公开(公告)号：KR1020010086625A

公开(公告)日：2001-09-15

申请号：KR1020000007122

申请日：2000-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서전석 ,  조한구

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A layer insulating film flatness method for a semiconductor memory device is provided to obtain a layer insulating film of a flat topology with a small stepped difference by removing the layer insulating film by a suitable quantity in a cell array region and its peripheral region. CONSTITUTION: A photoresist film(160) is selectively exposed using a photo mask(200) in which a transmission region(202) is defined for exposing only cell array region of a semiconductor substrate. A range of the transmission region(202) is defined by a shading pattern(210) and an intensive adjustment pattern(220) in the photo mask(200). The shading pattern(210) is formed by a chrome film. The intensive adjustment pattern(220) exposes only an adjacent region(170) to a portion in which a stepped difference of a layer insulating film(150) is sharply generated using a n adjusted optical transmission ratio.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体存储器件的层间绝缘膜平坦度方法，通过在电池阵列区域及其外围区域中去除合适的量的层间绝缘膜，获得具有小阶梯差的平面拓扑结构的层绝缘膜。 构成：使用光掩模（200）选择性地曝光光致抗蚀剂膜（160），其中限定了透射区域（202）以仅暴露半导体衬底的单元阵列区域。 传输区域（202）的范围由光掩模（200）中的阴影图案（210）和强调调整图案（220）限定。 遮光图案（210）由铬膜形成。 密集调整图案（220）仅使用n调节光传输比将相邻区域（170）暴露于其中层间绝缘膜（150）的阶梯差急剧产生的部分。

公开(公告)号：KR1019980082920A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970018026

申请日：1997-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경희 ,  조한구

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 투과광의 세기 저하를 보상하는 포토마스크의 결함 수정 방법에 관한 것으로, 포토마스크 기판과, 상기 포토마스크 기판상에 형성된 광차단막과, 상기 광차단막상에 광투과 영역과 광차단 영역을 정의하여 형성된 콘택 패턴들을 포함하고, 상기 포토마스크 기판상에는 정상 콘택 패턴과 비정상 콘택 패턴이 함께 형성되어 있고, 상기 비정상 콘택 패턴은 상기 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 좁은 광투과 영역을 갖는다. 이 때, 상기 비정상 콘택 패턴의 일측 광차단막을 식각하여 상기 정상 콘택 패턴의 광투과 영역보다 상대적으로 넓은 광투과 영역을 갖도록 한다. 이와 같은 방법에 의해서, 오패크 결함을 갖는 비정상 패턴을 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 더 넓은 콘택 패턴이 되도록 수정함으로써 포토마스크 기판 손상에 따른 투과광의 세기 저하를 보상할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980075139A

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019970011253

申请日：1997-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한구

IPC: H01L21/02

Abstract: 반도체장비에 대해 개시한다. 본 발명에 의한 장비는 전자 빔을 포커싱하기 위한 렌즈, 및 포커싱 된 빔을 굴절시키기 위한 굴절시스템을 구비하는 반도체장비에 있어서, 상기 굴절시스템은 8개의 원통형의 쇼트 전극으로 구성된 전향장치를 n개 시리즈 형식으로 배열하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서, 기존 전향장치 보다 훨씬 작은 수차를 가지는 빔 스팟 사이즈를 얻을 수가 있다.

公开(公告)号：KR1019980011691A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960029874

申请日：1996-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한구

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1019970049066A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950067021

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한구

IPC: G03F7/20

Abstract: 전자빔 노광장비를 이용한 노광공정에 있어서, 포토마스크 상의 어드레스 사이즈(address size) 및 빔 스팟 사이즈(beam spot size)를 인자로 하여 유도한 강도 함수에 의거하여 균일한 패턴을 얻을 수 있는 최적 노광 조건을 결정한 방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 가우시간 빔 에너지 분포를 가지는 전자빔 노광 장치를 이용하여 xy 평면상에 균일한 패턴을 노광하기 위한 최적의 노광 조건을 결정하는 방법에 있어서, 마스크 상의 어드레스 사이즈와 빔 스팟 사이즈를 포함하는 인자와 소정의 경계 조건으로부터 가우시간 분포에 의거한 강도의 함수 및 그 미분 함수를 유도하는 단계, 및 패턴의 경계면에서 강도 함수의 변화량(@) 및 미분함수(
k I/
K X 및
K I/
K Y)이 작은 값으로부터 적정 노광조건을 결정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 우수한 패턴 균일도 및 에지 프로파일을 얻을수 있는 최적의 노광 조건을 결정할 수 있으며, 노광 공정에 소요되는 시간을 절약할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120010046A

