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    높은 온/오프 전류비를 가진 박막 트랜지스터
    62.
    发明公开
    높은 온/오프 전류비를 가진 박막 트랜지스터 审中-实审
    具有高开/关电流比的薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR1020150055475A

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：KR1020130137889

    申请日：2013-11-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김억수 ,  류명관 ,  박준석 ,  손경석 ,  이선희

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869

    Abstract: 높은온/오프전류비를가진박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 기판상의게이트전극과, 상기게이트전극상방의제1 채널과, 상기제1 채널의양단에각각연결된소스전극및 드레인전극과, 상기제1 채널상에서상기게이트전극과마주보게상기제1 채널의상면에접촉하며상기제1 채널보다전기전도도가높은제2 채널을포함한다. 상기제2 채널은상기소스전극및 드레인전극과이격되며, 상기게이트전극은평면도로볼 때상기소스전극및 상기드레인전극과오버랩되지않게상기소스전극및 상기드레인전극사이에형성된다.

    Abstract translation: 公开了具有高导通/截止电流比的薄膜晶体管。 所公开的晶体管包括：基板上的栅电极; 栅电极上方的第一通道; 源极和漏极连接到第一通道的相对端; 以及第二通道，其与第一通道的上侧接触以与第一通道上的栅电极相对，并且具有比第一通道的导电性更高的导电性。 第二通道与源极和漏极分离。 栅电极形成在源电极和漏电极之间，不与平面图的源电极和漏电极重叠。 根据本发明，当薄膜晶体管截止时，通过偏移结构防止在栅极和源极和漏极之间形成高电场。 因此，可以减少关断电流。

    반도체막의 형성방법 및 반도체막을 포함하는 트랜지스터의 제조방법
    64.
    发明公开
    반도체막의 형성방법 및 반도체막을 포함하는 트랜지스터의 제조방법 审中-实审
    形成化合物半导体膜的方法和包括化合物半导体膜的制造晶体管的方法

    公开(公告)号：KR1020150025623A

    公开(公告)日：2015-03-11

    申请号：KR1020130103430

    申请日：2013-08-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김태상 ,  선종백 ,  류명관 ,  정칠희

    IPC: H01L21/203 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02565

    Abstract: 반도체막 및 그 형성방법과 반도체막을 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 아연, 질소, 산소 및 불소를 포함하는 반도체막 및 그 형성방법을 제공한다. 아연, 질소 및 불소를 포함하는 반도체막 및 그 형성방법을 제공한다. 상기 반도체막의 형성을 위해, 스퍼터링(sputtering) 법, 이온 주입, 플라즈마 처리, 화학기상증착(CVD) 법, 용액 공정(solution process) 등을 이용할 수 있다. 상기 스퍼터링 법은 아연(Zn) 타겟 및 불소를 포함하는 반응 가스를 사용하여 수행할 수 있다. 상기 반응 가스는 질소 및 불소를 포함하거나, 질소와 산소 및 불소를 포함할 수 있다.

    Abstract translation: 提供半导体层，其形成方法，具有半导体层的晶体管和制造该晶体管的方法。 提供了包含Zn，N，O和F的半导体层及其形成方法。 提供了包含Zn，N和F的半导体层及其形成方法。 为了形成半导体层，可以使用溅射法，离子注入法，等离子体处理法，CVD法和溶液法。 可以通过使用Zn靶和包含F的反应气体来进行溅射法。反应气体可以包括N和F，或者可以包括N，O和F.

    고 이동도 박막 트랜지스터 및 그 제조방법과 고 이동도 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이
    65.
    发明公开
    고 이동도 박막 트랜지스터 및 그 제조방법과 고 이동도 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 审中-实审
    具有高迁移率的薄膜晶体管及其制造方法，显示器包括具有高迁移率的薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR1020150019137A

    公开(公告)日：2015-02-25

    申请号：KR1020130095597

    申请日：2013-08-12

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이선희 ,  김억수 ,  류명관 ,  선종백

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

    Abstract: Disclosed are a thin film transistor with high mobility, a manufacturing method thereof, and a display including the same. The disclosed TFT with high mobility according to one embodiment of the present invention includes: source and drain electrodes which are separated from a gate electrode, a channel layer which is in contact with the source and drain electrodes and is separated from the gate electrode, a gate insulation layer which is formed between the gate electrode and the channel layer, and a buffer layer which is located between the gate insulation layer and the channel layer and is combined with oxygen and nitrogen on the interfaces of the channel layer and the gate insulation layer. The channel layer is a material layer based on zinc oxynitride. The buffer layer includes any one among Al, Sc, Y, Ti, V, and Cr.

