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公开(公告)号：KR1020160146126A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020150082816
申请日：2015-06-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.
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公开(公告)号：KR1020160094138A
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020150015353
申请日：2015-01-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B24D18/00 , C01B31/36 , C01B32/956 , B23B27/14 , B23B2228/10 , B23C5/16 , C23C14/0635 , C23C14/35
Abstract: 고온내산화성이우수한초경도탄화붕소박막은, 탄화붕소층과탄화규소층이교대로반복적으로적층된구조를갖는다. 이에따라, 탄화붕소박막의고온내산화성이향상되어절삭공구등 내마모공구의코팅재료로사용가능하다.
Abstract translation: 耐高温氧化碳化硼薄膜具有碳化硼层和碳化硅层交替层叠的结构。 因此，提高了碳化硼薄膜的耐高温氧化性能，可用于诸如切削工具等的耐磨工具的涂层材料。
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公开(公告)号：KR101449655B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020130004469
申请日：2013-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 광 감지 센서는, 제1 인터디지테이티드(interdigitated) 전극; 제2 인터디지테이티드 전극; 및 상기 제1 인터디지테이티드 전극 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극 각각과 접촉하는 광전도층을 포함할 수 있다. 상기 광전도층에 입사된 입사광에 의해, 상기 제1 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면 및 상기 제2 인터디지테이티드 전극과 상기 광전도층의 계면에 표면 플라즈몬 플라리톤(surface plasmon polariton)이 여기될 수 있다. 표면 플라즈몬 폴라리톤에 의하여 광전도층의 광흡수가 특정 파장 대역에서 증폭될 수 있으며, 이를 이용하여 해당 파장 대역에서 광흡수를 나타내는 물질을 민감하게 감지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140092123A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130004469
申请日：2013-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B6/1226 , G01J3/18 , G01N21/553 , G02B6/124
Abstract: An optical detection sensor includes a first interdigitated electrode; a second interdigitated electrode; and an optical conduction layer which is in contact with each of the first and second interdigitated electrodes. Due to incident light inputted into the optical conduction layer, surface plasmon polaritons can be excited on the interface between the first interdigitated electrode and optical conduction layer, and interface between the second interdigitated electrode and optical conduction layer. The optical absorption of the optical conduction layer can be amplified at a specific wavelength range due to the surface plasmon polaritons and a material which shows optical absorption in the corresponding wavelength range can be sensitively detected using the same.
Abstract translation: 光学检测传感器包括第一叉指电极; 第二交叉电极; 以及与所述第一和第二叉指电极中的每一个接触的光导体层。 由于入射到光导层中的入射光，表面等离子体激元可以在第一叉指电极与光导体层之间的界面上激发，也可以在第二交叉电极与光导体层之间进行界面激发。 由于表面等离子体激元，可以在特定的波长范围内放大光导体层的光吸收，并且可以使用相同的波长范围来显示光吸收的材料。
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公开(公告)号：KR1020140072300A
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020120137651
申请日：2012-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C30B29/04 , C01B32/25 , C01P2004/64 , C23C16/27
Abstract: A manufacturing method of diamond powder of the present invention comprises a step of forming a seed particle including diamond on a substrate; a step of injecting source gas in a reaction chamber having the substrate and a filament positioned therein; a step of heating the substrate; a step of activating the source gas by heating the filament; a step of separating the seed particle from the substrate by using the heated filament; and a step of growing diamond on the seed particle separated from the substrate by using the activated source gas. According to the manufacturing method of the present invention, diamond powder can be manufactured in a gas-to-particle synthesis method.
Abstract translation: 本发明的金刚石粉末的制造方法包括在基材上形成包含金刚石的种子粒子的工序; 将源气体注入到具有基板和位于其中的细丝的反应室中的步骤; 加热基板的步骤; 通过加热灯丝来激活源气体的步骤; 通过使用加热的丝分离种子颗粒与基底的步骤; 以及通过使用活化的源气体在从基底分离的种子颗粒上生长金刚石的步骤。 根据本发明的制造方法，可以以气体 - 粒子的合成方法制造金刚石粉末。
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Patent Agency Ranking66.发明公开나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법 有权使用纳米金刚石的衰减总反射型波形谐振传感器和制造纳米晶金刚石波导的方法
公开(公告)号：KR1020140045001A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020120110684
申请日：2012-10-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N21/552 , C23C16/277 , G01N21/27 , G02B6/10
Abstract: An attenuated total reflection (ATR) type waveguide mode resonance sensor comprises a waveguide layer being in contact with a sample and formed of nanocrystalline diamond (NCD). The incident angle of incident light causing standing waves on the waveguide layer can be measured by the incident light entered into the ATR type waveguide mode resonance sensor. The waveguide formed of the NCD is formed by a hot filament chemical vapor deposition process using hydrocarbon-containing material gas. At this time, the crystal grain size of the NCD can be controlled by adjusting at least one among a substance temperature, a distance between a filament and a substance, and a hydrocarbon rate contained in the material gas. [Reference numerals] (AA) P-wave / TM mode; (BB) S-wave / TE mode
Abstract translation: 衰减全反射（ATR）型波导模式共振传感器包括与样品接触并由纳米晶体金刚石（NCD）形成的波导层。 可以通过入射到ATR型波导模式共振传感器的入射光来测量在波导层上产生驻波的入射光的入射角。 由NCD形成的波导通过使用含烃材料气体的热丝化学气相沉积法形成。 此时，可以通过调节物质温度，细丝与物质之间的距离和材料气体中所含的烃速率中的至少一种来控制NCD的晶粒尺寸。 （附图标记）（AA）P波/ TM模式; （BB）S波/ TE模式
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公开(公告)号：KR101369285B1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020120038556
申请日：2012-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/4488
Abstract: 본 발명은 텅스텐 카바이드의 성장시 과포화(supersaturation) 수준의 조절을 통해 나노구조의 정렬 형태를 제어함으로써 여러 형태의 텅스텐 카바이드 특히, 나노월 구조의 텅스텐 카바이드를 합성할 수 있는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법은 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정을 이용하여, 나노결정다이아몬드 박막 상에 수직 배열되는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드를 제조하는 것을 특징으로 하며, 상기 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정은, 챔버 내의 양극 상에 나노결정다이아몬드 박막이 형성된 기판을 구비시키고, 기판의 상부 이격된 위치에 표면이 탄화된 텅스텐 음극을 구비시킨 상태에서, 챔버 내에 수소 플라즈마가 인가된다.
