편광조절 표면방출 레이저소자 및 그 제조방법
    61.
    发明授权
    편광조절 표면방출 레이저소자 및 그 제조방법 失效
    极化可重构垂直腔表面发射激光器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR100319752B1

    公开(公告)日:2002-01-09

    申请号:KR1019990050468

    申请日:1999-11-13

    Abstract: 표면방출레이저는광배선및 광통신용광원으로사용되고있는데편광에따라특성이다른광소자나광학기기와같이사용하기위해서는안정된편광특성을필요로하며편의에따라편광특성을조절하는것이유용하다. 본발명에서는표면방출레이저에서편광을조절할수 있는구조의편광조절표면방출레이저에관한것으로, 본발명의표면방출레이저소자는한 소자에서전극에따라두개의편광방향으로조절하며, 특히활성층근처에서산화막에의해발진영역이한정되므로횡모드의변화없이편광특성제어가가능하다.

    편광제어 표면방출 레이저 소자 및 그의 제조 방법
    62.
    发明公开
    편광제어 표면방출 레이저 소자 및 그의 제조 방법 失效
    极化控制表面发射激光器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020010055919A

    公开(公告)日:2001-07-04

    申请号:KR1019990057254

    申请日:1999-12-13

    Abstract: PURPOSE: A surface emitting laser for polarization control is provided to select oscillation light of polarized direction by controlling polarization without changing characteristic. CONSTITUTION: A surface emitting laser has a lower part mirror layer(32), resonance activity layer, upper part mirror layer(36). An insulation layer(37) gets inserted impurities-ion or fills up resonance activity layer after etching. The first upper part metal layer(38) gets supplied with current for lasering and is formed on the upper part mirror layer(36). The second upper part metal layer controls polarization to each vertical direction about the semiconductor board(31) with isolating the first upper part metal layer(38) from the insulating layer(37). The first lower part metal layer(41a) gets supplied with lasering current with the first upper part metal layer(38) at the same time and is formed on bottom of the semiconductor board(31). The second lower part metal layer(41b) gets supplied with polarization control current at the same time with the second upper part metal layer, keeping the fixed intervals with the first lower part metal layer(41a) on bottom of the semiconductor board(31).

    Abstract translation: 目的:提供用于偏振控制的表面发射激光器,通过控制偏振而不改变特性来选择偏振方向的振荡光。 构成:表面发射激光器具有下部镜层(32),共振活性层,上部镜层(36)。 绝缘层(37)在蚀刻后插入杂质离子或填充共振活性层。 第一上部金属层(38)被供给用于激光的电流并形成在上部镜面层(36)上。 第二上部金属层通过将第一上部金属层(38)与绝缘层(37)隔离来控制围绕半导体板(31)的每个垂直方向的偏振。 第一下部金属层(41a)同时与第一上部金属层(38)一起被供给激光电流并形成在半导体基板(31)的底部。 第二下部金属层(41b)与第二上部金属层同时被提供偏振控制电流,与半导体板(31)的底部保持与第一下部金属层(41a)的固定间隔, 。

    터치 패널
    63.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102227078B1

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:KR1020140035484

    申请日:2014-03-26

    Abstract: 본발명은터치패널로, 본발명의일실시예에따른터치패널은기판, 상기기판중 적어도일부상에형성된산화물층, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖고, 상기산화물층중 외부에노출된노출부를정의하도록상기산화물층상에형성된금속패턴부, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖도록상기금속패턴부상에형성된산화물패턴부및 상기산화물층의상기노출부중 적어도일부상에형성된광학적성질조절패턴부를포함한다.

    터치 스크린 패널
    64.
    发明授权
    터치 스크린 패널 有权
    触摸屏幕通道

    公开(公告)号:KR101570768B1

    公开(公告)日:2015-11-20

    申请号:KR1020120060929

    申请日:2012-06-07

    Inventor: 정우석 신재헌

    Abstract: 본발명은터치스크린패널을개시한다. 터치스크린패널은기판상에제1 방향으로배열된제1 전극셀들및 상기제1 전극셀들을상기제1 방향으로연결하는제1 연결전극들을포함하는제1 하이브리드전극, 및상기기판상에상기제1 하이브리드전극과이격되고상기제1 방향에교차하는제2 방향으로배열되고상기제1 연결전극들사이에배치된제2 전극셀들및 상기제2 전극셀들을상기제2 방향으로연결하는제2 연결전극들을포함하는제2 하이브리드전극을포함하고, 상기제1 하이브리드전극은순차적으로적층된제1 하부투명막및 제1 금속막을포함하고, 상기제2 하이브리드전극은순차적으로적층된제2 하부투명막및 제2 금속막을포함한다.

