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公开(公告)号：KR100150282B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019950048731
申请日：1995-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L12/28
Abstract: 본 발명은 월드 와이트 웹(World-Wide Web : 이하, WWW라 칭함) 상에서 클라이언트-서버(Clinet-Server)구조로 전송되는 다양한 멀티미디어 정보의 서비스 품질(이하, QoS라 칭함)을 사용자가 지정 제어하거나 네트웍의 상태에 따라 조절하는 방법에 관한 것으로, 미디어 별로 품질기준 및 품질 분류에 따라 적절한 클라이언트 서비스품질 값(QoS)을 선택하는 제1단계: 상기 제1단계에서 지정된 클라이언트 QoS값과 함께 서버에 정보를 요청하고, 서버는 다시 서버 QoS값과 클라이언트 QoS값을 비교하여 협상된 QoS값을 정한 후, 여기에 일치하는 품질을 가진 정보로 변환하여 협상된 QoS값과 함께 해당 정보를 전송하는 제2단계: 및 제어방식이 사용자 제어방식이면 클라이언트 QoS를 재지정하고, 적응 제어방식이면 협상된 QoS값과 이용가능 대역폭을 비교하여 클라이언트 QoS� ��을 재설정하는 제3단계로 수행되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019970076326A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960014314
申请日：1996-05-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 김광수
IPC: G06F15/16
Abstract: 본 발명의 월드-와이드 웹 브라우저를 통한 X.500 디렉토리 접속 제어방법에 관한 것으로, 종래에는 모든 속성값을 디렉토리 시스템에서 가져오는 매우 비효율적인 문제점과, 게이트웨이를 설치한 후 이용하는 도중에는 동적제어가 불가능한 단점이 있었다. 본 발명은 LDAP 서버와 연결되고 다시 디렉토리 액세스 프로토콜을 이용하여 X.500 디렉토리시스템 처리기에 연결하는 제1과정과; 이후하이퍼 텍스트 전송 프로토콜 처리기를 통하여 임의의 월드-와이드 웹 브라우저와 연결하는 제2과정과; 사용자에게 조절하기, 둘러보기, 읽기, 찾기, 도움말보기, 고치기 등의 기능을 제공하는 제3과정으로 이루어져 환경 의존적인 디렉토리 사용자 인터페이스의 중복 개발없이 X.500 디렉토리 시스템으로의 접근을 보다 용이하게 하며, 사용자에게 보다 편리함과 독립적인 디렉토리 사용자 인터페이스 및 동적인 제어를 가능하게 한다.
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公开(公告)号：KR100120719B1
公开(公告)日：1997-10-23
申请号：KR1019940026397
申请日：1994-10-14
IPC: H05K3/00
Abstract: A printed circuit substrate inserting and extracting apparatus with security device prevents extracting of printed circuit substrate and breakage of circuit components. The apparatus comprises a static electricity preventing means and a change preventing means. Thereby, the present invention can protect components device.
Abstract translation: 具有安全装置的印刷电路基板插入和提取装置防止印刷电路基板的提取和电路部件的断裂。 该装置包括防静电装置和变化防止装置。 因此，本发明可以保护组件设备。
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公开(公告)号：KR1019970056249A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950048731
申请日：1995-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L12/28
Abstract: 본 발명은 월드 와이트 웹(World-Wide Web : 이하, WWW라 칭함) 상에서 클라이언트-서버(Clinet-Server)구조로 전송되는 다양한 멀티미디어 정보의 서비스 품질(이하, QoS라 칭함)을 사용자가 지정 제어하거나 네트웍의 상태에 따라 조절하는 방법에 관한 것으로, 미디어 별로 품질기준 및 품질 분류에 따라 적절한 클라이언트 서비스품질 값(QoS)을 선택하는 제1단계: 상기 제1단계에서 지정된 클라이언트 QoS값과 함께 서버에 정보를 요청하고, 서버는 다시 서버 QoS값과 클라이언트 QoS값을 비교하여 협상된 QoS값을 정한 후, 여기에 일치하는 품질을 가진 정보로 변환하여 협상된 QoS값과 함께 해당 정보를 전송하는 제2단계: 및 제어방식이 사용자 제어방식이면 클라이언트 QoS를 재지정하고, 적응 제어방식이면 협상된 QoS값과 이용가능 대역폭을 비교하여 클라이언트 QoS 을 재설정하는 제3단계로 수행되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019970030791A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040295
申请日：1995-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/085
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 저항 제조방법에 관한 것으로서, 저항체가 되는 다결정 실리콘층에 양의 온도계수를 갖는 공정과 음의 온도계수를 갖는 공정을 함께 진행한 후, 패턴닝하여 저항체를 형성하고, 콘택 및 저항을 형성하여 저항체를 구성하였으므로, 특정 저항값에서 온도 변화에 따른 저항값 변화가 방지되고, 저항체내의 불순물 농도가 일정하여 저항계수가 작아지므로 고온과 저온 모두에서 동작되는 반도체 소자의 동작 신뢰성이 향상된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970004018B1
公开(公告)日：1997-03-24
申请号：KR1019930029089
申请日：1993-12-22
IPC: G02B6/24
Abstract: Disclosed is a water-proof process structure of the outgo portion of an optic cable. A distribution device of an optic terminal box is attached on a utility pole or on an inside wall or outside wall of a house for a subscriber as a distribution device of an optic wire and outgoes an optic cable to each subscriber. The water-proof process structure comprises an optic terminal box body(1) which simultaneously tightens a cable having a plurality of cores and has a water-proof process function, a band clamp(3) which simultaneously tightens a water-proof rubber plate(2) and means(4) for water-proofing a cable and the cable, and a screw portion(60) for manufacturing and fixing the body(1) and a housing(5). Thus, the optic terminal box can be reduced.
