公开(公告)号：KR1020140088680A

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：KR1020130000484

申请日：2013-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한준원 ,  김재현 ,  김태훈 ,  이호근 ,  정유정 ,  최정식

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/14 ,  B32B7/06 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T428/1476 ,  Y10T428/2839 ,  H01L2924/00014

Abstract: According to a method of manufacturing a semiconductor package, a first adhesive layer is formed on a wafer including a plurality of first semiconductor chips, first conductive bumps electrically connected to the first semiconductor chips, and plugs electrically connected to the first conductive bumps. A release layer and a second adhesive layer are formed on a supporting substrate. The wafer is attached to the supporting substrate through the first adhesive layer and the second adhesive layer. Second conductive bumps of second semiconductor chips are electrically connected to the plugs by attaching the second semiconductor chips to the wafer. The supporting substrate is separated from the wafer along the release layer. Since the release layer is located at the supporting substrate spaced apart from the conductive bumps, the conductive bumps may be prevented from being damaged in a process of separating the supporting substrate from the wafer.

Abstract translation: 根据制造半导体封装的方法，在包括多个第一半导体芯片的晶片上形成第一粘合层，与第一半导体芯片电连接的第一导电凸块和与第一导电凸块电连接的插头。 在支撑基板上形成剥离层和第二粘合剂层。 晶片通过第一粘合剂层和第二粘合剂层附着到支撑基底上。 第二半导体芯片的第二导电凸块通过将第二半导体芯片附接到晶片而与插头电连接。 支撑衬底沿着剥离层与晶片分离。 由于剥离层位于与导电凸块间隔开的支撑基板处，因此可以防止在将支撑基板与晶片分离的过程中导电凸块被损坏。

公开(公告)号：KR1020090013994A

公开(公告)日：2009-02-06

申请号：KR1020070078188

申请日：2007-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조윤정 ,  이정호 ,  조준현 ,  류승민 ,  조규철 ,  최정식

IPC: H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07F5/006 ,  C07F5/069 ,  C23C16/20 ,  Y10T428/24331

Abstract: An organometallic precursor, method of forming a thin film using the same is provided to reduce intermolecular interaction of organometallic precursors by adding polarizability reduction amine-based ligand into organometallic precursor. An organometallic precursor includes a core metal, borohydride around the core metal and polarizability reduction amine-based ligand. A thin film of the semiconductor device is formed on the substrate by proving an organometallic precursor on the substrate and disassembling organometallic precursor. The polarizability reduction amine-based ligand comprises amine or the nonaromatic heterocyclic the amine, which comprises the C2-C10 alkyl group and the cycloalkyl radical or the aromatic hydrocarbon group.

Abstract translation: 提供了一种有机金属前体，使用其形成薄膜的方法，以通过将极性降低的胺基配体加入到有机金属前体中来减少有机金属前体的分子间相互作用。 有机金属前体包括核心金属，核心金属周围的硼氢化物和极化率还原胺基配体。 通过在基板上证明有机金属前体并拆卸有机金属前体，在基板上形成半导体器件的薄膜。 极性降低胺基配体包括胺或非芳族杂环胺，其包含C 2 -C 10烷基和环烷基或芳族烃基。

公开(公告)号：KR100829539B1

公开(公告)日：2008-05-16

申请号：KR1020070036401

申请日：2007-04-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조준현 ,  이정호 ,  조윤정 ,  최정식 ,  류승민

