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公开(公告)号：KR101208030B1
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020090024623
申请日：2009-03-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/14 , H01S5/028 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/164 , H01S5/2231
Abstract: 외부공진레이저광원이제공된다. 이광원은기판, 기판상에수동도파로층, 하부클래드층, 활성층및 상부클래드층이순차적으로적층되되, 직선도파로영역, 굽은도파로영역, 테이퍼진 도파로영역및 윈도우영역을구비하는리지형광 도파로, 활성층주위에제공되어, 활성층외부로의전류흐름을차단하는전류차단층을포함한다. 직선도파로영역및 굽은도파로영역은매립형이종구조로이루어지고, 테이퍼진 도파로영역은매립형리지스트라이프구조로이루어진다. 수동도파로층은적어도굽은도파로영역, 테이퍼진 도파로영역및 윈도우영역에서테이퍼진 도파로영역의최대폭과실질적으로동일한폭으로제공되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101003053B1
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：KR1020080093260
申请日：2008-09-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/141 , G02B6/124 , H01S3/1055 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0612 , H01S5/3211 , H01S5/50
Abstract: 파장 가변 외부 공진 레이저는 브래그 격자를 가지는 티오 캔(TO can), 광신호를 방출하는 고발광 다이오드, 및 광섬유를 포함하되, 상기 고발광 다이오드로부터 방출된 광신호가 상기 브래그 격자에서 특정 파장으로 반사되고, 상기 반사된 광신호는 상기 고발광 다이오드를 경유하여 광섬유에 출력된다.
브래그 격자, 고발광 다이오드, 광출력-
公开(公告)号：KR1020100106140A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：KR1020090024623
申请日：2009-03-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/14 , H01S5/028 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/164 , H01S5/2231
Abstract: PURPOSE: An external cavity laser light source is provided to project a light having a narrow radiation angle by forming the width of active and passive optical waveguides of a ridge type. CONSTITUTION: A passive waveguide layer(112), an under-clad layer(114), an active layer(120), and a top clad layer(136) are successively laminated on a substrate(110). The ridged optical waveguide comprises a straight waveguide region, a curved waveguide region, a tapered waveguide region, and a window region. Current blocking layers(132,134) are arranged around the active layer. The current block layer blocks the flow of current to outside of the active layer.
Abstract translation: 目的：通过形成脊型有源和无源光波导的宽度，提供外腔激光光源来投射具有较窄辐射角的光。 构造：在衬底（110）上依次层叠无源波导层（112），下覆层（114），有源层（120）和顶部覆盖层（136）。 脊状光波导包括直波导区域，弯曲波导区域，锥形波导区域和窗口区域。 电流阻挡层（132,134）围绕有源层布置。 当前的阻挡层阻止电流流向有源层的外部。
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公开(公告)号：KR1020100072536A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080130968
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12 , H04B10/291
Abstract: PURPOSE: An optical amplifier is provided to remove a multimode while being used for an existing device manufacturing method. CONSTITUTION: A passive waveguide area(341) receives an incident optical signal. An active waveguide area(342) is welded to a passive waveguide area and modulates the inputted optical signal. The passive waveguide area has at least one multimode interferometer(346).
Abstract translation: 目的：提供一种用于在现有器件制造方法中使用的多模光纤放大器。 构成：无源波导区域（341）接收入射光信号。 有源波导区域（342）焊接到无源波导区域并调制输入的光信号。 无源波导区域具有至少一个多模干涉仪（346）。
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公开(公告)号：KR1020090035355A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070100597
申请日：2007-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/0547 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: A high efficiency solar cell and method for the same is provided to improve contact resistance of an ohmic electrode by forming the ohmic to be inclined less than 45 degrees. An inclined side is formed by using dry or the wet etching in forming an ohmic layer(450) which is formed on the inclined side by less than 45 degrees. An incident light(L) which is projected to the side of the top ohmic electrode is reflected at the ohmic electrode by over 45 degrees. The incident is projected inside the solar cell through an anti-reflection layer(480). The contact width of contacting ohmic layer is larger than that of the rectangle ohmic electrode, so high efficiency of a photoelectric conversion rate is obtained.
