公开(公告)号：KR101099512B1

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：KR1020100032248

申请日：2010-04-08

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 신승욱 ,  김진혁 ,  문종하 ,  박찬영 ,  강소라

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 본발명은 CZTS 나노입자(CuZnSnSnano-particle) 제조방법에관한것으로, 보다구체적으로는독성물질을사용하지않고 CuZnSnS나노입자전구체를합성하는제조방법, 그방법으로제조된전구체및 제조된전구체를황화열처리하여고품질 CuZnSnS나노입자를제조하는방법및 제조된고품질 CuZnSnS나노입자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020110085721A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：KR1020100005652

申请日：2010-01-21

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  심바지마하데브파워 ,  문종하

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin CZTS film by a single process electrodeposition method is provided to improve a thin CZTS film combining process which can be used for a solar battery by the single process electrodeposition method, thereby depositing a crystal film which has a large size. CONSTITUTION: A CZTS precursor is formed(S100). A substrate is prepared(S110). An electrolytic bath is for electrodeposition(S120). A CZTS precursor is formed by electrodeposition in the electrolytic bath(S130). A thin CZTS film is formed by heating the CZTS precursor(S200).

Abstract translation: 目的：提供一种通过单次电沉积方法制造薄CZTS薄膜的方法，以通过单次电沉积法改进可用于太阳能电池的薄CZTS薄膜组合工艺，从而沉积具有大的电沉积 尺寸。 构成：形成CZTS前体（S100）。 制备底物（S110）。 电解池用于电沉积（S120）。 通过在电解槽中电沉积形成CZTS前体（S130）。 通过加热CZTS前体（S200）形成薄的CZTS膜。

公开(公告)号：KR1020110074445A

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：KR1020100128502

申请日：2010-12-15

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  문종하 ,  김태언 ,  김진아 ,  김선훈 ,  김회종

IPC: H01L33/28

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/285 ,  H01L2933/0083

Abstract: PURPOSE: A light-emitting diode of having ZnO nano-structure is provided to improve a light extraction efficiency by applying nano photonic crystal structure of the zinc oxide material to the upper part of a light-emitting structure. CONSTITUTION: In a light-emitting diode of having ZnO nano-structure, a light-emitting structure(120) is formed on a substrate(100). The light-emitting structure is comprised of a buffer layer(121), an n-type junction layer(123), a light-emitting layer(125), and a p-type junction layer(127). An current diffusion layer(130) is formed on the light-emitting structure. A seed layer(140) is formed on the current diffusion layer. A nano photonic crystal(170) is formed on the seed layer.

Abstract translation: 目的：提供一种具有ZnO纳米结构的发光二极管，通过将氧化锌材料的纳米光子晶体结构应用于发光结构的上部来提高光提取效率。 构成：在具有ZnO纳米结构的发光二极管中，在基板（100）上形成发光结构（120）。 发光结构由缓冲层（121），n型结层（123），发光层（125）和p型结层（127）构成。 在发光结构上形成电流扩散层（130）。 种子层（140）形成在电流扩散层上。 在种子层上形成纳米光子晶体（170）。

公开(公告)号：KR100973055B1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：KR1020080075633

申请日：2008-08-01

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 채규호 ,  김진혁

IPC: C08J5/22 ,  C08J3/28 ,  C08F2/46 ,  C08F14/18

Abstract: 본 발명은 안티파울링 특성을 가지는 광학 pH센서용 고분자막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 형광물질인 플루오레세인(fluorescein) 그룹을 가진 단량체와 안티파울링 특성을 가지는 MPC를 가교제, 광중합 개시제, 기본 단량체와 혼합한 후, 상기 혼합물에 자외선(UV)을 조사하여 광중합시키는 것을 특징으로 하는 광학 pH센서용 고분자막의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 광학 pH센서용 고분자막에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고분자막은 물리, 화학적으로 안정하여 장기간 사용이 가능할 뿐만 아니라 수소 이온에 선택적으로 반응하여 광범위의 pH에서 선형적 형광변화가 나타나며, 미생물의 점착이 방지되는 효과를 가진다.
광학 pH센서, 안티파울링, 플루오레세인, 광중합, UV

公开(公告)号：KR1020100010796A

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：KR1020080071837

申请日：2008-07-23

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  김태언 ,  김진아 ,  문종하 ,  김선훈 ,  김회종

IPC: B82B3/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing zinc oxide nanostructures by using the hologram lithography is provided to manufacture simply arranged zinc oxide nanostructures without expensive equipment and to obtain various nanostructures such as nanocrystal, nanorod and nanoholes. CONSTITUTION: A method for manufacturing zinc oxide nanostructures by using a hologram lithography comprises: a step of forming a photoresist(PR) layer in the top of the substrate; a first exposure step of making uniform form by exposing the photoresist layer through the hologram lithography; a second exposure step of exposing the photoresist layer which is the first exposure photoresist layer to obtain uniform form by using the hologram lithography after rotating substrate at the constant angle; the step of forming a nano pattern by developing the photoresist layer; a step of growing the zinc oxide(ZnO) nanostructures on the top of the substrate by using a hydrothermal synthesis method.

Abstract translation: 目的：提供使用全息图光刻制造氧化锌纳米结构的方法，制造简单排列的氧化锌纳米结构，无需昂贵的设备，并可获得纳米晶体，纳米棒和纳米孔等各种纳米结构。 构成：通过使用全息图光刻制造氧化锌纳米结构的方法包括：在衬底的顶部形成光致抗蚀剂（PR）层的步骤; 通过曝光光致抗蚀剂层通过全息图光刻制造均匀形式的第一曝光步骤; 第二曝光步骤，在以恒定角度旋转基板之后，通过使用全息图光刻将作为第一曝光光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂层曝光以获得均匀的形状; 通过显影光致抗蚀剂层形成纳米图案的步骤; 通过使用水热合成法在衬底的顶部上生长氧化锌（ZnO）纳米结构的步骤。

公开(公告)号：KR100886359B1

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：KR1020070026858

申请日：2007-03-19

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 박시현 ,  손수광 ,  이준기 ,  김진혁 ,  문종하

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L2933/0083

Abstract: 본 발명은 기판 상부에 N형-반도체층, 활성층 및 P형-반도체층이 순차적으로 적층되고, 상기 P형-반도체층으로부터 상기 N형-반도체층 일부까지 제거되어 N형-반도체층의 일부가 노출되어 있으며, 상기 노출된 N형-반도체층의 상부에 N형 전극 패드가 형성되어 있고, P형-반도체층의 상부에 투명 전도 막(TCL; Transparent Conducting layer)이 형성되며, 상기 P형-반도체층의 상부에 P형 전극 패드가 형성되어 있고, 상기 투명 전도 막 상부에 자외선 경화 수지인 접착제로 제작된 마이크로 렌즈들이 배열(array) 되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드를 제공한다.
본 발명의 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드는 저항의 열화 없이 마이크로 렌즈가 집적되지 않은 발광 다이오드를 기준으로 직경이 10 ㎛인 마이크로 렌즈가 집적된 발광 다이오드의 경우 1.24배, 20 ㎛ 마이크로 렌즈가 집적된 발광 다이오드의 경우 1.17배의 외부 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
발광 다이오드(LED), 마이크로 렌즈(microlens), 질화물 반도체(GaN), 외부추출효율(extraction efficiency)