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：KR1020100071605

申请日：2010-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  나혜섭 ,  정칠희 ,  조한구

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0388 ,  G02B5/208 ,  G02B5/22 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A coating composition for filtering deep ultraviolet ray, and a photo-resist pattern forming method a semiconductor device manufacturing method using the same are provided to precisely form micro patterns. CONSTITUTION: A coating composition for filtering deep ultraviolet ray includes 100 parts by weight of a solvent and 0.05-5 parts by weight of coating polymer. The solvent contains a first solvent which is an alcoholic solvent. The degree of absorption of the polymer to incident light of 194nm of wavelengths is more than or equal to 50%/um. A photo-resist pattern forming method includes the following: a first layer(110) is formed on a substrate(190) based on a photo-resist composition for extreme ultraviolet ray; a second layer(120) is formed on the first layer based on the coating composition; the first layer and the second layer are exposed through an exposure mask(130); the first layer and the second layer are developed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于过滤深紫外线的涂料组合物和使用其的半导体器件制造方法的光致抗蚀剂图案形成方法，以精确地形成微图案。 构成：用于过滤深紫外线的涂料组合物包括100重量份的溶剂和0.05-5重量份的涂料聚合物。 溶剂含有作为醇溶剂的第一溶剂。 聚合物对194nm波长的入射光的吸收度大于或等于50％/ um。 光刻胶图形形成方法包括以下步骤：基于用于极紫外线的光致抗蚀剂组合物，在基板（190）上形成第一层（110） 基于涂料组合物在第一层上形成第二层（120）; 第一层和第二层通过曝光掩模（130）曝光; 开发第一层和第二层。

公开(公告)号：KR1020090003941A

公开(公告)日：2009-01-12

申请号：KR1020070067748

申请日：2007-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황찬 ,  조한구 ,  이석주

IPC: H01L21/027 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F1/144 ,  G06F17/50

Abstract: The method of creating the mask layout image, the computer readable media including a sequence of programmed instructions stored thereon for creating the same and the imaging system are provided to obtain the mask layout pattern having the high fidelity. A part or the entire target image transferred on the substrate is readable. The mask data set including a plurality of pixels is defined. A plurality of pixels has the predetermined penetration characteristic. The weighting function having the value in the critical range is defined. The convolution kernel defined with the illumination system is defined. By the weighting function and convolution kernel are applied. The mask layout image minimizing the image fitting function is generated.

Abstract translation: 提供了创建掩模布局图像的方法，包括存储在其上用于创建掩模布局图像的程序指令序列的计算机可读介质和成像系统，以获得具有高保真度的掩模布局图案。 在基板上转印的部分或全部目标图像是可读的。 定义包括多个像素的掩模数据集。 多个像素具有预定的穿透特性。 定义具有临界范围内值的加权函数。 定义了用照明系统定义的卷积核。 通过加权函数和卷积核应用。 生成最小化图像拟合功能的掩模布局图像。

公开(公告)号：KR1020080067132A

公开(公告)日：2008-07-18

申请号：KR1020070004324

申请日：2007-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이숙 ,  이석주 ,  강율 ,  조한구