Abstract translation: 提供了一种高效率太阳能电池及其方法，以通过形成小于45度的欧姆度来提高欧姆电极的接触电阻。 通过使用干法或湿式蚀刻形成在斜面上形成小于45度的欧姆层（450）形成倾斜面。 投射到顶部欧姆电极一侧的入射光（L）在欧姆电极处反射超过45度。 事件通过防反射层投射在太阳能电池内（480）。 接触欧姆层的接触宽度大于矩形欧姆电极的接触宽度，因此获得了高效率的光电转换率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100750508B1
公开(公告)日：2007-08-20
申请号：KR1020060056212
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/341 , B82Y20/00 , H01S5/3403 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2304/00
Abstract: 본 발명은 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 레이저 다이오드는 InP 기판 상에 형성되는 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 격자정합층; 상기 제1 격자정합층 상에 형성되며, 교번 성장법에 따라 성장한 In(Ga, Al)As 양자점 또는 In(Ga, Al, P)As 양자점으로 이루어진 양자점층을 하나이상 포함하는 활성층; 상기 활성층상에 형성되는 제2 격자정합층; 상기 제2 격자정합층 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함한다.
이에 따라, 교번 성장법으로 형성된 양자점을 활성층으로 이용함으로써, 양자점의 균일도가 좋아 발광 피크의 반치 폭이 좁고 발광 피크의 세기가 현저히 증가할 수 있어, 소자 특성을 향상시킬 수 있다.
교번 성장법, 양자점, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR1020070059923A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060086028
申请日：2006-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/1237 , H01S5/1231 , H01S2304/04
Abstract: A quantum dot laser diode and a manufacturing method thereof are provided to acquire a good gain in a wanted oscillation wavelength without influence on a quantum dot uniformity by adapting a grating structure as a variable which has an influence on a quantum dot active layer. A manufacturing method of a quantum dot laser diode includes the steps of: forming a grating structure layer(120) having a plurality of gratings(130) on a substrate(110); forming a first lattice matching layer(140) on an upper part of the grating structure layer(120); forming at least one quantum dot layer(150) having at least one quantum dot on the first lattice matching layer(140); forming a second lattice matching layer(141) on the quantum dot layer(150); forming a clad layer(160) on the second lattice matching layer(141); and forming an ohmic contact layer(170) on the clad layer(160). One of an organic metal chemical deposition method, a molecular line deposition method, and a chemical line deposition method is used in the quantum dot forming step.
Abstract translation: 提供了一种量子点激光二极管及其制造方法，通过使光栅结构作为对量子点有源层有影响的变量来获得所需振荡波长的良好增益，而不影响量子点均匀性。 量子点激光二极管的制造方法包括以下步骤：在衬底（110）上形成具有多个光栅（130）的光栅结构层（120）; 在所述光栅结构层（120）的上部形成第一晶格匹配层（140）; 在所述第一晶格匹配层（140）上形成至少一个具有至少一个量子点的量子点层（150）; 在量子点层（150）上形成第二晶格匹配层（141）; 在所述第二晶格匹配层（141）上形成覆层（160）; 以及在所述包覆层（160）上形成欧姆接触层（170）。 在量子点形成工序中，使用有机金属化学沉积法，分子线沉积法，化学线沉积法之一。
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公开(公告)号：KR1020070059872A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060056215
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2301/185
Abstract: A distributed feedback quantum dot laser structure is provided to acquire stable single mode purity by dividing an upper electrode structure to reduce local carrier saturation and hole burning phenomena. A distributed feedback quantum dot laser structure(300) includes a first clad layer(320) on a lower electrode(310). An optical waveguide(330) is formed on the first clad layer(320). A grating structure layer(340) is formed on the optical waveguide(330) and includes a plurality of gratings(340a) arranged periodically. A first separate confinement hetero layer(345) is formed on the grating structure layer(340). An active layer(350) is formed on the first separate confinement hetero layer(345) and includes at least one quantum dot. A second separate confinement hetero layer(355) is formed on the active layer(350). A second clad layer(360) is formed on the second separate confinement hetero layer(355). An ohmic layer(370) is formed on the second clad layer(360). An upper electrode(380) is formed on the ohmic layer(370).
