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公开(公告)号：KR100490873B1
公开(公告)日：2005-05-23
申请号：KR1020010027084
申请日：2001-05-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B81C1/00
Abstract: 본 발명은 광 집적용 소자에 사용되는 초소형 렌즈 어레이 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 초소형 렌즈 어레이 제작을 위한 Si 몰드 마스터의 제작과 폴리머 물질과의 분리시 발생하는 점착력(adhesion) 문제를 해결할 수 있는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 반도체기판 상부에 산화막을 증착하는 단계와; 상기 산화막 상부에 감광막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 감광막 패턴을 식각장벽으로 이용하여 산화막 패턴을 형성하는 단계와; 식각 개스를 이용하여 상기 산화막 패턴을 식각장벽으로 등방성 식각 하여 반도체기판 하부에 원하는 패턴 만큼에 해당하는 크기를 갖는 언더컷이 진 렌즈 어레이 마스터를 형성하는 단계와; 상기 반도체기판 상부에 남아있는 산화막 패턴을 제거하는 단계와; 상기 결과물 전표면에 일정 두께의 폴리머를 증착하는 단계와; 상기 반도체기판 상부에 증착된 폴리머를 Si 마스터 구조물과 분리시켜 마이크로 렌즈 어레이의 형상을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징을 하는 초소형 렌즈 어레이 제조방법이 제시된다.
따라서, 본 발명은 기존의 렌즈 어레이 보다 효율적인 마이크로 렌즈 어레이 성능을 얻을 수 있고, Si 초소형 렌즈 어레이 마스터와 폴리머 물질 사이의 디몰딩(demolding)시 발생할 수 있는 점착력(adhesion) 문제를 최소화하여 신뢰성 있는 초소형 렌즈 어레이의 제조가 가능하다.-
公开(公告)号：KR100407771B1
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：KR1020010028895
申请日：2001-05-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01J1/52 , H04N5/335 , H01L27/146
Abstract: PURPOSE: An image sensing device combined with a three-dimensional horn antenna is provided to fabricate a three-dimensional reception antenna and a sensor and combine the antenna and the sensor with each other, so as to sensitivity of the sensor. CONSTITUTION: A horn antenna structure(20) is supported by supports(30a,30b) on a semiconductor substrate(10). A waveguide(25) of a horn antenna is formed at the center of the horn antenna structure. A sensor(40) is formed under the waveguide. The sensor includes an absorption layer(50) having the same size as the width of the waveguide and a thermal isolation leg(60) having a length larger than the width of the waveguide. The thermal isolation leg is formed in a circular shape such that the leg is extended.
Abstract translation: 目的：提供一种结合三维喇叭天线的图像传感装置，以制造三维接收天线和传感器，并将天线和传感器相互组合，从而提高传感器的灵敏度。 构成：喇叭天线结构（20）由半导体衬底（10）上的支撑件（30a，30b）支撑。 喇叭天线的波导（25）形成在喇叭天线结构的中心。 传感器（40）形成在波导下方。 该传感器包括具有与波导宽度相同尺寸的吸收层（50）和长度大于波导宽度的热绝缘腿（60）。 隔热腿形成为圆形以使腿延伸。
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公开(公告)号：KR100402991B1
公开(公告)日：2003-10-23
申请号：KR1020010066262
申请日：2001-10-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B26/08
Abstract: PURPOSE: A micro optical switch is provided, which is applied to an optical switch with a simple structure made of an upper electrode and a lower electrode. CONSTITUTION: A micro optical switch includes a semiconductor substrate(10), an insulation layer(20) and a lower electrode(30) formed on the semiconductor substrate(10) successively, an upper electrode(40) having a predetermined length coupled to the one side of the upper surface of the insulation layer(20), a mirror surface(60) and a coated connection member(50) in such a way that a portion of the coated connection member(50) is connected to the ground surface of the mirror surface(60) at a portion of the upper electrode(40) not coupled to the insulation layer(20).