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公开(公告)号：KR101349633B1
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：KR1020120137650
申请日：2012-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82B3/0009 , B82B1/00 , C01B32/182 , C01B32/25 , C01B2204/04
Abstract: A polyphase carbon nanostructure may include graphene sheaths including at least one graphene layer; and diamond nanoflakes embedded in the graphene sheaths. The graphene sheaths may comprise multilayer graphene. Each graphene layer in the graphene sheaths may be aligned in parallel with the surface of the diamond nanoflake (111). The polyphase carbon nanostructure may further comprise a nanocrystalline diamond film positioned to surround the graphene sheaths. The polyphase carbon nanostructure has a high electric conductivity compared to a conventional nanocrystalline diamond film, which does not include graphite. [Reference numerals] (AA) Intensity (a.u.); (BB) 302.1 eV(sp^3) : second band gap; (CC) Energy loss (eV)
Abstract translation: 多相碳纳米结构可以包括至少一个石墨烯层的石墨烯鞘; 和镶嵌在石墨烯护套中的金刚石纳米片。 石墨烯护套可以包括多层石墨烯。 石墨烯护套中的每个石墨烯层可以与金刚石纳米片（111）的表面平行排列。 多相碳纳米结构还可以包括定位成围绕石墨烯护套的纳米晶体金刚石膜。 与不含石墨的常规纳米晶体金刚石膜相比，多相碳纳米结构具有高导电性。 （AA）强度（a.u.）; （BB）302.1eV（sp ^ 3）：第二带隙; （CC）能量损失（eV）
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公开(公告)号：KR101331566B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020120031830
申请日：2012-03-28
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/0254 , C23C16/271 , C23C16/272
Abstract: 본 발명은 실리콘 산화막이 코팅된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 형성함에 있어서 기판 표면에 대해 수소 플라즈마 처리 또는 탄화수소 플라즈마 처리를 하거나 탄화수소 열처리를 수행함으로써, 후속의 초음파 파종 공정시 기판 표면과 나노다이아몬드 입자 간의 정전기 인력을 최대화하여 초음파 파종 공정시 기판의 실리콘 산화막 상에 나노다이아몬드 입자가 균일하게 분포, 결합되도록 하고, 궁극적으로 보이드(void)가 최소화된 균질의 나노결정다이아몬드 박막을 제조할 수 있는 나노결정다이아몬드 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법은 실리콘 산화막이 코팅된 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판을 표면처리하는 단계와, 나노다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 기판 을 넣은 후, 초음파를 조사하여 상기 기판 상에 나노다이아몬드 입자를 분산, 결합시키는 단계 및 상기 나노다이아몬드 입자가 결합된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 표면처리에 의해, 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값이 표면처리되지 않은 경우의 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값보다 증가하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130115847A
公开(公告)日：2013-10-22
申请号：KR1020120038556
申请日：2012-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/4488
Abstract: PURPOSE: A two-dimensional nanostructured tungsten carbide and a manufacturing method thereof are provided to manufacture the tungsten carbides vertically arranged on a nanocrystalline diamond film using a chemical vapor deposition process to which hydrogen plasma is applied. CONSTITUTION: A manufacturing method of a two-dimensional nanostructured tungsten carbide includes a step of vertically arranging the tungsten carbides on a nanocrystalline diamond film using a chemical vapor deposition process to which hydrogen plasma is applied. In the chemical vapor deposition process, the hydrogen plasma is applied to inside a chamber while a substrate having the film is placed on an anode inside the chamber and a tungsten cathode of which the surface is carbonized is placed above the substrate.
Abstract translation: 目的：提供二维纳米结构碳化钨及其制造方法，以使用使用氢等离子体的化学气相沉积工艺来制造垂直设置在纳米晶体金刚石膜上的碳化钨。 构成：二维纳米结构碳化钨的制造方法包括使用施加氢等离子体的化学气相沉积工艺将钨碳化物垂直排列在纳米晶体金刚石膜上的步骤。 在化学气相沉积工艺中，将氢等离子体施加到室内，同时将具有膜的基板放置在室内的阳极上，并且将表面碳化的钨阴极放置在基板上方。
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