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公开(公告)号：KR100988477B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020080042432
申请日：2008-05-07
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 MEMS 공정을 이용하여 형성한 마이크로 히터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 히터배선의 하부 구조를 식각하여 히터배선 부분만 기판으로부터 격리되어 떠있도록 제작된 마이크로 히터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 민더 타입의 배선을 그리드 타입으로 제조함으로써, 제작공정과 열방사 효율을 향상시키고, 히터배선을 지지하는 하부의 지지기둥을 완전히 열산화시켜 열고립구조를 개선한 마이크로 히터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 마이크로 히터 및 그 제조 방법은 기판상에 절연막을 증착한 후, 사진식각 공정을 이용하여 히터배선과 전극패드를 패터닝하는 제1단계; 패터닝된 상기 기판의 전면을 식각하여 컬럼구조물을 형성하는 제2단계; 상기 컬럼구조물을 식각하여 지지기둥과 전극패드를 제외한 부분이 상기 기판으로부터 릴리즈된 구조물을 형성하는 제3단계; 및 릴리즈된 상기 구조물을 포함한 상기 실리콘 기판 전면에 금속층 또는 열저항체층을 증착해 히터배선 및 전극패드를 형성하는 제4단계를 포함하는 마이크로 히터의 제조방법에 그 기술적 특징이 있다.
MEMS, 마이크로 히터, 반사막, 민더(Meander)타입, 그리드(Grid)타입, 열고립-
公开(公告)号：KR100965837B1
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080050649
申请日：2008-05-30
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터 및 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기존의 실리콘 기판에 제조된 트랜지스터를 플렉시블 기판 상에 일괄적으로 전사 내지는 이동시키는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터 및 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터 및 제조 방법은 실리콘층, 산화막층 및 단결정 실리콘층으로 구성된 SOI 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 제 1단계; 상기 트랜지스터가 형성된 상기 SOI 기판 상에 플렉시블 기판을 형성하는 제 2단계; 상기 SOI 기판의 상기 실리콘층 하부를 식각하여 상기 산화막층을 노출시키는 제 3단계; 및 상기 SOI 기판 하부의 가장자리에 남아있는 실리콘층, 산화막층 및 단결정 실리콘층을 제거하는 제 4단계를 포함하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법에 기술적 특징이 있다.
플렉시블 트랜지스터, 전사, 폴리머 기판-
公开(公告)号：KR100951544B1
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020070136454
申请日：2007-12-24
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 포함하는 나노 스케일의 구조물을 이용한 바이오센서에 관한 것으로, 보다 자세하게는 휘어짐이 가능한 박막상에 고정된 타겟분자를 포획하기 위한 리셉터와 기능기를 포함하는 나노 스케일의 구조물을 이용한 바이오센서 및 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노 스케일의 구조물을 이용한 바이오센서는 타겟분자를 포함하는 테스트 용액을 저장하거나 흐르게 하기 위한 마이크로 체널; 상기 마이크로 채널 상단에 위치한 플렉서블 막박에 고정된 화학기능기와 연결되어 상기 타겟분자를 포획하기 위한 리셉터; 및 상기 마이크로 채널 하단에 위치하여 상기 타겟분자의 전하에 의한 전계영향을 감지하기 위한 나노 와이어 구조물을 포함함에 기술적 특징이 있다.
본 발명의 나노 스케일의 구조물을 이용한 바이오센서 제조방법은 타겟분자가 포함된 테스트 용액이 있는 마이크로 채널상에 플렉서블 박막을 형성하는 단계;
상기 플렉서블 박막에 표면처리를 하여 상기 타겟분자를 포획할 리셉터와 연결된 화학기능기를 부착하는 단계; 및 상기 마이크로 채널의 하단에 상기 타겟분자의 전하에 의한 전계효과를 감지하기 위한 나노와이어 구조물을 형성하는 단계를 포함함에 기술적 특징이 있다.
나노, 와이어, 바이오, 센서, 타겟, 분자-
公开(公告)号：KR1020090123720A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080049937
申请日：2008-05-28
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: C12Q1/6876 , B82Y5/00 , G06F19/10
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for sensing bio bar-coding are provided to quickly and accurately perform analysis of bar-coding DNA isolated from gold nanoparticle. CONSTITUTION: An apparatus for sensing bio bar-coding comprises: a magnetic part which removes protein by magnetic separation of reactant; and a separation part which separates bar-coding DNA attached on gold nanoparticle. A method for producing the bio bar-coding sensing apparatus comprises: a first step of forming silicon nanowire on a substrate having thermal oxide film; a second step of depositing electrode; a third step of exposing partial electrode which exists at lower portion; a fourth step of etching partial exposed electrode to exposure the particle for silicon nanowire; a fifth step of activating the surface of the silicon nanowire; and a sixth step of attaching complementary DNA on the activated silicon nanowire.