Abstract translation: 目的：提供一种微型光学开关，其应用于具有由上电极和下电极构成的简单结构的光开关。 本发明提供了一种微型光开关，包括：半导体衬底（10），在半导体衬底（10）上依次形成的绝缘层（20）和下电极（30），具有预定长度的上电极（40） （50）的一部分连接到绝缘层（20）的上表面的一侧，镜面（60）和涂覆的连接构件（50），以使得涂覆的连接构件 在上电极（40）的未与绝缘层（20）耦合的部分处的镜面（60）。
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公开(公告)号：KR1020030073616A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020013266
申请日：2002-03-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a high quality nano thin film for an infrared detecting device is provided to perform a low temperature process without an expensive ion apparatus and improve repeatability of a thin film without depositing several tens of thin films by forming a vanadium oxide nano thin film. CONSTITUTION: A sandwich-type nano thin film structure is formed in which vanadium oxide layers(10,30) are used as an upper layer and a lower layer and a metal layer(20) is used as an insertion layer. A heat treatment process is performed in an oxygen atmosphere so that the lower vanadium oxide layer is deoxidized to the metal layer so as to be a mixed phase(40) by oxygen diffusion. The metal layer is oxidized to be a mixed phase by the oxygen diffused from the surface and the lower layer, including a mixed phase of a VO2 and V2O5 phase contributing to a high temperature coefficient of resistance(TCR) value and a V2O3 phase contributing to a low resistance value.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于红外检测装置的高质量纳米薄膜的方法，以便在没有昂贵的离子装置的情况下进行低温处理，并且通过形成氧化钒纳米颗粒而不沉积几十个薄膜来提高薄膜的重复性 薄膜。 构成：形成夹层型纳米薄膜结构，其中使用钒氧化物层（10,30）作为上层，下层和金属层（20）用作插入层。 在氧气氛中进行热处理工序，使得下部氧化钒层通过氧气扩散而脱氧化为金属层而成为混合相（40）。 金属层通过从表面和下层扩散的氧被氧化成混合相，包括有助于高温电阻系数（TCR）值的VO2和V2O5相的混合相，以及有助于 低电阻值。
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公开(公告)号：KR1020020090401A
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：KR1020010028897
申请日：2001-05-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L51/00
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a three-dimensional micro antenna using ultra low-speed gradient rotary exposure is provided to simplify a fabrication process of a structure of three-dimensional micro antenna and a waveguide by using a MEMS(Micro Electro Mechanical System). CONSTITUTION: A sacrificial oxide layer is formed on a semiconductor substrate(100). The first photoresist layer is deposited thereon. The first photoresist layer pattern is formed by using an exposure mask. The first metal layer is deposited thereon. The first photoresist layer pattern is exposed by polishing the first metal layer. A micro structure(110) is formed by removing the sacrificial oxide layer. A polymer layer is deposited on a whole surface of the above structure. The second photoresist layer is deposited thereon. The second photoresist layer pattern is formed by performing a patterning process. A round is formed on a surface of the polymer layer. The second metal layer is deposited thereon. The round of the second metal layer is removed by performing a polishing process. The third metal layer and the third photoresist layer are deposited thereon. The third photoresist layer pattern and the third metal layer pattern are formed by performing the patterning process. The third photoresist layer pattern is removed. A polymer layer pattern is formed. The fourth metal layer(124) is deposited thereon by using an electroless plating method. The third metal layer pattern and the polymer layer pattern are removed from the semiconductor substrate(100) by performing a plasma asher process.
Abstract translation: 目的：提供一种使用超低速梯度旋转曝光制造三维微型天线的方法，以通过使用MEMS（微机电系统）简化三维微型天线和波导的结构的制造工艺。 构成：牺牲氧化物层形成在半导体衬底（100）上。 第一光致抗蚀剂层被沉积在其上。 通过使用曝光掩模形成第一光致抗蚀剂层图案。 第一金属层被沉积在其上。 第一光致抗蚀剂图案通过抛光第一金属层而被曝光。 通过去除牺牲氧化物层形成微结构（110）。 聚合物层沉积在上述结构的整个表面上。 第二光致抗蚀剂层沉积在其上。 通过进行图案化处理形成第二光致抗蚀剂层图案。 在聚合物层的表面上形成圆形。 第二金属层被沉积在其上。 通过进行抛光处理除去第二金属层的一圈。 第三金属层和第三光致抗蚀剂层沉积在其上。 通过进行图案化工艺来形成第三光致抗蚀剂层图案和第三金属层图案。 去除第三光致抗蚀剂层图案。 形成聚合物层图案。 通过使用无电镀方法将第四金属层（124）沉积在其上。 通过进行等离子体灰化处理，从半导体基板（100）除去第三金属层图案和聚合物层图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020090399A
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：KR1020010028895
申请日：2001-05-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01J1/52 , H04N5/335 , H01L27/146
Abstract: PURPOSE: An image sensing device combined with a three-dimensional horn antenna is provided to fabricate a three-dimensional reception antenna and a sensor and combine the antenna and the sensor with each other, so as to sensitivity of the sensor. CONSTITUTION: A horn antenna structure(20) is supported by supports(30a,30b) on a semiconductor substrate(10). A waveguide(25) of a horn antenna is formed at the center of the horn antenna structure. A sensor(40) is formed under the waveguide. The sensor includes an absorption layer(50) having the same size as the width of the waveguide and a thermal isolation leg(60) having a length larger than the width of the waveguide. The thermal isolation leg is formed in a circular shape such that the leg is extended.
