-
公开(公告)号：KR100973697B1
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：KR1020080050480
申请日：2008-05-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B01J3/006 , B01J19/088 , B01J2219/0809 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , C01B32/20 , C01B32/25 , C01B32/28 , C30B29/04 , C30B33/02 , Y10T428/30
Abstract: 본 발명은 다이아몬드를 고온 처리하여 다이아몬드 표면을 그라핀으로 변환시킴으로써 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질을 얻는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 다양한 형태의 다이아몬드를 수소 가스 분위기하에서 그라핀 상이 안정한 온도 (약 1200 ℃ 이상)로 유지시키면, 다이아몬드 {111} 격자 면 2개가 하나의 그라핀 판으로 변환 (2:1 변환)되는 원리에 의해, 다이아몬드 표면이 일정 두께만큼 그라핀으로 변환되어 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질을 제조할 수 있다.
그라핀, 다이아몬드, 수소, 하이브리드, 플라즈마, 고온 처리, AA 적층, 변환-
公开(公告)号：KR1020100013688A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020080075318
申请日：2008-07-31
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , C01B32/20 , C01P2002/78 , Y10T428/13 , Y10T428/261 , Y10T428/298 , Y10T428/2982
Abstract: PURPOSE: AA' stacked graphite of a stable crystalline state and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical characteristic by increasing electrical characteristic by increasing the interlayer distance compared to AB laminate graphite. CONSTITUTION: AA' stacked graphite of a stable crystalline state includes AA' stacked structure and consists of two or more graphene. Two carbon atoms are located on a hexagonal endocyclic of a first layer(A). The two carbon atoms are located on the hexagonal endocyclic of a second layer. A manufacturing method of the AA' laminate graphite is heat-treated in 1,000-2,000°C.
Abstract translation: 目的：提供具有稳定结晶状态的AA'叠层石墨及其制造方法，以通过增加与AB层压石墨相比的层间距离增加电特性来改善电特性。 构成：稳定结晶状态的AA'堆积石墨包括AA'堆叠结构，由两个或更多个石墨烯组成。 两个碳原子位于第一层（A）的六边形内环上。 两个碳原子位于第二层的六边形内环上。 AA'层压石墨的制造方法在1000-2000℃下进行热处理。
-
公开(公告)号：KR100813694B1
公开(公告)日：2008-03-14
申请号：KR1020070014547
申请日：2007-02-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32642
Abstract: A plasma focus apparatus is provided to move a target material to a substrate by focusing directly a high-energy source on a metal or a ceramic target attached on a front surface of an internal electrode. An internal electrode(3) includes a coupling member(4) installed at a front end thereof to be coupled with a target(5). An external electrode(2) is coaxially around the internal electrode to be isolated from the internal electrode. A power supply unit supplies electric power to the internal electrode and the external electrode. A substrate supporting plate is formed to support the substrate on which a material separated from the target through a plasma pinch effect is deposited or doped. A flange(1) is formed with a tubular structure. An insulator(10) is formed to cover an external surface of the internal electrode to isolate the internal electrode from the flange.
Abstract translation: 提供了一种等离子体聚焦设备，用于通过直接将高能源聚焦在附着在内部电极的前表面上的金属或陶瓷靶上来将目标材料移动到基板。 内部电极（3）包括安装在其前端以与目标（5）联接的联接构件（4）。 外部电极（2）与内部电极同轴地与内部电极隔离。 电源单元向内部电极和外部电极供电。 形成衬底支撑板以支撑沉积或掺杂等离子体夹紧效应的与靶分离的材料的衬底。 凸缘（1）形成有管状结构。 绝缘体（10）形成为覆盖内部电极的外表面，以将内部电极与凸缘隔离。
-
公开(公告)号：KR100797775B1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：KR1020060071001
申请日：2006-07-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/027 , C30B25/22 , B82Y40/00
CPC classification number: C23C16/0272 , C04B35/52 , C04B35/62218 , C04B2235/3217 , C04B2235/3236 , C04B2235/3418 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C23C16/01 , C23C16/26 , C23C16/272 , C30B25/22
Abstract: A diamond/carbon nano-material hybrid film and a fabricating method thereof are provided to fabricate the diamond/carbon nano-material hybrid film by using laminated porous silica spheres as a matrix and duplicating gas chemistry near the sample. A diamond film(4-1) is formed on one surface of a matrix, and a carbon nano material film(4-2) is formed on the other surface thereof. A sample set, in which matrix particles(1) are laminated at least by a layer on a substrate and spaces are ensured between a substrate and the matrix particles and between the matrix particles, is prepared. The sample set is put into an apparatus for synthesizing CVD diamond. A gas including hydrogen and carbon is introduced into the apparatus, and then a plasma is produced to form a diamond film on an upper portion of the matrix particles and a carbon nano-material film on a lower portion of the matrix particles.