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

Abstract: A method for forming a pattern of a semiconductor device and a forming apparatus thereof are provided to form a uniform pattern of the semiconductor device by removing an acid caused by an exposure process. A photoresist layer is formed by coating a photoresist on a substrate(S10). A selective exposure process is performed to expose selectively a pattern region of the photoresist layer(S20). A selective deprotecting reaction process for the photoresist of the pattern region is selectively performed by applying solar energy to the photoresist layer(S30,S40). A developing process is performed to remove the pattern region(S50). The photoresist is a chemically amplified resist. The solar energy applies the active energy of the deprotecting reaction process to the photoresist.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体器件的图案的方法及其形成装置，以通过除去由曝光处理引起的酸而形成半导体器件的均匀图案。 通过在基板上涂布光致抗蚀剂来形成光致抗蚀剂层（S10）。 执行选择性曝光处理以选择性地曝光光致抗蚀剂层的图案区域（S20）。 通过向光致抗蚀剂层施加太阳能来选择性地执行用于图案区域的光致抗蚀剂的选择性脱保护反应方法（S30，S40）。 执行显影处理以去除图案区域（S50）。 光致抗蚀剂是化学放大抗蚀剂。 太阳能将去保护反应过程的活性能应用于光致抗蚀剂。

公开(公告)号：KR1020080055385A

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：KR1020060128673

申请日：2006-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영창 ,  서성수 ,  김상욱 ,  조한구 ,  이석주 ,  이숙 ,  이성우 ,  전용진

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/144

Abstract: A mask structure is provided to easily and quickly compensate the thickness of the mask structure by including a main pattern having transmission and auxiliary patterns. A main pattern(102) has a first transmission. The main pattern includes first sides that are perpendicular with each other. Auxiliary patterns(104,106) have a second transmission higher than the first transmission. The auxiliary patterns include second sides and third sides. The second sides are in parallel with first sides facing each other among the first sides of the main pattern. The third sides are perpendicular with the second sides. The second sides have the same length as the first sides. The first transmission is 0.1 to 0.3. Second auxiliary patterns have a third transmission. The first sides of the auxiliary patterns include fourth sides and fifth sides. The fourth sides are in parallel with the remaining first sides facing each other among the first sides of the main patterns. The fifth sides are perpendicular with the fourth sides.

Abstract translation: 提供掩模结构以通过包括具有透射和辅助图案的主图案来容易且快速地补偿掩模结构的厚度。 主图案（102）具有第一透射。 主图案包括彼此垂直的第一面。 辅助模式（104,106）具有比第一传输更高的第二传输。 辅助图案包括第二面和第三面。 第二面与主图案的第一面之间彼此面对的第一面平行。 第三面与第二面垂直。 第二面具有与第一面相同的长度。 第一次传输是0.1到0.3。 第二辅助图案具有第三传输。 辅助图案的第一面包括第四面和第五面。 第四面与主图案的第一面中彼此面对的剩余第一面平行。 第五面与第四面垂直。

公开(公告)号：KR100818999B1

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：KR1020060097972

申请日：2006-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정성곤 ,  여기성 ,  이영미 ,  조한구

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/70 ,  G03F1/36 ,  G03F1/144 ,  G03F1/68

Abstract: A method for fabricating a mask is provided to form a mask data pattern for an SADP(self-align double patterning) process with improved reliability by performing an SADP emulation based on a layout and an SADP emulation based on an image. A second mask data pattern for embodying a first mask data pattern is designed. A first emulation pattern expected from the second mask data pattern is formed by emulation. A second emulation pattern expected from the first emulation pattern is formed by using SADP emulation(S410). A pattern in which the first and second emulation patterns overlap each other is compared with the first mask pattern, and a mask layer corresponding to the second mask data pattern according to the result of the comparison. In the comparison process, a conflict point in which an overlap pattern of the first and second emulation patterns doesn't match the first mask data pattern can be found and classified.

Abstract translation: 提供了一种用于制造掩模的方法，以通过基于基于图像的布局和SADP仿真执行SADP仿真来形成具有提高的可靠性的SADP（自对准双图案化）处理的掩模数据图案。 设计了用于实现第一掩模数据模式的第二掩模数据模式。 通过仿真形成从第二掩模数据模式预期的第一仿真模式。 通过使用SADP仿真形成从第一仿真模式预期的第二仿真模式（S410）。 将第一和第二仿真图案彼此重叠的图案与第一掩模图案和根据比较结果对应于第二掩模数据图案的掩模层进行比较。 在比较处理中，可以找到并分类其中第一和第二仿真模式的重叠模式与第一掩模数据模式不匹配的冲突点。