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公开(公告)号：KR102235041B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140016081A
申请日：2014-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 소자의 제조하는 방법을 제공한다. 반사 방지막 상에 감광성 및 리플로우 특성을 갖는 중성막을 형성하고, 중성막을 노광 및 현상하여, 반사 방지막을 부분적으로 노출시키는 예비 중성 패턴을 형성하고, 예비 중성 패턴을 가열하여 중성 패턴을 형성하며, 중성 패턴 상에 블록 코폴리머막을 형성한 후 블록 코폴리머막을 가열하여, 노출된 반사 방지막 상에 제1 패턴과, 중성 패턴 상에 제1 패턴에 공유 결합된 제2 패턴을 포함하는 블록 코폴리머 패턴을 형성한다.
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公开(公告)号：KR102233334B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140050742A
申请日：2014-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C25D3/30
CPC classification number: C25D3/32 , C25D5/022 , C25D5/505 , C25D7/123 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0381 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11502 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/81191 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2924/0105
Abstract: 도금된 범프(bump)의 결정립(grain) 사이즈를 감소시켜 반도체 장치의 신뢰성을 개선할 수 있는 주석 도금액을 제공하는 것이다. 상기 주석 도금액은 가용성 주석 전극으로부터 공급되는 주석 이온, 탄소수 1 내지 10인 지방족 술폰산, 산화 방지제, 습윤제(wetting agent), 및 방향성 카보닐 화합물(Aromatic Carbonyl Compound)인 결정 성장 억제제(grain refiner)을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2023013992A1
公开(公告)日：2023-02-09
申请号：PCT/KR2022/011198
申请日：2022-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 주식회사 비에스테크닉스 , 인탑스 주식회사
Abstract: 일 실시 예의 전자 장치는, 안착부 및 배선 홈이 마련되는 사출물, 배선 홈에 도금되는 도금 배선 및 안착부에 실장되고 도금 배선과 전기적으로 연결되는 전자 소자를 포함하고, 도금 배선은 사출물의 외부 영역에 도금되어 증착된 구조를 가지며 전자 소자는, 도금 배선 상에 디스펜싱(dispensing)된 솔더 페이스트에 의하여 사출물에 실질적으로 직접 실장될 수 있다. 이 외에 다양한 실시 예들이 가능할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170065276A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020150171507
申请日：2015-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0619 , G06F3/0653 , G06F3/0679 , G06F11/00
Abstract: 비휘발성메인메모리시스템의페이지폴트처리방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따르면, 발생된상기페이지폴트에기초하여, 상기페이지폴트의발생패턴을분석하는단계, 상기분석에기초하여, 연속적으로처리되는페이지수를설정하는단계, 및상기페이지폴트의발생시, 상기설정된페이지수만큼의페이지를연속적으로처리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性主存储器系统的页面错误处理方法。 根据本发明，所产生的页错误的基础上，分析所述页面错误的发生模式的基础上的一个实施例中，所述分析包括以下步骤：要被连续地处理设定的页数，和所述页面错误 并在页面生成时依次处理设定页数的页面。
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公开(公告)号：KR1020150101875A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020140023715
申请日：2014-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/0002 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/32139
