公开(公告)号：KR1019940007469A

公开(公告)日：1994-04-27

申请号：KR1019920016746

申请日：1992-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈

IPC: F24F11/06

Abstract: 본 발명은 공기조화기에 있어서, 실외온도가 저온인 상태에서 난방운전시, 실외열교환기에서 불충분하게 열교환된 냉매를 히터로서 가열하여 충분한 열교환 작용이 이루어지게 함과 아울러, 열교환된 액체냉매를 기체냉매로 전환하여 액체냉매가 압축기로 유입되는 것을 방지함으로써 난방효율을 향상시킬 수 있도록 한 것임.

公开(公告)号：KR1019940002568A

公开(公告)日：1994-02-17

申请号：KR1019920012827

申请日：1992-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈

IPC: F24F11/00

Abstract: 본 발명은 공기조화기의 실내기에서 토출되는 찬공기와 실내의 따뜻한 공기로 인하여 실내기측 토출부에 발생 되는 결로현상을 압축기의 운전주파수가 소정 운전주파수 이상이고 실내기팬 풍량이 소정값 이상일때, 압축기의 운전주파수를 소정의 운전주파수로 하여 소정시간 동안 유지시키고, 상기 소정시간동안 압축기의 운전 주파수가 임의의 소정 운전주파수 보다 작게 되거나 소정의 풍량 이상이 되면 소정의 운전주파수를 운전주파수로 변환함으로서 냉방효율에 영향을 주지않고 상기 결로현상은 제거할수 있도록 한것임.

公开(公告)号：KR1019930018231A

公开(公告)日：1993-09-21

申请号：KR1019920003009

申请日：1992-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈

IPC: F24F11/00

Abstract: 본 발명은 공기조화기에 있어서, 실내기측에서 감지되는 실온과 설정온도와의 온도차를 연산하여 이온도차로 실외기측의 압축의 운전주파수를 결정하고, 이결정된 운전주파수는 송수신제어장치를 통해서 신축하게 실외기측 압축기에 전달하여 운전주파수를 신속히 제어함으로써, 불필요한 운전주파수 지연으로인한 공기조화효율을 저하 방지시킬수 있음은 물론, 불필용한 압축기 과구동으로인한 소비전력을 낭비하게 되는것을 방지할수 있도록 한것임.

公开(公告)号：KR2019890021530U

公开(公告)日：1989-11-02

申请号：KR2019880006342

申请日：1988-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈

IPC: G05D23/19

公开(公告)号：KR2019890012150U

公开(公告)日：1989-07-15

申请号：KR2019870020057

申请日：1987-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈

IPC: H05B6/12

公开(公告)号：KR1020170002055A

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020150091946

申请日：2015-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박진형 ,  김연주 ,  김인환 ,  김전중 ,  박경필 ,  안정훈 ,  이상철 ,  이준녕 ,  이효선

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266

Abstract: 배선구조물형성방법에서, 제2 방향으로연장되는제1 부분, 및제2 방향과교차하는제1 방향으로연장되어제1 부분과연통하는제2 부분을갖는제1 개구를포함하는제1 마스크를제작한다. 제1 개구의제1 부분에적어도부분적으로오버랩되는제2 개구, 및제1 개구의제2 부분에각각적어도부분적으로오버랩되는복수의제3 개구들을포함하도록설계된제2 마스크의제2 개구를확장하여제1 개구의제1 및제2 부분들의경계영역에적어도부분적으로오버랩되는제4 개구를포함하도록제2 마스크를제작한다. 기판상에형성된층간절연막상에제작된제1 및제2 마스크들을사용하여층간절연막을식각함으로써, 제4 개구및 제3 개구들에각각대응하는제1 비아홀(via hole) 및제2 비아홀들을층간절연막하부에형성하고, 제1 개구에대응하며제1 및제2 비아홀들에연통하는트렌치를층간절연막상부에형성한다. 제1 및제2 비아홀들, 및트렌치를각각채우는제1 및제2 비아들(vias), 및배선을형성하다.

Abstract translation: 在形成布线结构的方法中，形成具有第一开口的第一掩模，第一开口包括沿第二方向延伸的第一部分和沿第一方向延伸的第二部分。 设计了包括与第一开口的第一部分重叠的第二开口和与第一开口的第二部分重叠的第三开口的第二掩模。 通过扩大第二开口将第二掩模制造成包括第四开口。 第四开口与第一开口的第一和第二部分之间的边界重叠。 使用第一和第二掩模蚀刻绝缘中间层，以形成对应于第四和第三开口的第一和第二通孔以及对应于第一开口的沟槽。 形成第一和第二通孔和布线以填充第一和第二通孔和沟槽。

公开(公告)号：KR1020160136715A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：KR1020150070626

申请日：2015-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정일 ,  안정훈 ,  김전중 ,  박철용

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 반도체장치는제2 방향을따라배치된제1 및제2 셀영역들및 제1 및제2 영역들사이에배치된파워레일영역을포함하는기판, 기판의파워레일영역상에형성되어제2 방향과교차하는제1 방향으로제1 거리만큼서로이격된복수개의제1 콘택플러그들, 제1 콘택플러그들상면에공통적으로접촉하는제1 비아, 및제1 비아상에형성된파워레일을포함하며, 파워레일은상기제1 비아및 상기제1 콘택플러그들을통해제1 및제2 셀영역들에공통적으로전압을공급한다.

