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公开(公告)号：KR100162863B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019940033313
申请日：1994-12-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 열적으로 안정된 반도체소자용 게이트금속(gate metal) 및 금속배선 제작을 위해 반도체와 금속 사이의 접촉베리어(contact barrier)에 대한 열적안정성을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 특히 갈륨비소반도체 위에 쇼트키장벽을 형성하고 열처리 수행시 300 ℃정도의 낮은 온도에서도 금속과 반도체 사이의 반응에 의한 접합장벽의 열화현상을 지연시켜줌으로써 열적안정성을 실현하려는 데 그 목적이 있다.
따라서, 본 발명 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화방법은 갈륨비소반도체의 쇼트키접촉용 금속으로 비저항이 작고 안정된 산화물인 산화루테늄의 접촉안정성을 높이기 위하여 갈륨비소반도체의 표면에 수소화를 실시함으로써, 반도체 표면에 존재할 수 있는 결함 및 불순물들의 전기적 이온상태를 중성화시켜 접촉베리어에 영향을 미치는 계면고정효과(interface pinning effect)를 방지할 수 있고, 접촉계면의 산화반응을 억제하게 되어 열적안정성을 유지하게 되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980068607A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005291
申请日：1997-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장되는 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980050584A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069419
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자소자의 제조는 직접 GaAs 기판에 V홈을 파거나 GaAs/AlGaAs 기판위에 V홈을 파고 그 위에 양자세선 모는 양자점을 형성하는 방법이 사용되었는데, 이러한 방법은 발광소자의 경우 V홈 뿐만 아니라 V홈 이외의 포면에서 형성된 소자에서도 빛이 발광되어 V홈에서 나오는 광의 우수한 양자점 특성을 상대적으로 약화시키게 되며, 여러 가지 구조와 공존하게 되면 양자선이나 양자점 등의 신호가 약해지거나 벌크(bulk) 신호에 묻혀 그 우수한 특성을 얻을 수 있게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 기판 위에 에피층을 형성하는 제1공정과, 포토레지스트를 이용한 사진식각(Photolithography) 방법으로 상기 에피층의 식각될 부분을 정의하는 제2공정과, 상기 에피층 및 갈륨비소(GaAs) 기판에 V홈을 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제4공정과, 상기 V홈이 형성된 시편 위에 활성 영역 및 비활성 영역을 형성하는 제5공정으로 이루어지는 긱자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법을 제공하는데, 이러한 본 발명은 기판과 에피층 간의 격자 부정합을 이용하여 V홈에 성장된 활성 영역으로만 광과 전류를 효과적으로 제어함으로써, V홈 이외의 표면에서는 빛이 나오지 않게 하고 V홈 내에서 발생되는 신호가 상대적으로 더 강하게 밖으로 나올 수 있도륵 하는 효과가 있다.
또한, 고효율의 광전소자, 광전소자 어레이, 양자우물, 양자세선 및 양자점 등의 구조를 갖는 양자소자에 적용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980030477A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960049916
申请日：1996-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 양자세선 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 레이저 다이오드들은 활성층으로의 전류주입을 증가시키기 위하여 레이저 구조 성장후 비활성층 부분에 대한 이온주입 또는 절연층의 증착과 같은 후속공정을 필요로 하였는데, 이러한 후속공정은 레이저 다이오드의 제작을 복잡하게 할 뿐만 아니라 활성층 내의 광구속(Optical confinement)계수의 감소로 인하여 레이저 다이오드의 특성을 저하시키는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 성장기판의 전도형과 반대 전도형의 에피층을 성장시키고 광리소그래피와 습식식각에 의해 기판 부분까지 V홈 패턴을 형성하여 전류차단층을 형성한 다음 V홈 패턴 위에 AlGaAs/GaAs의 양자세선 구조를 성장시키고 p와 n전극을 형성함으로써, 별도의 후속 공정없이 레이저 구조의 활성층으로만 전류의 유입이 가능하게 하여 낮은 문턱전류를 얻을 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100141417B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019940033715
申请日：1994-12-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 건식공정에 의한 주기율표 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 에칭방법으로서, 반도체의 열해리증발 온도 이상의 반도체 기판온도에서, 에칭제로서 트리알킬인듐 가스와 과산화수소 가스를 다같이 사용하는 반도체의 에칭방법에 관한 것이다.
본 발명에 따라 에칭제로서 트리알킬인듐 가스와 과산화수소 가스의 이용은 이들을 사용하는 금속 유기물 분자선에피탁시 장치나 화학빔에피탁시 장치와 함께 인라인 또는 인시투로 반도체의 선택적 에칭공정에서 유력한 에칭제로 활용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970077753A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960017439
申请日：1996-05-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법에 관한 것으로, 레이저 홀로그래피법과 습식식각에 의해 단주기 V홈 어레이가 형성된 갈륨비소 기판위에 유기금속화학증착법으로 AlGaAs/GaAs의 양자세선 어레이 구조를 형서성하고 불필요한 양자우물층을 제거하며 레이저발진시 전류를 양자세선으로만 흐르게 하기 위한 전류방지층을 미세패턴된 구조 위에 감광막을 이용한 리소그래피 기술을 이용하여 형성함으로써, 낮은 문턱전류와 고출력을 갖는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970072507A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011000
申请日：1996-04-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0352
Abstract: 본 발명은 유기금속화학증착(MOCVD)법에0 의해 에피층을 성장시킬 때 CCI
4 또는CBr
4 가스를 소량 유입시켜 수평 방향으로 PN접합 어레이 구조를 제조할 수 있게 한 수평 방향 반도체 PN접합 어레이 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 수평 방향으로서의 PN접합을 형성할 수 없었다. 이러한 점을 감안하여, N형 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착 (MOCVD)법으로 P형 에피층을 성장시키되, CCI
4 또는 CB r
4 가스를 유입시켜 수평 방향의 P-GaAs/N-GaAs 또는 P-AIGaAs/N-GaAs PN접합 어레이를 제조함으로써 입사된 광이 손실이 거의 없이 PN접합부분에 곧바로 도달되고, 광전소자의 효율을 높이거나 낮은 문턱전류의 레이저 다이오드 또는 도파손실이 작은 광도파로의 제작 등에 응용될 수 있게한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970043274A
公开(公告)日：1997-07-26
申请号：KR1019950051992
申请日：1995-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/40
Abstract: 본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드백(3.6eV) 구조를 가진 산화인듐(In2O3)박막으로부터 상혼에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내는 박막을 형성함으로써 가시광영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공을 제공하녀는 것으로, 열신공증차기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드캡 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970003681A
公开(公告)日：1997-01-28
申请号：KR1019950014500
申请日：1995-06-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 금속산화물과 화합물반도체 간의 접촉 계면에서의 열적 반응을 억제시켜 쇼트키 접촉소자의 열적 안정화를 꾀하도록 한 반도체소자 형성방법에 관한 것으로, Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체 표면을 황화처리하는 공정과; 황화처리된 상기 반도체 상에 마그네트론 스퍼터링법으로 금속산화물을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 갈륨비소반도체 표면에 형성된 갈륨-황과 비소-황 결합에 의해 접촉계면에서의 산화반응을 억제시킬 수 있게 되어 산화루테늄과 같은 저저항 금속산화물을 Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체 소자의 게이트재료로 활용할 때 계면의 열적안정성을 향상시킬 수 있게 된다.
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