Abstract translation: 公开了光缆的出口部分的防水处理结构。 光接收盒的分配装置连接在用户的电线杆上，房屋的内壁或外壁上，作为光线的分配装置，并将光纤电缆出口到每个用户。 防水处理结构包括：一个同时拉紧具有多个芯线的电缆并具有防水处理功能的光接收盒体（1）;带夹（3），同时使防水橡胶板 2）和用于防水电缆和电缆的装置（4）和用于制造和固定主体（1）的螺钉部分（60）和壳体（5）。 因此，可以减小光学接线盒。
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公开(公告)号：KR1019970003933A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：KR1019950017307
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
Abstract: 본 발명은 고속 동작용 주문형 반도체(Application Specified Integrated Circuit: 이하, ASIC이라 약칭함)에 적합한 BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor) 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은, 3층 구조로 되어 밑에서부터 차례로 p
- /n
+ /n
- 형 또는 n
- /p
+ /p
- 형으로 된 기판에 소정의 깊이와 소정의 넓이로 p-웰과 n-웰을 인접하게 형성하되, 웰들의 깊이가, p
- /n
+ /n
- 형의 기판인 경우에는 제3층인 n-층의 바닥까지의 깊이로, n
- /p
+ /p
- 형의 기판인 경우에는 제3층인 p
- 층의 바닥까지의 깊이로 p
- 웰과 n
- 웰을 인접하게 형성하는 제1과정과, 상기 제1과정에 의해 형성된, 서로 인접한 위치에 있는 p-웰과 n-웰의 경계부위를 서로 격리시키고, 앞으로 형성될 베이스 영역과 컬렉터 영역 사이를 분리시키는 제2과정과, 상기 p-웰과 상기 n-웰에 각각 MOS 트랜지 터를 형성시키기 위하여 게이트 영역을 정의하고, 기판의 제3층에 컬렉터/에미터 영역을 형성하는 제3과정 및 상기 제4과정에 의해 게이트 영역이 정의되고 컬렉터/에미터 영역이 형성된 기판에 NMOS 트랜지스터, PMOS 트랜지스터 및 바이폴라 트랜지스터를 형성하되, 사이드 월 스페이서를 이용하여 상기 NMOS 트랜지스터와 상기 PMON 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 면적을 줄여 기생용량을 줄이는 제4과정을 포함하는 데에 있고, 그 효과는 종래의 BiCMOS 소자보다 더 빠른 동작이 가능한 BiCMOS 소자를 제공하여 고속 고집적화와 저전력소비화를 촉진하는 데에 있다.-
公开(公告)号：KR1019960026949A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035477
申请日：1994-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 고속고집적 반도체장치 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로 고속고집적 및 높은 신뢰성을 요구하는 정보통신용 집적회로에 응용가능한 기술이다.
본 발명에 의해 제작된 고속고집적 반도체장치는 소오스/드레인 영역이 주변의 산화막에 접하고 있어 기생접합 용량문제가 해결될 수 있을 뿐 아니라 활성영역과 비활성영역이 단차없이 수평면에 놓이게 되어 짧은 채널 길이(0.5㎛이하)를 갖는 게이트 다결정 실리콘의 형성이 용이해진다.
이와 같이 소오스/드레인을 산화막으로 둘러싸는 방법에는 SOl(silicon on insulator) 기판을 이용하는 방법도 있으나, 이의 단점은 실리콘기판보다 가격이 비쌀 뿐 아니라, 실리콘기판 접촉을 만들 수 없는 단점이 있다.
또한 소오스/드레인 접합이 산화막으로 둘러싸여 현재 메모리소자에서 신뢰성에 문제가 되는 고에너지 입자(
-입자)에 의한 영향을 제거할 수 있게 된다.
위와 같은 효과로 인해 본 발명의 반도체장치를 이용하면 짧은 채널 길이를 갖는 신뢰성 있는 메모리소자 및 고속의 집적회로 제조가 용이해진다.-
公开(公告)号：KR1019960019609A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940030616
申请日：1994-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정에 있어서 초고집적회로(ULSI)에 사용되는 MOSFET의 게이트절연막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 종래의 방법에 비해 낮은 온도와 짧은 시간에 게이트절연막을 형성시켜 짧은-채널효과(short-channel effect)를 줄이고, 성장된 절연막과 기판의 계면에 소정의 불순물을 주입시켜 절연막의 신뢰성을 개선시킬 수 있는 게이트절연막의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 고압의 산소 분위기에서 열전기로 또는 급속 열처리장치를 이용하여 산화막을 성장시키고 성장된 산화막을 상압 또는 고압의 N
2 O 분위기에서 열처리 공정을 수행함으로써, 게이트절연막의 신뢰성을 최대로 확보하면서 공정온도를 낮추고 공정시간을 단축시키는 것이다.
또한, 게이트절연막과 기판과의 계면에 질소를 효과적으로 주입하여 p
+ 다결정실리콘에 의한 게이트 형성시 불순물인 붕소가 채널영역으로 주입되는 것을 억제시킨다. -
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