Abstract: 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 미세 패턴 형성 방법은 기판 상에 상분리 가이드층을 형성하는 단계와, 상기 상분리 가이드층 상에 중성층을 형성하는 단계와, 상기 중성층 상에 복수의 제1 개구부가 형성된 제1 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 패턴을 변화시켜, 상기 복수의 제1 개구부 각각의 폭보다 좁은 폭을 가지는 복수의 제2 개구부를 가지는 제2 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 중성층의 노출 부분을 식각하여, 상기 상분리 가이드층의 일부를 노출시키는 복수의 가이드 패턴이 형성된 중성 패턴을 형성하는 단계와, 상기 중성 패턴의 상면이 노출되도록 상기 제2 패턴을 제거하는 단계와, 상기 복수의 가이드 패턴을 통해 노출된 상기 상분리 가이드층과 상기 중성 패턴 위에 블록 공중합체를 포함하는 물질층을 형성하는 단계와, 상기 상분리 가이드층과 상기 중성 패턴 위에 상기 블록 공중합체의 상분리 결과물인 제1 블록 및 제2 블록을 포함하는 미세 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及根据本发明的技术思想的一个方面形成精细图案的方法，其包括：在基底上形成相分离引导层的步骤; 在相分离引导层上形成中性层的步骤; 形成在中性层上具有第一开口部的第一图案的步骤; 通过改变第一图案形成具有比第一开口部分窄的第二开口部分的第二图案的步骤; 通过使用第二图案作为蚀刻掩模来蚀刻中性层的曝光部分的步骤，以及形成具有引导图案的中性图案，该引导图案暴露一部分相分离引导层; 去除第二图案以暴露中性图案的上表面的步骤; 在由引导图案和中性图案露出的相分离层上形成包含嵌段共聚物的材料层的步骤; 在相分离层和中性图案上形成包含通过嵌段共聚物的相分离形成的第一和第二嵌段的微图案层的步骤。
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公开(公告)号：KR1020150066151A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020130151342
申请日：2013-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/0337 , C08F297/026 , C08L53/00 , G03F7/0002 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/76816
Abstract: 블록공중합체의정제방법에있어서, 제1 고분자유닛과상기제1 고분자유닛보다친수성이높은제2 고분자유닛이공중합되어합성되는블록공중합체및 흡착제를포함하는혼합용액을제조한다. 블록공중합체가흡착된흡착제를추출한다. 흡착제로부터블록공중합체를분리시킨다. 분리된블록공중합체를수집한다. 흡착제를사용하여불순물을제거함으로써고순도의블록공중합체를수집할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种纯化嵌段共聚物的方法，包括以下步骤：制备通过聚合第一聚合物单元和亲水性高于第一聚合物单元的第二聚合物单元合成的吸收剂和嵌段共聚物的混合溶液 ; 提取其上吸附嵌段共聚物的吸收剂; 从吸收剂中分离嵌段共聚物; 收集分离的嵌段共聚物; 并使用吸附剂除去杂质，从而收集高纯度的嵌段共聚物。
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公开(公告)号：KR1020150048388A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：KR1020130128352
申请日：2013-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/7684 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/311 , H01L21/76898 , H01L23/5226 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/1134 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 반도체장치의제조방법에있어서, 기판을부분적으로관통하는관통전극구조물을형성한다. 상기기판을부분적으로제거하여상기관통전극구조물의일부를노출시킨다. 감광성유기절연물질을포함하며상기노출된관통전극구조물을커버하는보호막을상기기판상에형성한다. 상기보호막을경화시킨다. 상기관통전극구조물이노출될때까지상기경화된보호막을평탄화한다. 상기노출된관통전극구조물과접촉하는패드구조물을형성한다. 이에따라, 상기보호막을고가의설비없이도용이하게형성할수 있고, 또한단일막으로형성할수도있다. 그러므로상기패드구조물형성단계를최소화할수 있어공정단순화및 공정효율상승의장점을가질수 있다.
Abstract translation: 半导体器件的制造方法形成通过基板的贯通电极结构部分。 通过部分去除衬底来暴露通孔电极结构的一部分。 在基板上形成包括感光性有机绝缘材料并覆盖曝光的通过电极结构的保护膜。 保护膜硬化。 硬化的保护膜被平坦化，直到通电极结构暴露。 形成与暴露的通过电极结构接触的焊盘结构。 因此，可以容易地形成保护膜，而不需要高价格的设备，并且可以形成为单一膜。 此外，简化了工艺，并且通过最小化形成步骤的焊盘结构来提高工艺效率。
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公开(公告)号：KR1020150047856A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020130127854
申请日：2013-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체기판과캐리어를부착시키는접착제로, 실록산(Siloxane)을포함하는폴리머를포함하는접착제를제거하는세정액을제공하는것이다. 상기세정액은하기화학식으로표현되는제1 산화제를포함하는세정액:(화학식) 상기화학식에서 A는수산화기, 할로겐, 알킬기및 아릴기중 하나이다.
Abstract translation: 提供了一种用于消除将半导体衬底附着到载体上的含有硅氧烷聚合物的粘合剂的清洁溶液。 清洗液是含有以化学式表示的第一氧化剂的洗涤液。 化学式中的A是羟基，卤素，烷基和芳基中的一个。
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