Abstract:
본 발명은 이종 도금 결합방식을 이용한 하이브리드형 고강도 탐침 구조물 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 칩 또는 디스플레이의 회로패드와 직접 접촉되는 탐침부는 고강도 도금으로 제작하고, 나머지 스프링부는 패턴의 일부가 상기 탐침부와 상호 겹치도록 정렬한 상태에서 이종의 다른 재질로 도금하여 상기 탐침부와 상기 스프링부가 상호 결합된 형태를 갖는 탐침 구조물 및 그 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 이종 도금 결합방식을 이용한 하이브리드형 고강도 탐침 구조물 제작 방법은 탐침 구조물을 제작함에 있어서, 기판상에 탐침부를 형성하는 제1단계; 상기 탐침부가 형성된 상기 기판상에 제2감광막을 형성하는 제2단계; 상기 제2감광막에 스프링부 패턴을 형성하는 제3단계; 상기 스프링부 패턴에 도금하는 제4단계; 및 상기 제2감광막을 제거하는 제5단계를 포함한다. 탐침구조물, 이종도금, MEMS, 탐침, 스프링
Abstract:
An insulating probe tips and a method for manufacturing the same are provided to manufacture a probe card having the insulating probe tips with micro gaps therebetween without enlarging the thickness of the probe tips. A photoresist film(330) formed on a metal film(320) is patterned. A high hardness plating film is formed on the metal film. The high hardness plating film is separated from a substrate. An insulating film is deposited on a surface of the high hardness plating film. Both ends of the insulating film are then removed. The deposition of the insulating film is executed by one of PECVD(Plasma Enhanced Convention Vapor Deposition), DLC(Diamond Like Carbon) plasma deposition, atmospheric plasma pressure coating treatment, and parylene plasma coating treatment.
Abstract:
A hybrid high-strength probe structure manufacturing method using a plating binding method of different kinds of materials is provided to secure mechanical stability of a probe structure and to prevent wear resistance by combining a spring unit with relieved plating stress and a high-strength probe unit through plating using the different kinds of materials. A hybrid high-strength probe structure manufacturing method using a plating binding method of different kinds of materials is composed of steps for forming a probe unit(260) on a substrate; forming a second photosensitive film on the substrate having the probe unit; forming a pattern of a spring unit(270) on the second photosensitive film; plating the pattern of the spring unit; removing the second photosensitive film; separating a probe structure(280) from the substrate; and inserting the probe structure into a carrier hole.
Abstract:
본 발명은 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 복잡한 장치를 사용하지 않으면서 쉽게 강유전체의 분극을 알 수 있는 캔틸레버의 탐침을 제조하기 위한 것이다. 본 발명의 강유전체를 이용한 원자간력 현미경 캔틸레버의 탐침은 캔틸레버 지지부; 상기 캔틸레버 지지부 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 금속층 및 상기 금속층의 첨두부에 형성된 강유전체로 구성됨에 기술적 특징이 있다. 강유전체, 탐침, 전기분극
Abstract:
본 발명은 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 상전이 박막 상에 금속-절연체 상전이 박막을 추가로 증착하여 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 고밀도의 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조하는 것에 관한 것이다. 본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체는 상전이 박막을 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 있어서, 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하는 금속-절연체 상전이 박막으로 구성됨에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치의 기록매체 및 기록/재생/소거 방법은 상전이에 의하 저항치의 변화를 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체를 제조함에 있어 제1 상전이 박막 상에 제2 상전이 박막을 추가로 증착함으로써 기록밀도를 현저히 높일 수 있는 장점이 있고, 테라비트급 탐침형 정보저장장치에 사용이 가능하며 PRAM 소자에 응용할 수 있는 효과가 있다. 상전이 박막, 기록매체, 정보저장, 기록, 재생, 소거
Abstract:
A driver for a low power probe type information storage device is provided to reduce the weight, decrease the driving power, and enhance the vertical strength by forming a lattice structure on a surface opposite to a recording surface of a middle transfer stick. A middle frame is connected to an outer frame(100) through springs, and moves in an X direction. A first seesaw is fixed to the outer frame(100), and connected to an X-axis driver and the middle frame through springs. A middle transfer stick(115) is connected to the middle frame though springs, and moves in a Y direction. A second seesaw is fixed to the outer frame(100), and connected to a Y-axis driver and the middle transfer stick(115) through springs. A recording medium(110) is joined to the middle transfer stick(115). A lattice structure is formed in the center portion of the middle transfer stick(115). A lower substrate(130) has coils for moving the X-axis and Y-axis drivers.
Abstract:
본 발명은 열화 현상을 제거할 수 있는 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 제 1 전극, P형 반도체층, 흡수층, N형 반도체층과 제 2 전극이 순차적으로 적층된 태양전지 소자영역과; 상기 제 2 전극 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성된 박막히터 패턴로 구성된다. 따라서, 본 발명은 태양전지 내에 박막히터를 내장하여 장시간 빛에 노출시킨 후 박막히터에 전류 또는 전압을 인가해 열처리함으로써, SW(Staebler- Wronski) 효과에 의한 박막의 특성저하 현상을 해결할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 탄소나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (e) 상기 금속막을 열처리한 후에 구형으로 변형하여 금속구를 형성하는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 탄소 나노튜브를 수직으로 배양시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다. 따라서, 본 발명의 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.