公开(公告)号：KR101013134B1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：KR1020080054022

申请日：2008-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진재철 ,  김기택 ,  강윤철 ,  서정훈 ,  심선희 ,  김영기

IPC: H04B1/38

CPC classification number: H04M1/0247 ,  H04M1/0237 ,  H04M1/23

Abstract: 본 발명의 슬라이딩 개폐 가능한 모듈은 본체부; 상기 본체부의 상부에 배치되며 길이방향을 따라 이동 가능한 복수의 플레이트; 상기 본체부의 양 측면부 중 적어도 어느 하나의 측면부에 형성되며 길이방향으로 연장된 가이드 홈; 및 일측이 상기 가이드 홈에 슬라이드 가능하게 수용되고, 타측이 상기 복수의 플레이트에 부착되며, 상기 복수의 플레이트가 길이 방향으로 서로 접하여 배치되는 제1 상태와 일정 간격을 두고 배치되는 제2 상태 사이에서의 슬라이딩 이동에 따라 신축 가능한 힌지부를 포함한다.
슬라이드, 가이드 홈, 힌지부

公开(公告)号：KR1020100035369A

公开(公告)日：2010-04-05

申请号：KR1020080094725

申请日：2008-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 서정훈 ,  박기홍 ,  고영채 ,  이진희

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04W92/10 ,  H04B7/022 ,  H04B7/024

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for controlling signal transmission in consideration are provided to improve the performance of the communications system by controlling cooperative transmission of a signal at signal reception node according to SNR and a data rate. CONSTITUTION: A signal transmission controller compares a SNR(Signal to Noise Ratio) and a standard value between the first base station and a signal receive node(S110). If the SNR is not less than the standard value, the signal transmission controller controls the first base station to transmit a signal to a signal receiving node(S120,S130). If the SNR is less than the standard value, the signal transmission controller controls the first and the second base station to transmit the signal between the first and the second base station in the signal receiving node(S140).

Abstract translation: 目的：提供一种用于控制信号传输的方法和装置，以通过根据SNR和数据速率控制信号接收节点处的信号的协同传输来提高通信系统的性能。 构成：信号传输控制器将SNR（信噪比）与第一基站与信号接收节点之间的标准值进行比较（S110）。 如果SNR不小于标准值，则信号传输控制器控制第一基站向信号接收节点发送信号（S120，S130）。 如果SNR小于标准值，则信号传输控制器控制第一和第二基站在信号接收节点中的第一和第二基站之间发送信号（S140）。

公开(公告)号：KR100763506B1

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020050055765

申请日：2005-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  김현영 ,  박영욱 ,  홍진기 ,  박건상 ,  김진호 ,  구경범

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L21/28562 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

Abstract: 반도체 장치의 커패시터를 제조하는 방법에서, 표면 반응에 의한 증착율이 물질 전달에 의한 증착율보다 큰 제1 유량비로 금속을 포함하는 제1 소스 가스와 상기 금속과 결합 가능한 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 공급하여 기판 상에 제1 금속 화합물을 증착한다. 이어서, 상기 제1 소스 가스와 제2 소스 가스를 상기 제1 유량비와 다른 제2 유량비로 공급하여 상기 제1 금속 화합물 상에 제2 금속 화합물을 증착함과 동시에 상기 제1 금속 화합물 및 상기 제2 금속 화합물로부터 원치않는 물질(unwanted material)을 제거한다. 계속해서, 상기 제1 금속 화합물과 제2 금속 화합물을 번갈아 반복적으로 증착하여 상기 기판 상에 하부 전극을 완성한다. 상기 하부 전극을 완성한 후, 상기 하부 전극 상에 유전막 및 상부 전극을 순차적으로 형성함으로써 상기 커패시터를 완성한다. 따라서, 후속하는 식각 공정에서 상기 하부 전극을 통한 식각액 또는 식각 가스의 침투를 억제할 수 있다.