Abstract translation: 目的：提供用于感测生物条形码的设备和方法，以快速准确地进行从金纳米颗粒分离的条形码DNA的分析。 构成：用于感测生物条形码的装置包括：通过反应物的磁分离去除蛋白质的磁性部分; 以及分离附着在金纳米颗粒上的条形码DNA的分离部分。 一种生物条形码检测装置的制造方法，其特征在于，包括：在具有热氧化膜的基板上形成硅纳米线的第一工序; 沉积电极的第二步骤; 暴露存在于下部的部分电极的第三步骤; 蚀刻部分曝光电极暴露硅纳米线粒子的第四步骤; 激活硅纳米线表面的第五步骤; 以及在活化的硅纳米线上附着互补DNA的第六步骤。
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公开(公告)号：KR1020090086766A
公开(公告)日：2009-08-14
申请号：KR1020080012218
申请日：2008-02-11
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N21/3504 , G01N21/00
Abstract: An optical formula sensor is provided to reduce the size of the whole device and implement the long optical path and the high light efficiency in a narrow side. An optical formula sensor comprises an optical chamber(310), a light source(340), a first optical unit(320), a second optical unit(330), a light receiving element(360), and a filter(350). The chamber comprises a first opening(370) and a second opening(380). The first opening and the second opening are located at the side of an inner cavity. The first optical unit condenses the light generated in the light source to pass through one focus in the center of the optical axis. The second optical unit condenses the light reflected in the inner cavity of the optical chamber. The light receiving element measures the light intensity which is finally incident with the second optical unit. The filter is located between the second optical unit and the light receiving element.
Abstract translation: 提供了一种光学公式传感器，以减小整个装置的尺寸并实现窄光路的长光路和高光效率。 光学公式传感器包括光学室（310），光源（340），第一光学单元（320），第二光学单元（330），光接收元件（360）和滤光器（350）。 腔室包括第一开口（370）和第二开口（380）。 第一开口和第二开口位于内腔的一侧。 第一光学单元冷凝在光源中产生的光以在光轴的中心穿过一个焦点。 第二光学单元冷凝在光学室的内腔中反射的光。 光接收元件测量最终与第二光学单元入射的光强度。 滤光器位于第二光学单元和光接收元件之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090032926A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020080042432
申请日：2008-05-07
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A micro heater and a manufacturing method thereof are provided to lower the power consumption by maximizing the thermal isolation effect, and to use the micro heater as the excellent infrared light source. A micro heater comprises a heater wiring(130) which is separated from substrate, an electrode pad(140) which authorizes the voltage in the bi end of the heater wiring, and a support pillar(150) which supports the heater wiring. The heater wiring includes an insulating layer which electrically insulates substrate and heater wiring; and a metal layer which is evaporated on the insulating layer and flows current.
Abstract translation: 提供微加热器及其制造方法，通过最大化隔热效果来降低功耗，并且使用微加热器作为优异的红外光源。 微加热器包括与基板分离的加热器布线（130），授权加热器布线的双端电压的电极焊盘（140）和支撑加热器布线的支撑柱（150）。 加热器布线包括使基板和加热器布线电绝缘的绝缘层; 以及在绝缘层上蒸发并流过电流的金属层。
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公开(公告)号：KR100716937B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020060039593
申请日：2006-05-02
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 나노와이어소자 제조를 대량으로 가능하게 하는 방법에 관한 것으로 실리콘 웨이퍼에 종래의 사진식각공정과 실리콘 건식 식각 공정으로 직경이 수백 ㎚ 정도의 나노와이어 패턴을 제작한 후 실리콘 열산화 공정과 산화막 제거 공정을 이용하여 직경 수 나노미터 내지 수십 나노미터 크기의 나노와이어를 제작한다. 그리고 이를 절연막이 형성된 다른 기판에 전사시켜 나노와이어소자를 제작하는 방법을 제시한다. 나노와이어를 제조한 웨이퍼에서 절연막이 형성된 다른 웨이퍼로 나노와이어를 전사하는 방법을 이용함으로써 의도한 곳에 나노와이어를 위치시키려는 나노와이어 정렬과정이 불필요하며 SOI 웨이퍼를 사용할 필요가 없다.
실리콘 나노와이어, 나노와이어 릴리즈, 트랜스퍼Abstract translation: 本发明纳米线器件制造，然后此上的硅晶片的方法用于通过传统的光刻和硅干法蚀刻工艺使得能够大量生产的直径大约数百㎚硅热氧化工艺和氧化的纳米线图案 去除过程用于制造直径为几纳米到几十纳米的纳米线。 然后，提出通过将纳米线器件转移到具有绝缘膜的另一衬底来制造纳米线器件的方法。 不需要纳米线对准过程要放置通过使用用于传输到纳米线另一晶片绝缘膜的方法意图在一个纳米线在晶片制造的纳米线被形成，这是没有必要使用SOI晶片。
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公开(公告)号：KR102144585B1
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：KR1020180074286
申请日：2018-06-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N33/543 , G01N27/327
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