KR100788902B1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：KR1020060122911

申请日：2006-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 오정훈 ,  김현재 ,  김영일

IPC: G06F7/50 ,  G06F7/52

CPC classification number: H04L9/0631 ,  H04L2209/12

Abstract: A MixColumn block device and a multiplication method using the same are provided to be applied to a small and low power portable device with a simple structure while increasing an encryption performance by including an AES block algorithm. A storing part(210) stores bit data as a byte unit and outputs stored byte data. A first multiplication block(220) outputs a multiplied result by performing [01] and [02] multiplication, which is a hexadecimal value of an input byte received from the storing part. A second multiplication block(230) outputs the multiplied result by performing [01], [02], and [03] multiplication, which is the hexadecimal value, with the result of the [01] and [02] multiplication. An XOR unit(240) outputs an output byte for the input byte by performing XOR operation for the result of the [01], [02], and [03] multiplication.

Abstract translation: 提供了MixColumn块装置和使用它们的乘法方法，以便通过包括AES块算法在增加加密性能的同时以简单的结构应用于小型和低功率便携式装置。 存储部（210）将位数据存储为字节单位，并输出存储的字节数据。 第一乘法块（220）通过执行从存储部分接收的输入字节的十六进制值的[01]和[02]乘法来输出相乘的结果。 第二乘法块（230）通过执行[01]和[02]乘法的结果来执行[01]，[02]和[03]乘法，即十六进制值，输出相乘结果。 XOR单元（240）通过对[01]，[02]和[03]乘法的结果执行异或运算来输出输入字节的输出字节。