Abstract translation: 提供分布式反馈量子点激光器结构，通过分割上电极结构以减少局部载流子饱和度和空穴现象，获得稳定的单模纯度。 分布式反馈量子点激光器结构（300）包括在下电极（310）上的第一覆层（320）。 在第一覆盖层（320）上形成有光波导（330）。 在光波导（330）上形成光栅结构层（340），并且包括周期性排列的多个光栅（340a）。 第一分离的约束异质层（345）形成在光栅结构层（340）上。 活性层（350）形成在第一分离限制杂质层（345）上，并包括至少一个量子点。 在活性层（350）上形成第二分开的约束异质层（355）。 第二包层（360）形成在第二分离限制杂质层（355）上。 在第二覆层（360）上形成欧姆层（370）。 上电极（380）形成在欧姆层（370）上。
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公开(公告)号：KR1020070059871A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060056212
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/341 , B82Y20/00 , H01S5/3403 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2304/00
Abstract: A quantum dot laser diode and a manufacturing method there of are provided to improve uniformity of a quantum dot by using a quantum dot of an ideal shape as an active layer of the quantum dot laser diode. A quantum dot laser diode(200) includes a first clad layer(220) on an InP substrate(210). A first lattice matching layer(230) is formed on the first clad layer(220). An active layer(240) is formed on the first lattice matching layer(230) and includes at least one quantum dot layer(245) composed of an In(Ga,Al)As quantum dot or an In(Ga,Al,P)As quantum dot grown by an alternative growth process. A second lattice matching layer(231) is formed on the active layer(240). A second clad layer(250) is formed on the second lattice matching layer(231). An ohmic-contact layer(260) is formed on the second clad layer(250).
Abstract translation: 提供了量子点激光二极管及其制造方法，以通过使用量子点激光二极管的有源层的理想形状的量子点来提高量子点的均匀性。 量子点激光二极管（200）包括在InP衬底（210）上的第一覆盖层（220）。 在第一覆盖层（220）上形成第一晶格匹配层（230）。 活性层（240）形成在第一晶格匹配层（230）上，并且包括由In（Ga，Al）As量子点或In（Ga，Al，P）组成的至少一个量子点层（245） 作为通过替代生长过程生长的量子点。 第二晶格匹配层（231）形成在有源层（240）上。 第二覆盖层（250）形成在第二晶格匹配层（231）上。 欧姆接触层（260）形成在第二覆层（250）上。
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公开(公告)号：KR100701123B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050056053
申请日：2005-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B10/40
Abstract: 자가 발진 통신 모듈을 제공한다. 본 발명은 광소자, 태양 전지 및 고주파 무선 통신 소자가 수직적으로 단일 집적된 자가 발진 통신 소자를 포함한다. 상기 광소자의 활성층을 In(Ga)As 양자점으로 구성하면, 800nm에서 1600nm에 이르는 넓은 대역폭의 통신 파장을 얻을 수 있고, 광변조 특성 또한 초당 20기가비트(Gbps) 이상의 고속 신호를 전달할 수 있다. 상기 태양 전지의 광흡수층으로 밴드갭이 실리콘에 비해 상대적으로 크면서 가시광 흡수 효율이 높은 InGa(Al)P 물질층으로 형성하여 작은 수광면적에서도 고효율의 전류생성이 가능하게 된다. 이에 따라, 본 발명은 태양 전지를 이용하여 극지나 사막과 같은 곳에서 외부 전원 장치가 없더라도 항상 동작이 가능함과 아울러 넓은 대역폭의 광통신 및 고주파 무선 통신이 가능하다.
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