Abstract translation: 半导体器件可以包括衬底，多个第一接触插塞，第一通孔和电源轨。 衬底可以包括第一和第二电池区域和电力轨道区域。 第一和第二单元区域可以设置在第二方向上，并且电力轨道区域可以设置在第一和第二区域之间。 多个第一接触插塞可以形成在基板的动力轨道区域上，并且可以在与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开第一距离。 第一通孔可以通常接触第一接触插塞的顶表面。 电源轨可以形成在第一通孔上。 电源轨可以通过第一通孔和第一接触插头为第一和第二电池区域提供电压。

公开(公告)号：KR1020160136062A

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：KR1020150069754

申请日：2015-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김전중 ,  김영배 ,  김종삼 ,  박진형 ,  안정훈 ,  오혁상 ,  이경우 ,  이효선 ,  장숙희

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/088

Abstract: 배선구조물은기판, 기판상에형성된하부절연막, 하부절연막내에형성된하부배선, 하부배선을커버하며금속유전성물질을포함하는제1 식각저지막, 제1 식각저지막및 하부절연막상에형성된제2 식각저지막, 상기제2 식각저지막상에형성된층간절연막, 및상기층간절연막, 상기제2 식각저지막및 상기제1 식각저지막을관통하여상기하부배선과전기적으로연결되는도전패턴을포함한다.

Abstract translation: 布线结构包括衬底，衬底上的下绝缘层，下绝缘层中的下布线，覆盖下布线并包括金属电介质材料的第一蚀刻停止层，第一蚀刻停止层 蚀刻停止层和下绝缘层，在第二蚀刻停止层上的绝缘中间层，以及延伸穿过绝缘中间层，第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下部绝缘层的导电图案 接线。

公开(公告)号：KR1020070018580A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：KR1020050073410

申请日：2005-08-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈 ,  이용준 ,  구자응

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684

Abstract: 반도체 소자의 배선 형성 방법이 제공된다. 반도체 소자의 배선 형성 방법은 하부 배선층의 상부에 금속-절연체-금속 커패시터를 형성하는 단계, 금속-절연체-금속 커패시터를 덮도록 하부 배선층의 상부에 금속간 절연막을 형성하는 단계, 금속-절연체-금속 커패시터의 프로파일이 반영된 상면을 구비하도록 금속간 절연막을 부분적으로 평탄화하는 단계, 및 부분적으로 평탄화 된 금속간 절연막 내에 금속-절연체-금속 커패시터의 하부 전극 및 상부 전극에 다마신 배선을 형성하는 단계를 포함한다.
금속-절연체-금속 캐패시터, 다마신 배선

公开(公告)号：KR100641364B1

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：KR1020050006848

申请日：2005-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈 ,  신헌종

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 스크라이브 라인(Scribe-Line)들 및 그 형성방법들을 제공한다. 이 라인들 및 그 형성방법들은 반도체 후 공정(後 工程)을 위해서 반도체 기판에 절단 작업을 수행하는 동안 반도체 기판 상에 형성되는 물리적 충격 및 크랙(Crack)을 최소화할 수 있는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 반도체 기판 상에 하부막이 배치된다. 상기 하부막 상에 몰딩막을 형성한다. 상기 몰딩막은 적어도 하나의 보호 콘택홀을 갖는다. 계속해서, 상기 보호 콘택홀을 채우도록 몰딩막 상에 유전막 및 상부막을 차례로 형성한다. 상기 유전막은 몰딩막보다 기계적 강도가 큰 물질이다. 상기 상부막 상에 보호막 패턴들이 배치된다.
스크라이브 라인, 반도체 후 공정, 반도체 기판, 절단 작업.

Abstract translation: 提供划线和形成它们的方法。 这些线及其形成方法提出了一种方法，用于在半导体衬底上进行后半导体工艺的切割操作期间最小化在半导体衬底上形成的物理冲击和裂纹。 为此，在半导体衬底上设置下部膜。 在下膜上形成模塑膜。 模制膜具有至少一个保护接触孔。 随后，在模塑膜上顺序形成电介质膜和上膜，以填充保护接触孔。 介电膜是具有比模塑膜更高的机械强度的材料。 并且保护膜图案设置在上部膜上。