Abstract translation: 目的：提供与三维喇叭天线结合的图像感测装置，以制造三维接收天线和传感器，并将天线和传感器相互结合，以便传感器的灵敏度。 构成：喇叭天线结构（20）由半导体衬底（10）上的支撑（30a，30b）支撑。 在喇叭天线结构的中心形成喇叭天线的波导（25）。 传感器（40）形成在波导下方。 传感器包括具有与波导宽度相同尺寸的吸收层（50）和具有大于波导宽度的长度的热隔离支脚（60）。 热隔离腿形成为圆形，使得腿部延伸。
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公开(公告)号：KR1020020090398A
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：KR1020010028894
申请日：2001-05-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/146
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an image sensing device combined with a waveguide type antenna is provided to combine a cylindrical antenna with a sensing element by using a MEMS(Micro Electro Mechanical System). CONSTITUTION: A metal layer(110) is formed on a surface of a semiconductor substrate(100) in order to form a seed layer on the surface of the semiconductor substrate(100). A photoresist layer(120) of predetermined thickness is applied on an upper face of the metal layer(110). The thickness of photoresist layer(120) is about 100 to 200 micro meter. A patterning process is performed using an exposure mask. A photoresist layer pattern is formed by removing partially the photoresist layer(120) from the metal layer(110). A circular pillar of a waveguide type antenna is formed by removing the photoresist layer pattern. A conductive layer(140) is deposited on a whole surface of the above structure by using an electroless plating method. The remaining photoresist pattern is removed. A structure of a waveguide is fabricated by separating the metal layer(110) from the above structure.
Abstract translation: 目的：提供一种制造与波导型天线结合的图像感测装置的方法，通过使用MEMS（微机电系统）将圆柱形天线与感测元件组合在一起。 构成：在半导体衬底（100）的表面上形成金属层（110），以在半导体衬底（100）的表面上形成晶种层。 将预定厚度的光致抗蚀剂层（120）施加在金属层（110）的上表面上。 光致抗蚀剂层（120）的厚度为约100至200微米。 使用曝光掩模进行构图处理。 通过从金属层（110）部分去除光致抗蚀剂层（120）来形成光致抗蚀剂层图案。 通过去除光致抗蚀剂层图案来形成波导型天线的圆柱。 通过使用化学镀方法在上述结构的整个表面上沉积导电层（140）。 去除剩余的光致抗蚀剂图案。 通过将金属层（110）与上述结构分离来制造波导的结构。
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公开(公告)号：KR1020010100603A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：KR1020000023920
申请日：2000-05-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 적외선 감지층으로 이용되는 다층 구조의 산화바나듐막(V
2 O
5 ) 제조 방법에 관한 것으로, 다층박막법을 이용하여 V
2 O
5 /V/V
2 O
5 의 샌드위치 구조를 증착한 후 저온 열처리를 통한 확산 공정에 의해 박막의 재현성 및 특성 조절이 용이하도록 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 기존의 제조 방식인 스퍼터링법을 이용한 단층의 산화바나듐 박막 제조방법이 스퍼터링 장비가 갖는 재현성의 한계 때문에 박막 특성의 재현성 확보가 어려웠으나, 스퍼터링 장비의 재현성 한계 내에서 제조 가능한 안정상 인 산화바나듐막과 바나듐금속막의 복합구조를 제조한 후 저온에서 열처리하여 확산시킨다.
따라서, 본 발명은 재현성 있고 우수한 적외선 흡수능을 갖는 혼합 바나듐산화 박막 제조가 가능하며, 적외선 감지소자의 성능을 향상시킬 수 있다. -
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