公开(公告)号：KR100246856B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019960035140

申请日：1996-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 합금으로 이루어진 소오스/드레인 전극을 갖는 액정표시소자용 박막트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에서는 소오스/드레인 전극을 Mo, Ta, Ti, W, Zr, Hf, Co, Pt, Pd로 이루어진 그룹으로부터 선택된 두 가지 금속 또는 세 가지 금속들의 합금으로 형성한다.
이러한 본 발명이 달성되는 경우, 최종 완성되는 소오스/드레인 전극은 우수한 패턴 안정성을 유지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990059995A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019970080213

申请日：1997-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  황우현

IPC: H01L21/66

Abstract: 액정 표시 장치용 기판과 평탄한 유리판을 접촉시키고 빛을 입사했을 때 검은 간섭 무늬에서, 이웃하는 두 검은 무늬의 수평 거리를
l 이라 하고, 평탄한 유리판의 길이를 L이라 하고, 빛의 파장을 λ라 할 때, 기판의 휨 정도는 H = Lλ/2
l 이 된다. 이와 같은 방법을 이용하여 박막 증착 전, 후의 휨 정도를 각각 구한 후, 휨 변화량 ΔH를 구하여 유리 기판의 휨 변화량 ΔH(=H2-H1)에 비례하고 박막의 두께에 반비례하는 스트레스를 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970028769A

公开(公告)日：1997-06-24

申请号：KR1019950044896

申请日：1995-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  김치우 ,  이정길

IPC: G02F1/136

Abstract: 마스크 공정 수를 줄이면서 액정표시장치를 제조할 수 있는 액정표시장치의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명에 의하면, 5번의 마스크 공정으로 액정표시장치를 제조할 수 있을 뿐 만 아니라 게이트 전극으로 힐락의 발생을 억제할 수 있는 알루미늄 합금을 사용하여 양극산화 과정을 생략할 수 있고, 또한 주변 IC와 게이트 패드를 직접접속하는 액정표시장치를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR101122228B1

公开(公告)日：2012-03-19

申请号：KR1020040085683

申请日：2004-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  배양호 ,  조범석 ,  정창오

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/3279 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/56

Abstract: The invention provides a thin film transistor (TFT) array panel that includes an insulating substrate; a gate line formed on the insulating substrate and having a first layer of an Al containing metal, a second layer of a Cu containing metal that is thicker than the first layer, and a gate electrode; a gate insulating layer arranged on the gate line; a semiconductor arranged on the gate insulating layer; a data line having a source electrode and arranged on the gate insulating layer and the semiconductor; a drain electrode arranged on the gate insulating layer and the semiconductor and facing the source electrode; a passivation layer having a contact hole and arranged on the data line and the drain electrode; and a pixel electrode arranged on the passivation layer and coupled with the drain electrode through the contact hole.

公开(公告)号：KR101061850B1

公开(公告)日：2011-09-02

申请号：KR1020040071612

申请日：2004-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조범석 ,  배양호 ,  이제훈 ,  정창오

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 본 발명은, 액정 표시 장치 또는 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배선으로서, 몰리브덴(Mo)에 니오븀(Nb), 바나듐(V) 또는 티타늄(Ti)을 소정량 첨가한 몰리브덴 합금층과 알루미늄층의 적층구조를 형성함으로써, 기존의 순수 몰리브덴(Mo)을 이용한 경우보다 몰리브덴 합금층과 알루미늄층의 상대적인 식각속도 차이의 감소로 인하여 식각시 언더컷, 오버행 및 마우스 바이트 등이 형성되지 않는 동시에, 반도체층 또는 화소 전극과의 접촉특성도 개선되는 것을 특징으로 하는 저저항성 및 내화학성을 동시에 갖춘 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
몰리브덴 합금, 니오븀, 바나듐, 티타늄, 비저항, 식각속도, 언더컷

公开(公告)号：KR101054344B1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：KR1020040093887

申请日：2004-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이제훈 ,  배양호 ,  조범석 ,  정창오

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 본 발명은, 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하고 있는 드레인 전극 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 게이트선과 상기 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 도전성 산화막으로 이루어진 제1 도전층 및 구리를 포함하는 제2 도전층을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.
게이트선, 데이터선, 구리(Cu), 비저항, 도전성 산화막

公开(公告)号：KR100973801B1

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：KR1020030025746

申请日：2003-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조범석 ,  정창오

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되며 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 게이트선을 덮는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 게이트선과 교차하며 적어도 일부는 반도체층과 접촉하는 소스 전극을 가지는 데이터선, 게이트 전극을 중심으로 소스 전극과 마주하며 적어도 일부는 반도체층과 접촉하는 드레인 전극, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판에 있어서, 게이트선, 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 하나는 배선용 금속층, 배선용 금속층의 계면에 형성되어 있는 도전성 산화막을 포함한다.
박막트랜지스터, 배선, 알루미늄

公开(公告)号：KR100968560B1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020030000757

申请日：2003-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조범석 ,  정창오 ,  성명모 ,  양희정 ,  이재갑

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2224/32245

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의 금속배선 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판과 금속배선 사이에 자기조립단분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 박막 트랜지스터 기판은 Si 계면과 금속배선 사이에 3차원 망상(cross-linked) 구조의 자기조립단분자층을 포함하고 있어 접착력이 우수하고 확산방지력이 우수하다.
자기조립단분자층, 금속배선

公开(公告)号：KR1020100067814A

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：KR1020080126367

申请日：2008-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도현 ,  정종현 ,  최영주 ,  박홍식 ,  인태형 ,  이동훈 ,  윤필상 ,  박제형 ,  정창오 ,  이제훈 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  이병진 ,  서남석

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: PURPOSE: A display substrate and a method of manufacturing the same are provided to prevent a defect due to a step during following processes of a patterning process. CONSTITUTION: A deformation preventing layer(105) is formed on the lower surface of a base substrate(101). A gate line is formed on the upper side of the base substrate. A data line is formed on the base substrate on which the gate line is formed. A pixel electrode is formed on the base substrate on which the data line is formed. The deformation preventing layer and the gate line respectively have tensile stress.

Abstract translation: 目的：提供显示基板及其制造方法，以防止在图案化处理的后续处理中由于步骤而导致的缺陷。 构成：在基底（101）的下表面上形成变形防止层（105）。 栅极线形成在基底基板的上侧。 在形成有栅极线的基底基板上形成数据线。 在形成数据线的基底基板上形成像素电极。 变形防止层和栅极线分别具有拉伸应力。

公开(公告)号：KR100940566B1

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：KR1020030003304

申请日：2003-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  조범석

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 반도체 소자용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Si 계면과 금속배선 사이에 금속질화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자용 기판의 Si 계면과 금속배선물질 사이에 금속질화물층을 형성하면 금속배선물질의 Si 계면으로의 확산이 방지되어 저항성 접촉층의 물성 열하가 억제되고, Si 계면과 금속배선간의 접착력이 향상되어 에칭 등과 같은 기판의 후처리공정에 있어서의 박막의 들뜸, 벗겨짐 현상을 방지할 수 있다.
금속질화물층, 확산방지막