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公开(公告)号：KR101440905B1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130036298
申请日：2013-04-03
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: The present invention relates to an oxide thin film composition, a method to form an oxide thin film, and a method to manufacture an oxide semiconductor. According to an embodiment of the present invention, the oxide thin film composition comprises: an oxide precursor; an additive inducing an exothermic reaction; and a solvent dissolving the oxide precursor and the additive.
Abstract translation: 本发明涉及一种氧化物薄膜组合物，一种形成氧化物薄膜的方法和一种制造氧化物半导体的方法。 根据本发明的一个实施方案，氧化物薄膜组合物包含：氧化物前体; 引起放热反应的添加剂; 和溶解氧化物前体和添加剂的溶剂。
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公开(公告)号：KR101433857B1
公开(公告)日：2014-08-26
申请号：KR1020130079125
申请日：2013-07-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/316 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L21/324 , H01L29/66742
Abstract: The present invention relates to a method of forming an oxide thin film and a method of manufacturing an oxide thin film using hydrogen peroxide. The method of forming an oxide thin film according to an embodiment comprises a step of mixing hydrogen peroxide in a precursor solution that a precursor material is dissolved in a solvent; a step of spreading the precursor solution with the hydrogen peroxide mixed on a substrate within a predetermined time after mixing the hydrogen peroxide; a step of thermally processing the substrate at a first temperature; and a step of thermally processing the substrate at a second temperature.
Abstract translation: 本发明涉及形成氧化物薄膜的方法和使用过氧化氢制造氧化物薄膜的方法。 根据一个实施方案的形成氧化物薄膜的方法包括将前体材料溶解在溶剂中的前体溶液中混合过氧化氢的步骤; 在混合过氧化氢之后的预定时间内，将过氧化氢混合在基材上的步骤; 在第一温度下热处理所述基板的步骤; 以及在第二温度下热处理所述基板的步骤。
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公开(公告)号：KR101406838B1
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：KR1020120050864
申请日：2012-05-14
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 멀티-액티브층을 갖는 트랜지스터가 제공된다. 멀티-액티브층은 트랜지스터의 채널로 작용하며, 제1 채널층과 제2 채널층을 포함한다. 제1 채널층이 주로 채널로 작용을 하고, 제2 채널층은 제1 채널층을 보호하고, 소스/드레인 전극과 저항접촉을 형성한다.
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64.发明授权산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터 有权用于氧化物薄膜的组合物，用于形成氧化物薄膜的方法，使用低温退火的电气装置和薄膜晶体管
公开(公告)号：KR101389451B1
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020120027875
申请日：2012-03-19
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 액상기반의 산화물 반도체 박막 제작 시에 요구되는 500℃ 이상의 고온 열처리 과정을 거치지 않고 350℃ 이하의 저온에서 결정질 산화물 반도체 박막을 제조하는 방법 및 형성된 산화물 박막을 포함하여 우수한 전기적 특성을 나타내는 전자 소자, 박막 트랜지스터가 제공된다. 350℃ 이하의 저온에서 용기 내에 가스를 이용한 가압 열처리를 통해 저온에서 결정질 산화물 박막을 형성할 수 있다.
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65.发明授权결정화용 구조물, 이를 이용한 결정화 방법, 반도체 활성층형성방법 및 박막트랜지스터 형성방법 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 有权结晶结构，结晶方法，半导体非晶硅层有源层的形成方法及其使用的薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR101336455B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020070052852
申请日：2007-05-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/67115 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 본 발명은 결정화용 구조물, 이를 이용한 결정화 방법 및 반도체 활성층 형성방법 및 박막트랜지스터 형성방법에 관한 것으로, 결정화용 구조물은 하부에 판 형상을 가지는 지지체와 상기 지지체의 판 형상에는 편평한 하부면을 가지는 돌출부가 복수개 서로 소정 간격으로 이격되어 구비되되, 하부면에 온도가 인가되어 대상물에 접근하여 가열할 때, 상기 하부면의 온도는 상기 지지체의 온도 보다 높게 설정된다.