Abstract translation: 提供了一种金刚石/碳纳米材料混合膜及其制造方法，通过使用层叠的多孔二氧化硅球作为基质并在样品附近复制气体化学物质来制造金刚石/碳纳米材料混合膜。 在基体的一个表面上形成金刚石膜（4-1），在其另一个表面上形成碳纳米材料膜（4-2）。 制备基质颗粒（1）至少层叠在基材和空间上的样品组，在基材和基质颗粒之间以及基质颗粒之间。 将样品组放入用于合成CVD金刚石的装置中。 将包括氢和碳的气体引入装置中，然后产生等离子体以在基体颗粒的上部形成金刚石膜，并在基体颗粒的下部形成碳纳米材料膜。
-
公开(公告)号：KR100678727B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020050030824
申请日：2005-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/27 , C23C16/01 , Y10T428/249957
Abstract: 본 발명은 기하학적 형태를 갖는 수 마이크로 내지 수 밀리미터 크기의 중공형 다이아몬드 쉘 및 그 제조방법에 관한 것으로, 다이아몬드 막이 CVD법으로 증착되고 후속적으로 에칭되는 희생모재로서 다공성 입자를 사용함으로써, 모재 에칭과정에서 에칭용액을 강하게 빨아들이는 모세관 현상에 의해 쉽게 모재를 제거할 수 있어서, 종래의 기술로는 제조할 수 없었던, 뚜렷한 열린 곳이 없이 다수의 나노 크기의 미세한 공극만을 갖고 있는, 완전한 다이아몬드 쉘을 제공할 수 있다. 또한, 다이아몬드 입자의 핵생성을 제어하여 입자 표면적의 10% 이하의 작은 열린 곳을 갖는 다이아몬드 쉘도 제조할 수 있다.
다이아몬드 쉘, 다이아몬드 막, CVD, 다공성 실리카 구, 모세관 도움 에칭-
Patent Agency Ranking66.发明授权
公开(公告)号：KR100411710B1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020010037563
申请日：2001-06-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/27
Abstract: PURPOSE: A process for synthesizing diamond powder having several micrometers or less of small particle size and spherical particle shape by chemical vapor deposition method is provided, and an apparatus which is capable of synthesizing diamond powder in large quantities by modifying structure of a synthesizing apparatus is provided. CONSTITUTION: In a CVD (chemical vapor deposition) diamond synthesizing apparatus for synthesizing a film shaped diamond on the substrate I by forming plasma in a vacuum container(1) thereby decomposing a carbon source reaction gas, the apparatus for synthesizing spherical diamond powder(7) comprises a substrate I(3) which is directly contacted with plasma(2), and a substrate II(8) which is mounted on the circumference of the substrate I so that the substrate II is not directly contacted with plasma, wherein the apparatus for synthesizing spherical diamond powder(7) comprises a substrate I which is fabricated in a ring shape, and a substrate II which is mounted on inner and outer parts of the ring shaped substrate I so that the substrate II is not contacted with plasma, the apparatus for synthesizing spherical diamond powder comprises two or more substrates I for separating plasma into two or more, and a substrate II which is mounted on the circumference of the substrates I so that the substrate II is not contacted with plasma, and wherein the substrate II is installed within 10 cm from plasma with the substrate II not being contacted with plasma.