    터치 스크린 패널 제작 방법 및 터치 스크린 패널
    65.
    发明公开
    터치 스크린 패널 제작 방법 및 터치 스크린 패널 审中-实审
    制造触摸屏面板和触摸屏面板的方法

    公开(公告)号:KR1020150115072A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:KR1020140039353

    申请日:2014-04-02

    Abstract: 터치스크린패널제작방법및 터치스크린패널이개시되어있다. 정전용량방식의윈도우일체형터치스크린패널제작방법은강화처리된기판위에 OMO(oxide metal oxide) 하이브리드전극을형성하는단계와 OMO 하이브리드전극을식각하여패턴을형성하고, 패턴에패턴삽입계층을형성하는단계를포함할수 있되, OMO 하이브리드전극은강화처리된기판위에하위계층, 금속계층및 상위계층을적층하여형성되고, 패턴삽입계층은일정한범위의굴절율을가지는산화물을기반으로형성될수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种用于制造触摸屏面板和触摸屏面板的方法。 一种电容型的窗户一体型触摸屏面板的制造方法,包括在增强基板上形成OMO(氧化物金属氧化物)复合电极的步骤,以及通过蚀刻OMO混合电极形成图案的工序, 在图案中形成图案插入层。 OMO混合电极通过在增强基板上层叠下层,金属层和上层而形成。 图案插入层可以由具有反射指数范围的氧化物制成。

    터치 스크린 패널 및 그의 제조 방법
    66.
    发明公开
    터치 스크린 패널 및 그의 제조 방법 无效
    触摸屏面板及其制作方法

    公开(公告)号:KR1020140010848A

    公开(公告)日:2014-01-27

    申请号:KR1020120103353

    申请日:2012-09-18

    CPC classification number: G06F3/0412 G06F2203/04103

    Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of touch screen panel comprising the step of preparing a substrate including a wire area at a cell region and at the periphery of the cell region the step of forming a first buffer layer and a second buffer layer having a refractive index lower than that of the first buffer layer on the substrate; and the step of forming a transparent electrode on the second buffer layer wherein the second buffer layer is formed with a SiOC material.

    Abstract translation: 触摸屏面板的制造方法技术领域本发明涉及一种触摸屏面板的制造方法,其特征在于,具有如下步骤:在形成第一缓冲层的步骤和形成第一缓冲层的第二缓冲层的单元区域和周边的区域中, 折射率低于衬底上的第一缓冲层的折射率; 以及在第二缓冲层上形成透明电极的步骤,其中第二缓冲层由SiOC材料形成。

    박막 트랜지스터
    68.
    发明公开
    박막 트랜지스터 审中-实审
    薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR1020130105165A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:KR1020120027365

    申请日:2012-03-16

    CPC classification number: H01L29/7869

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor is provided to facilitate manufacture processes by forming an oxide channel layer including a host material. CONSTITUTION: A channel layer (12) includes metal-boron oxide. The metal-boron oxide is arranged on a gate electrode. A gate insulating layer is arranged between the gate electrode and the channel layer. A source and a drain region (16) are combined with the channel layer. A channel protection layer (13) is arranged on the channel layer.

    Abstract translation: 目的:提供薄膜晶体管,以通过形成包括主体材料的氧化物沟道层来促进制造工艺。 构成:沟道层(12)包括金属 - 氧化硼。 金属 - 氧化硼布置在栅电极上。 栅极绝缘层设置在栅电极和沟道层之间。 源极和漏极区域(16)与沟道层组合。 信道保护层(13)布置在信道层上。

    테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법
    70.
    发明授权
    테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법 失效
    用于产生/检测太赫兹波的装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101291319B1

    公开(公告)日:2013-07-30

    申请号:KR1020090088664

    申请日:2009-09-18

    CPC classification number: G01J3/10 G01J3/42 G01J5/0837

    Abstract: 본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법을 개시한다. 그 발생/검출기는, 기판; 상기 기판 상의 전면에 형성된 포토 컨덕티브 층; 상기 포토 컨덕티브 층 상에 형성되고, 소정 간극을 갖고 서로 이격되는 제 1 전극과 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상에서 형성되고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극사이의 상기 간극 내부를 매립시키는 렌즈를 포함한다.
    렌즈, 테라헤르츠(THz), 포토 컨덕티브(photo-conductive), 안테나(antenna)

Patent Agency Ranking