    Abstract translation: 公开了一种具有高迁移率的薄膜晶体管，其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示器。 根据本发明的一个实施例的所公开的具有高迁移率的TFT包括：与栅极分离的源极和漏极，与源极和漏极接触并与栅电极分离的沟道层， 形成在栅电极和沟道层之间的栅极绝缘层，以及位于栅极绝缘层和沟道层之间并与沟道层和栅极绝缘层的界面上的氧和氮结合的缓冲层 。 沟道层是基于氮氧化锌的材料层。 缓冲层包括Al，Sc，Y，Ti，V和Cr中的任一种。

    고성능 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
    67.
    发明公开
    고성능 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
    具有高性能的金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140106977A

    公开(公告)日：2014-09-04

    申请号：KR1020130021386

    申请日：2013-02-27

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  인하대학교 산학협력단

    Inventor： 손경석 ,  류명관 ,  정재경

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742

    Abstract: Disclosed are a thin film transistor with high performance and a manufacturing method thereof. The thin film transistor according to one embodiment of the present invention includes a gate electrode which is formed on a substrate, a gate insulation layer which is formed on the gate electrode, a channel layer which is formed on the gate insulation layer, a first electrode which covers one end of the channel layer, a second electrode which covers the other end of the channel layer, and a protective layer which covers the channel layer between the first and second electrodes. The channel layer includes an In-rich metal oxide layer. The protective layer is a single layer or multiple layers and includes at least aluminum oxide. The channel layer is processed by O2 HPA before or after the protective layer is formed.

    Abstract translation: 公开了一种具有高性能的薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极电极，形成在栅电极上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的沟道层，第一电极 其覆盖沟道层的一端，覆盖沟道层的另一端的第二电极和覆盖第一和第二电极之间的沟道层的保护层。 沟道层包括富铟金属氧化物层。 保护层是单层或多层，并且至少包括氧化铝。 在保护层形成之前或之后，通道层由O 2 HPA处理。

    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
    69.
    发明公开
    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 审中-实审
    晶体管，其制造方法和包括晶体管的电子器件

    公开(公告)号：KR1020140074742A

    公开(公告)日：2014-06-18

    申请号：KR1020120143031

    申请日：2012-12-10

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

    Inventor： 박준석 ,  김선재 ,  김태상 ,  김현석 ,  류명관 ,  서석준 ,  선종백 ,  손경석 ,  이상윤

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66742

    Abstract: Disclosed are a transistor, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the transistor. The disclosed transistor may include a channel layer containing metal nitroxide and a source electrode and a drain electrode in contact with first and second regions of the channel layer. The first and second regions of the channel layer may have a carrier concentration higher than the remaining region of the channel layer by being treated with plasma. The first and second regions may be regions treated with plasma containing hydrogen. The first and second regions may contain hydrogen. The first and second regions may have an oxygen concentration lower than the remaining region of the channel region. The first and second regions may have a nitrogen concentration higher than the remaining region of the channel layer. The metal nitroxide of the channel layer may include a ZnON-based semiconductor.

    Abstract translation: 公开了晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子器件。 所公开的晶体管可以包括含有金属氮氧化物的沟道层和与沟道层的第一和第二区域接触的源电极和漏电极。 通过用等离子体处理，沟道层的第一和第二区域可以具有高于沟道层的剩余区域的载流子浓度。 第一和第二区域可以是用含有氢的等离子体处理的区域。 第一和第二区域可以含有氢。 第一区域和第二区域的氧浓度可以低于沟道区域的剩余区域。 第一和第二区域的氮浓度可以高于沟道层的剩余区域。 沟道层的金属氮氧化物可以包括ZnON基半导体。

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