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公开(公告)号：KR1020060003197A
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020040052001
申请日：2004-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06Q50/30 , G06Q30/0256 , G06Q30/0269 , G06Q50/01
Abstract: 본 발명은 프리젠스 서비스 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프리젠스 서비스 방법은 자신이 포함된 네트워크 내의 통신장치들 중 소정의 통신장치의 사용자를 버디로 등록하고 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 관리하는 단계와, 등록된 사용자의 통신장치의 접속 정보를 이용하여 등록된 사용자의 통신장치에게 사용자의 프리젠스 정보를 요청하는 단계, 및 등록된 사용자의 통신장치로부터 프리젠스 정보를 수신하여 버디로 등록된 사용자 별로 프리젠스 정보를 관리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 특정한 서버에 의하지 않고서도 통신장치들 간에 프리젠스 서비스를 이용할 수 있다.
프리젠스 서비스, 버디-
公开(公告)号：KR1020050054788A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020030088423
申请日：2003-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02354 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/31608 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: A method of fabricating a poly-Si thin film and a method of fabricating a poly-Si TFT using the same are provided. The poly-Si thin film is formed at a low temperature using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD). After the ICP-CVD, excimer laser annealing (ELA) is performed while increasing energy by predetermined steps. A poly-Si active layer and a SiO2 gate insulating layer are deposited at a temperature of about 150° C. using ICP-CVD. The poly-Si has a large grain size of about 3000 Å or more. An interface trap density of the SiO2 can be as high as 1011/cm2. A transistor having good electrical characteristics can be fabricated at a low temperature and thus can be formed on a heat tolerant plastic substrate.
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63.发明公开
公开(公告)号：KR1020050042702A
公开(公告)日：2005-05-10
申请号：KR1020030077763
申请日：2003-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78606
Abstract: 폴리 실리콘막 형성 방법, 이 방법으로 형성된 폴리 실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판 상에 적층된 제1 열전도막, 상기 제1 열전도막 상에 적층된, 상기 제1 열전도막보다 열전도도가 낮은 제2 열전도막, 상기 제2 열전도막과 상기 제2 열전도막 양쪽의 상기 제1 열전도막 상에 적층된 폴리 실리콘막 및 상기 제2 열전도막을 덮는 상기 폴리 실리콘막 상에 적층된 게이트 적층물을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 제2 열전도막은 상기 제1 열전도막 상에 형성되는 대신, 상기 제1 열전도막의 일부와 대체될 수 있다. 상기 폴리 실리콘막은 상기 제1 및 제2 열전도막 상에 형성된 비정질 실리콘막에 엑시머 레이저광을 한번 조사하여 형성한 것이다. 또한, 상기 게이트 적층물은 상기 폴리 실리콘막의 채널영역으로 사용된 부분의 아래쪽에 구비될 수 있다.
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公开(公告)号：KR102204111B1
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：KR1020140046266
申请日：2014-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 화학식 1로표현되는화합물, 서로마주하는제1 전극과제2 전극및 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고화학식 1로표현되는화합물을포함하는활성층을포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101885244B1
公开(公告)日：2018-08-06
申请号：KR1020110115236
申请日：2011-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/46 , C07D471/04 , C07D409/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/0072 , H01L51/0068 , H01L51/0074 , H01L51/4253 , Y10S428/917
Abstract: 서로마주하는애노드와캐소드, 그리고상기애노드와상기캐소드사이에위치하는활성층을포함하고, 상기활성층은퀴나크리돈유도체, 그리고시아노비닐기를가지는티오펜유도체를포함하는유기광전소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170131193A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020160164329
申请日：2016-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/447 , H01L27/307 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/4253 , H01L51/4273 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5056 , Y02E10/549
Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고 pn 접합을형성하는제1 흡광물질과제2 흡광물질을포함하는광전변환층, 그리고상기제1 전극과상기광전변환층사이에위치하고상기제1 흡광물질과 5.4 내지 5.8eV의 HOMO 에너지준위를가지는가시광비흡수물질을포함하는버퍼층을포함하는유기광전소자및 이를포함하는이미지센서에관한것이다.
Abstract translation: 第一电极任务，面向第一电极和面对第一电极的第二电极;第一光吸收物质任务，位于第一电极和第二电极之间以形成pn结;以及光电转换层， 以及包括具有5.4至5.8eV的HOMO能级的第一光吸收材料和可见光非吸收材料的缓冲层以及包括该有机光电装置的图像传感器。
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