Abstract translation: 在用于制造半导体器件的电容器的方法中，第二源气体与表面反应的沉积速率包括第一源气体和接合材料和所述金属包括具有大的第一流动速率大于沉积速率的金属由于质量传递 将第一金属化合物沉积在基底上。 以不同于第一流速的第二流速比提供第一源气体和第二源气体，以在第一金属化合物上沉积第二金属化合物并沉积第一金属化合物和第二金属化合物 从金属化合物中去除不需要的材料。 随后，交替重复沉积第一金属化合物和第二金属化合物以完成衬底上的下电极。 在完成下电极之后，在下电极上顺序地形成电介质膜和上电极以完成电容器。 因此，在随后的蚀刻工艺中可以抑制蚀刻剂或蚀刻气体穿过下电极的渗透。

公开(公告)号：KR1020070046349A

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：KR1020050102949

申请日：2005-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  홍진기 ,  최윤호 ,  권현철 ,  이은택 ,  김진호

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76841 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45508 ,  H01L21/28556

Abstract: 막 형성 방법은 제1 웨이퍼에 티타늄 막 및 티타늄 질화막을 순차적으로 형성한다. 상기 티타늄 질화막 형성시 챔버의 내부에 흡착된 반응 부산물을 제거한다. 이후 제2 웨이퍼에 대해 티타늄 막 형성, 티타늄 질화막 형성 및 반응 부산물 제거를 반복하여 수행한다. 따라서 막 형성시 티타늄 질화막 형성에 따른 반응 부산물의 리프팅을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100697691B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020050068296

申请日：2005-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최윤호 ,  하태홍 ,  서정훈 ,  홍진기 ,  서정석 ,  박성근 ,  권현철

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4482

Abstract: 화학 기상 증착 공정을 위한 소스 가스 공급 유닛은 액체 소스를 수용하는 밀폐 용기를 구비한다. 제1 가스 공급관이 상기 밀폐 용기를 관통하여 상기 액체 소스에 잠기도록 구비되어 상기 액체소스를 버블링시켜 기체 소스를 생성하기 위해 불활성 가스를 공급하고, 제2 가스 공급관이 상기 밀폐 용기와 연결되도록 구비되어 상기 기체 소스를 반도체 제조 공정이 수행되는 공정 챔버로 공급한다. 차단부는 상기 밀폐 용기의 내부에 구비되고, 상기 버블링에 의해 상기 제2 가스 공급관으로 튀는 상기 액체 소스를 차단하여 상기 액체 소스가 상기 제2 가스 공급관에 들러붙는 것을 방지한다.

公开(公告)号：KR100683110B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050050168

申请日：2005-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기 ,  구경범 ,  이은택 ,  최윤호

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856

Abstract: 반도체 소자 제조 공정에 사용되는 플라즈마 형성 방법은 제1원자량의 제1물질을 포함하는 제1가스를 밀폐 공간으로 공급하여 상기 밀폐 공간 내에서 플라즈마 영역을 형성한다. 상기 밀폐 공간으로 상기 제1원자량보다 작은 제2원자량의 제2물질을 포함하는 제2가스를 공급하여 상기 플라즈마 영역을 유지시킨다. 상기 제1 가스 및 제2 가스는 불활성 가스이다. 따라서 플라즈마에 의한 데미지를 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070013728A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：KR1020050068296

申请日：2005-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최윤호 ,  하태홍 ,  서정훈 ,  홍진기 ,  서정석 ,  박성근 ,  권현철

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4482

Abstract: A source gas supply unit and a CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus with the same are provided to prevent a liquid source from being attached to a predetermined supply line by using a blocking part. A source gas supply unit includes a sealing container(110) for storing a liquid source, a first gas supply line, a second gas supply line and a blocking part. The first gas supply line(120) is installed through the sealing container. The first gas supply line is immersed in the liquid source. The first gas supply line is used for supplying a carrier gas capable of generating a gas source by bubbling the liquid source. The second gas supply line(130) is connected with an inner portion of the sealing container. The second gas supply line is used for supplying the gas source and the carrier gas to a process chamber. The blocking part(140) is installed in the sealing container. The blocking part is used for blocking a splashed liquid source due to the bubbling.