실리콘층, 결정화, 박막트랜지스터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101316237B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020110129537
申请日：2011-12-06
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 고효율, 고안정성의 유기 태양전지 제조를 위하여 CuAlO
2 박막을 정공 전도층으로 사용한 유기태양전지 제조 방법에 관한 것이다. 현재 유기 태양전지의 활성층 물질로 regioregular poly(3-hexylthiophene) (P3HT) 와 phenyl-C
61 -butyric acid methyl ester (PCBM) 의 혼합물을 활성층으로 하고 PEDOT:PSS를 정공 전도층으로 사용하여 유기 태양전지를 제작하고 있다. 하지만 유기물 소자의 한계라고 할 수 있는 낮은 이동도로 인한 낮은 에너지 변환 효율과 외부환경 요인에 이한 전지의 수명 저하에 대해 많은 개선이 필요한 실정이다. 본 발명에서는 위에서 언급한 유기 물질인 PEDOT:PSS를 대체하여 사용한 CuAlO
2 박막을 정공 전도층으로 사용하여 기존의 공정을 그대로 사용하면서 전자 에너지 장벽 (electron energy barrier)을 통해서 전자 손실 전류를 줄임으로써 광 에너지 변환 효율을 기존 유기태양전지 만큼 증가시키고, 또한, 유기 박막의 단점으로 지적되고 있는 산소, 수분 등에 의한 시간에 따른 소자의 특성 저하를 억제할 수 있기 때문에 고수명 전자소자로써의 역할로도 기대된다.-
公开(公告)号：KR1020130093922A
公开(公告)日：2013-08-23
申请号：KR1020120015171
申请日：2012-02-15
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02623 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor using a liquid phase process and a manufacturing method thereof are provided to improve the characteristics and reliability of a device by increasing the density of a thin film through a multilayer channel structure in comparison to a single channel structure. CONSTITUTION: A source (500) and a drain (600) are in contact with both ends of a channel layer (400). A gate (200) corresponds to the channel layer. A gate insulating layer (300) is formed between the channel layer and the gate. The channel layer includes a plurality of oxide semiconductor layers (400a,400b,400c) manufactured by a liquid phase process. At least one oxide semiconductor layer included in the channel layer includes a ZnO-based oxide semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供一种使用液相工艺的薄膜晶体管及其制造方法，以通过与单通道结构相比通过多层通道结构增加薄膜的密度来提高器件的特性和可靠性。 构成：源（500）和漏极（600）与沟道层（400）的两端接触。 门（200）对应于沟道层。 在沟道层和栅极之间形成栅极绝缘层（300）。 沟道层包括通过液相法制造的多个氧化物半导体层（400a，400b，400c）。 包括在沟道层中的至少一个氧化物半导体层包括ZnO基氧化物半导体。
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公开(公告)号：KR1020130077116A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145657
申请日：2011-12-29
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: C09D5/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/449 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , C01G1/02 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L2021/775
Abstract: PURPOSE: A composition for an oxide semiconductor and a method for manufacturing a thin film transistor substrate using the same are provided to prevent environmental contamination by performing an annealing process at a low temperature. CONSTITUTION: A pixel part is formed in a displaying area (DA). The pixel includes a pixel electrode (PE). A gate driving part (GD) is formed in the peripheral area (PA) of the displaying area. The gate driving part sends a gate driving signal to the pixel part. A data driving part (DD) sends a data driving signal to the pixel part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于氧化物半导体的组合物和使用其的薄膜晶体管基板的制造方法，以通过在低温下进行退火处理来防止环境污染。 构成：在显示区域（DA）中形成像素部分。 像素包括像素电极（PE）。 在显示区域的周边区域（PA）中形成栅极驱动部（GD）。 栅极驱动部将栅极驱动信号发送到像素部。 数据驱动部（DD）将数据驱动信号发送到像素部。
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公开(公告)号：KR101266674B1
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：KR1020110090626
申请日：2011-09-07
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은유기태양전지의효율과수명향상을위한것이다. 유기물전자소자의한계라고할 수있는낮은캐리어이동도로인한낮은에너지변환효율의개선과더불어정공수송층으로사용하고있는 PEDOT:PSS의산도로인한투명전극의부식이수명을단축하는문제를모두해결하기위해, 본발명에서는 PEDOT:PSS를사용하지않고, 용액공정을기반으로한 SnO박막을전자수송층으로사용하여전자전도도를높여유기태양전지의효율을높이고, SnO박막의내식성으로인해소자수명을연장시켰다. 용액공정기반의제조방법은여전히유기태양전지의제조단가를낮추어전력당생산비면에서도유리하다.
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公开(公告)号：KR1020130027213A
公开(公告)日：2013-03-15
申请号：KR1020110090664
申请日：2011-09-07
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a conductive organic thin film with an organic solvent and an organic solar cell using the same are provided to improve the conductivity of a hole transport layer by forming a hole transport layer thin film with the mixture of acetic acid solvent and PEDOT:PSS of a low hole mobility. CONSTITUTION: A hole transport layer is laminated between an anode and an active layer. The hole transport layer is formed by coating the anode with the mixture of an organic solvent and PEDOT:PSS. The organic solvent is one of glycerol, dimethylformamide, ethylene glycol, dimethyl sulfoxide, and sorbital. A volume ratio of the PEDOT:PSS to the organic solvent is 1 to 10:1. The mixture of the PEDOT:PSS and the organic solvent is stirred at 100 to 1000 rpm for 30 minutes to four hours. [Reference numerals] (AA) Manufacture process
Abstract translation: 目的：提供一种使用有机溶剂和有机太阳能电池制造导电有机薄膜的方法，其通过用乙酸溶剂和乙酸溶剂的混合物形成空穴传输层薄膜来改善空穴传输层的导电性 PEDOT：PSS的低空移动性。 构成：在阳极和有源层之间层叠空穴传输层。 通过用有机溶剂和PEDOT：PSS的混合物涂覆阳极来形成空穴传输层。 有机溶剂是甘油，二甲基甲酰胺，乙二醇，二甲基亚砜和山梨醇之一。 PEDOT：PSS与有机溶剂的体积比为1至10：1。 将PEDOT：PSS和有机溶剂的混合物在100至1000rpm下搅拌30分钟至4小时。 （标号）（AA）制造工艺
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