Abstract translation: 目的：提供一种通过化学气相沉积法合成具有几微米或更小的小粒径和球形颗粒形状的金刚石粉末的方法，通过改变合成装置的结构能够大量合成金刚石粉末的装置是 提供。 本发明提供一种在真空容器（1）内形成等离子体，由此分解碳源反应气体，在基板（1）上合成薄膜状金刚石的CVD（化学蒸镀）金刚石合成装置，其特征在于， ）包括与等离子体（2）直接接触的基板I（3）和安装在基板I的圆周上以便基板II不直接接触等离子体的基板II（8），其中该设备 用于合成球形金刚石粉末（7）的装置包括制造成环形的基底I和安装在环形基底I的内部和外部以使基底II不与等离子体接触的基底II， 用于合成球形金刚石粉末的设备包括用于将等离子体分离成两个或更多个的两个或更多个衬底I，以及安装在衬底I的圆周上的衬底II， 衬底II不与等离子体接触，并且其中衬底II安装在离等离子体10cm内，而衬底II不与等离子体接触。
-
公开(公告)号：KR1020000067650A
公开(公告)日：2000-11-25
申请号：KR1019990015647
申请日：1999-04-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/06
CPC classification number: C23C16/272 , C23C16/27 , C30B25/105 , C30B29/04 , C01B32/25
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of flat diamond film by chemical vapor deposition is provided which has no growth crack by controlling intrinsic stress applied to film. CONSTITUTION: The fabrication method of flat diamond film without crack is characterized in that a diamond thin film is deposited on a tungsten(W) substrate(1) having high elastic coefficient at 1250°C, followed by rising up and down(within 200°C) of the deposition temperature of a layer(2) in sequence or several steps. The resulting film thickness is 1010-1015μm(growing rate:10.1-10.5 micrometer/h, film preparing time:100hrs.), in case of dropping temperature by decreasing applied power ranged from 20-50hrs of preparing time and with 5-6°C ranged from 51-100hrs. of preparing time at 15hrs. intervals.
Abstract translation: 目的：通过化学气相沉积制备平面金刚石薄膜的方法，通过控制施加于薄膜上的固有应力，不产生生长裂纹。 构成：无裂纹的平坦金刚石薄膜的制造方法的特征在于，在1250℃下具有高弹性系数的钨（W）基板（1）上沉积金刚石薄膜，然后上下（在200°以内） C）层（2）的沉积温度顺序或几个步骤。 所得到的膜厚度为1010-1015μm（生长速度：10.1-10.5微米/小时，膜制备时间：100小时），通过降低施加功率在20-50小时的制备时间下降温度和5-6度 C从51-100小时。 在15小时准备时间。 间隔。
-
-
公开(公告)号：KR1019950013982A
公开(公告)日：1995-06-15
申请号：KR1019930023549
申请日：1993-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/06
Abstract: 본 발명은 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 합성방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 가느다란 음극현수봉에 의해 음극으로부터 음극현수장치로의 열전달을 차단하여 음극 전체의 온도가 균일하게 2000℃이상으로 유지되게 하는 한편 음극의 형상을 변형시켜 자체 발열이 증가되도록 하여 플라즈마의 형성을 안정화시킨 가운데 다이아몬드의 합성을 수행하도록 구성되어 있다. 본 발명은 음극 전 체의 온도를 고상탄소의 형성온도 이상으로 균일하게 유지시킴에 의해 플라즈마의 안정화를 기할 수있고, 음극의 탄화에 의한 음극표면층의 벗겨짐(spalling)현상을 방지할 수 있어 음극의 수명을 증가시 킬 수 있는 효과가 있다.
-
公开(公告)号：KR1019940011348A
公开(公告)日：1994-06-21
申请号：KR1019920022102
申请日：1992-11-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/06
Abstract: 본 발명은 흑연판과 용매금속판을 교대로 적층하여 고온고압하에서 다이아몬드 입자를 합성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 다이아몬드의 육성시 용매금속판과 다이아몬드 입자의 밀도차에 의해 용매금속판의 아랫쪽면에 형성된 다이아몬드 입자가 용매금속판의 윗쪽면으로 떠오르는 현상을 방지하기 위하여 용매금속판의 사이에 텅스텐이나 몰리브데늄 박판으로 이루어진 중간층을 삽입한 데에 기술적 특징이 있다.
본 발명의 방법에 의하면 용매금속판의 상하부에 거의 같은 수, 같은 크기의 다이아몬드가 형성되는 이점이 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.023 seconds)