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517

Abstract: A method of manufacturing a thin film comprising a metal oxide which is crystallized in the deposition step by using a noble alkoxide-based organometallic precursor, and which has excellent capacitance and good leakage current characteristics is provided, a method of manufacturing a gate structure comprising a gate insulating film made of the metal oxide is provided, and a method of manufacturing a capacitor comprising a dielectric film made of the metal oxide is provided. A method of manufacturing a thin film containing metal-aluminum-oxide comprises the steps of: providing on an upper part of a substrate(10) an organometallic precursor having a vapor pressure of 0.5 to 6 torr at a temperature of 65 to 95 deg.C as a first reaction material, the organometallic precursor being represented by the formula, where A is an aromatic ring compound or a hetero ring compound with at least 4 carbon atoms, M is titanium(Ti), zirconium(Zr) or hafnium(Hf), and the R is an alkyl group with 1 to 5 carbon atoms; chemically adsorbing a first part(12) of the first reaction material onto the substrate, and physically adsorbing a second part(14) of the first reaction material onto the substrate; introducing an oxidizer comprising oxygen onto an upper part of the substrate; chemically reacting the first part of the first reaction material with the oxidizer to form a first solid material containing metal-oxide on the substrate; introducing an organoaluminum precursor as a second reaction material onto an upper part of the first solid material; chemically adsorbing a first part of the second reaction material onto the first solid material, and physically adsorbing a second part of the second reaction material onto the first solid material; introducing an oxidizer onto an upper part of the first solid material; and chemically reacting the first part of the second reaction material with the oxidizer to form a second solid material containing aluminum-oxide on the first solid material.

Abstract translation: 提供了一种制造薄膜的方法，该薄膜包括金属氧化物，其通过使用贵金属醇盐系有机金属前体在沉积步骤中结晶，并且具有优异的电容性和良好的漏电流特性。一种制造栅极结构的方法，包括： 提供了由金属氧化物制成的栅极绝缘膜，并且提供了制造包括由金属氧化物制成的电介质膜的电容器的方法。 制造含有金属 - 氧化铝的薄膜的方法包括以下步骤：在65至95℃的温度下，在基底（10）的上部设置蒸气压为0.5至6托的有机金属前体。 C作为第一反应材料，有机金属前体由下式表示，其中A为芳族环化合物或具有至少4个碳原子的杂环化合物，M为钛（Ti），锆（Zr）或铪（Hf ），R为碳原子数1〜5的烷基。 将第一反应材料的第一部分（12）化学吸附到基底上，并将第一反应材料的第二部分（14）物理吸附到基底上; 将包含氧的氧化剂引入到所述基底的上部; 使第一反应材料的第一部分与氧化剂发生化学反应，以在基底上形成含有金属氧化物的第一固体材料; 将作为第二反应材料的有机铝前体引入第一固体材料的上部; 将所述第二反应材料的第一部分化学吸附到所述第一固体材料上，并将所述第二反应材料的第二部分物理吸附到所述第一固体材料上; 将氧化剂引入第一固体材料的上部; 并且使所述第二反应材料的第一部分与所述氧化剂化学反应，以在所述第一固体材料上形成含有氧化铝的第二固体材料。

公开(公告)号：KR100829608B1

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：KR1020060083075

申请日：2006-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조윤정 ,  이정호 ,  조준현 ,  류승민 ,  조규철 ,  최정식

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C8/80 ,  C23C4/123 ,  C23C8/02

Abstract: 박막 제조 방법 및 이를 이용한 게이트 구조물, 커패시터의 제조 방법이 개시되어 있다. 박막 제조 방법에 따르면, 60 내지 95℃의 온도로 가열되어 1 Torr 내지 5torr의 포화 증기압을 가지며 하기 화학식으로 표기되는 유기금속 전구체를 기판의 상부로 제공한다. 이어서, 유기금속 전구체를 산화시키기 위한 산소를 포함하는 산화제를 기판의 상부로 제공한다. 이후 상기 기판의 상부로 제공된 상기 유기금속 전구체와 상기 산화제를 화학 반응시킨다. 그 결과 금속-산화물을 포함하는 박막이 형성된다. 상기 박막은 게이트 구조물의 게이트 절연막, 커패시터의 유전막 등에 용이하게 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080033561A

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：KR1020060099110

申请日：2006-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진희 ,  손병우 ,  최정식 ,  정원덕 ,  진혜영

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/22 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/823418

Abstract: A substrate doping method is provided to prevent the conventional problems previously caused by fluorine by performing ion implantation to a semiconductor substrate surface as a plasma method using a doping gas containing carbon and boron. A semiconductor substrate containing silicon is loaded into a process chamber(S100). A doping gas containing carbon and boron is supplied into the process chamber(S110). The doping gas is ionized and excited to a plasma state(S120). Carbon ions and boron ions are injected under the surface of the semiconductor substrate(S130). At this time, the boron ions functions as a hole, and the carbon ions restrict the diffusion of the boron ions. Thus, concentration of the boron is kept uniformly, and the electrical property is improved.