Abstract translation: 提供了一种源气体供给单元和具有该源气体供给单元的CVD（化学气相沉积）装置，以通过使用阻挡部件来防止液体源附着到预定的供应管线。 源气体供给单元包括用于存储液体源的密封容器（110），第一气体供应管线，第二气体供应管线和阻塞部件。 第一气体供给管线（120）通过密封容器安装。 将第一气体供给管线浸入液体源。 第一气体供给管路用于供给能够通过使液体源鼓泡而产生气体源的载气。 第二气体供给管线130与密封容器的内部连接。 第二气体供应管线用于将气体源和载气供应到处理室。 阻挡部件（140）安装在密封容器中。 阻塞部分由于起泡而用于堵塞飞溅的液体源。

公开(公告)号：KR100672828B1

公开(公告)日：2007-01-22

申请号：KR1020050056734

申请日：2005-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  홍진기 ,  구경범 ,  최윤호 ,  이은택 ,  권현철

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  Y10T29/41

Abstract: 챔버 내의 가스 흐름을 조절하기 위한 챔버 인서트 및 이를 갖는 기판 가공 장치는 상부면에 기판을 지지하기 위한 스테이지의 측면에 상기 스테이지를 감싸도록 상하가 개방된 중공의 원통형 몸체부를 구비한다. 제1 돌출부는 상기 몸체부의 하단을 따라 상기 몸체부의 외측 방향으로 연장되고, 제2 돌출부는 상기 몸체부의 상단 일부분으로부터 상기 몸체부의 외측 방향으로 연장된다.

公开(公告)号：KR1020060124379A

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020050046277

申请日：2005-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영수 ,  장경훈 ,  이동준 ,  서정훈

IPC: H04L1/18

CPC classification number: H04L1/1621 ,  H04L1/0001 ,  H04L1/1614 ,  H04L1/1838

Abstract: A method for reporting a packet received result in a mobile communication system is provided to reduce unnecessary frame transmission by reducing the retransmission number of traffic insensitive to packet loss. A comparison process compares a packet error rate by a received data frame with a predetermined threshold value(916-920). A composition process composes a bit map in a successful receiving state of the received data when the packet error rate is lower than the threshold value(922-930). The bit error rate is calculated by using a sliding window method. The threshold value is defined by a request parameter of a service user. The packet error rate is compared with the predetermined threshold value only when the error is detected from the received frame.

Abstract translation: 提供一种在移动通信系统中报告分组接收结果的方法，通过减少对分组丢失不敏感的业务的重传次数来减少不必要的帧传输。 比较过程将接收数据帧的分组错误率与预定阈值（916-920）进行比较。 当分组错误率低于阈值（922-930）时，组合过程构成接收数据的成功接收状态的位图。 通过使用滑动窗口方法计算误码率。 阈值由服务用户的请求参数定义。 仅当从接收到的帧检测到错误时，将分组错误率与预定阈值进行比较。

公开(公告)号：KR100629172B1

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：KR1020040090301

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서정훈 ,  박영욱 ,  홍진기 ,  구경범 ,  이은택

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565

Abstract: 티타늄 질화막을 형성하기 위한 장치에서, TiCl
4 가스는 제1배관 및 샤워 헤드를 통해 공급되며 NH
3 가스는 제2배관 및 샤워 헤드를 통해 기판 상으로 공급되며, 상기 기판 상에는 TiCl
4 가스와 NH
3 가스의 반응에 의해 티타늄 질화막이 형성된다. 상기 TiCl
4 가스는 약 180℃ 내지 250℃ 정도의 온도로 가열되며, 상기 NH
3 가스는 상기 TiCl
4 가스의 응축을 방지하기 위하여 상기 TiCl
4 가스와 동일한 온도로 가열된다. 상기 공정 챔버를 퍼지하기 위한 퍼지 가스는 상기 배관들과 샤워 헤드 및 공정 챔버 내에 잔류하는 TiCl
4 가스의 응축을 방지하기 위하여 약 180℃ 내지 250℃ 정도의 온도로 가열된다. 따라서, 온도 변화에 따른 TiCl
4 가스의 응축을 방지할 수 있다.