Abstract translation: 提供了一种衬底掺杂方法，以通过使用含有碳和硼的掺杂气体作为等离子体方法，通过对半导体衬底表面进行离子注入来防止先前由氟引起的常规问题。 含有硅的半导体衬底被加载到处理室（S100）中。 含有碳和硼的掺杂气体被供应到处理室（S110）中。 掺杂气体被电离并激发到等离子体状态（S120）。 在半导体衬底的表面下方注入碳离子和硼离子（S130）。 此时，硼离子充当空穴，碳离子限制硼离子的扩散。 因此，硼的浓度保持均匀，并且电性能得到改善。

公开(公告)号：KR1020080020114A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020060083075

申请日：2006-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조윤정 ,  이정호 ,  조준현 ,  류승민 ,  조규철 ,  최정식

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C8/80 ,  C23C4/123 ,  C23C8/02

Abstract: A method for manufacturing a thin film, methods for fabricating a gate structure and a capacitor using the same are provided to improve the throughput of a process and step coverage characteristics by using an organic metal precursor for fabricating the thin film containing a metal oxide. An organic metal precursor is provided on a substrate(10). The organic metal precursor has a chemical formula of R3-N=M(N(R1)(R2))2. The organic metal precursor is heated at temperature of 60 to 95 ‹C in a case to have a vapor pressure of 1 Torr to 5 Torr. An oxidizing agent(16) containing oxygen for oxidizing the organic metal precursor is provided over the substrate. The organic metal precursor provided over the substrate is reacted with the oxidizing agent to form a thin film having a metal oxide on a surface of the substrate. The organic metal precursor is (t-BuN)Hf(N(CH3)(C2H5))2 or (t-BuN)Zr(N(CH3)(C2H5))2. The organic metal precursor is provided together with a carrier gas selected from a group consisting of argon gas, nitrogen gas, and helium gas.

Abstract translation: 提供一种制造薄膜的方法，用于制造栅极结构的方法和使用其的电容器，以通过使用用于制造含有金属氧化物的薄膜的有机金属前体来提高工艺的通过量和阶梯覆盖特性。 在基板（10）上设置有机金属前体。 有机金属前体具有R3-N = M（N（R1）（R2））2的化学式。 在有蒸气压为1乇至5乇的情况下，将有机金属前体在60至95℃的温度下加热。 在该基板上设置含氧氧化有机金属前体的氧化剂（16）。 提供在衬底上的有机金属前体与氧化剂反应以在衬底的表面上形成具有金属氧化物的薄膜。 有机金属前体是（t-BuN）Hf（N（CH3）（C2H5））2或（t-BuN）Zr（N（CH3）（C2H5））2。 有机金属前体与选自氩气，氮气和氦气的载体一起提供。

公开(公告)号：KR100712521B1

公开(公告)日：2007-04-30

申请号：KR1020050069139

申请日：2005-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정정희 ,  이종철 ,  최재형 ,  최정식 ,  오세훈 ,  유차영

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02181 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/91

Abstract: 본 발명은 금속-절연체-금속(Metal-insulator-metal: MIM) 커패시터의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 MIM 커패시터의 제조 방법은 반도체 기판상에 콘택 플러그를 구비하는 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 층간 절연막 상에 식각 정지막을 형성하는 단계, 상기 식각 정지막 상에 상기 콘택 플러그를 노출시키는 개구부를 포함하는 몰드막을 형성하는 단계, 상기 개구부의 측면 및 저면에 하부 전극용 제 1 도전막을 형성하는 단계, 상기 제 1 도전막 상에 감광막을 형성하는 단계, 상기 제 1 도전막으로부터 노드 분리된 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 몰드막 및 상기 감광막을 제거하는 단계, 상기 하부 전극 상에 복합 유전막을 형성하는 단계, 및 상기 복합 유전막 상에 제 2 도전막을 형성하여 상부 전극을 완성하는 단계를 포함한다. 상기 복합 유전막은 산화하프늄(HfO
2 ) 유전막 및 산화알루미늄(Al
2 O
3 ) 유전막으로 형성되며, 산화하프늄 유전막은 20Å 초과 50Å 미만의 두께를 갖는다. 산화알루미늄 유전막은 소정의 커패시터의 용량을 얻기 위해 설정된 등가 산화 유전막(Toex)의 실두께에서 상기 산화하프늄 유전막의 두께를 뺀 두께로 형성된다.
금속-절연체-금속 커패시터, 하프늄 산화막

公开(公告)号：KR1020070011784A

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020050066346

申请日：2005-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기석 ,  이석민 ,  김봉현 ,  최정식 ,  이광영 ,  강성호 ,  김대옥

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/67069

Abstract: An aging method of a dry etching apparatus is provided to shorten an aging process time for embodying the normal number of particles and etch rate by sufficiently depositing reaction byproducts on the inner wall of an etch chamber within a short interval of time. A test wafer having a processed layer is loaded into a chamber of a dry etching apparatus(S121). Etch gas of a plasma state is supplied to the inside of the chamber to etch the processed layer(S124). An etch process using the etch gas is performed on the processed layer for a time interval of 30~200 minutes to form a reaction byproduct layer on the wafer(S126). The reaction byproduct layer is separated from the wafer, and a heat treatment is performed on the wafer to deposit the separated reaction byproduct on the inner wall of the chamber. In the process for forming the reaction byproduct layer, an etch process performed for a time interval of 15 minutes or more is carried out at least twice.

Abstract translation: 提供了干蚀刻装置的老化方法，以通过在短时间内充分沉积在蚀刻室内壁上的反应副产物来缩短体现正常数量的颗粒和蚀刻速率的老化处理时间。 将具有处理层的测试晶片装载到干蚀刻设备的室中（S121）。 将等离子体状态的蚀刻气体供应到室的内部以蚀刻处理层（S124）。 使用蚀刻气体的蚀刻工艺在处理层上进行30〜200分钟的时间间隔，以在晶片上形成反应副产物层（S126）。 将反应副产物层与晶片分离，并对晶片进行热处理，以将分离的反应副产物沉积在室的内壁上。 在形成反应副产物层的方法中，进行15分钟或更长时间间隔的蚀刻工艺至少进行两次。

公开(公告)号：KR100611115B1

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020040026502

申请日：2004-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정호 ,  조준현 ,  최정식 ,  이동준

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283

Abstract: 단차부를 평탄화시키는 특성이 우수한 동시에 보이드가 없는 스핀온글래스 조성물과 이를 이용한 실리콘 산화막 형성 방법에 따르면, 상면 상에 형성된 단차부를 가지는 반도체 기판 상에 구조식이 -(SiH
2 NH)
n -(식 중, n은 양의 정수이다)이고, 중량 평균 분자량이 3,300 내지 3,700인 폴리실라잔을 포함하는 스핀온글래스 조성물을 도포하여 평탄한 스핀온글래스 막을 형성한다. 스핀온글래스 막을 경화하여 평탄한 실리콘 산화막으로 전환시킨다.

公开(公告)号：KR100605831B1

公开(公告)日：2006-07-31

申请号：KR1019990031728

申请日：1999-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정식

IPC: H04M3/22

Abstract: 본 발명은 교환시스템에서의 유지보수 관리기능에 관한 것으로, 특히 운용자가 지정한 장애/상태 메세지 발생시에 경보표시부를 구동제어하기 위한 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 경보표시부의 구동을 필요로 하는 메세지들을 지정하여 다수의 정보와 함께 입력받는 메세지 지정과정과, 상기 지정된 메세지 발생시 상기 경보표시부의 구동을 제어하기 위한 타이머를 생성하는 타이머 생성과정과, 상기 메세지 지정시 함께 입력된 구동시간동안만 상기 경보표시부의 구동을 요구하는 경보표시부 구동요구과정으로 이루어짐으로써, 장애 혹은 상태메세지 발생시에도 경보 메세지 발생시와 동일하게 경보표시부가 온/오프되는 특징이 있다.
장애/상태 메세지, 경보, 타이머, 메세지 지정.