公开(公告)号：KR100571351B1

公开(公告)日：2006-04-17

申请号：KR1020030085998

申请日：2003-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문승언 ,  류한철 ,  곽민환 ,  김영태 ,  이상석 ,  이수재

IPC: H01P5/04

CPC classification number: H01P3/003 ,  H01P1/181

Abstract: 본 발명은 강유전체/상유전체 박막을 기본으로 하는 동일 평판형 전송선로 구조의 초고주파 가변소자에 관한 것이다. 임피던스 매칭을 위한 입출력부가 일정한 폭으로 형성된 전송선로 부분보다 넓게 형성된 제 1 선로와, 임피던스 매칭을 위한 입출력부가 일정한 폭으로 형성된 전송선로 부분보다 좁게 형성된 제 2 선로를 포함하며, 입출력부에서의 제 1 선로의 선폭 및 제 1 선로와 제 2 선로와의 갭을 각각 조절하여 연결선과의 임피던스 차이를 최소화시킴으로써 삽입손실과 반사손실이 최소화되도록 한다.
가변소자, 전송선로, 접지선, 임피던스, 위상변위기

Abstract translation: 本发明涉及一种基于铁电/半导体器件的相同平面传输线结构的超高频可变元件， 和第一线形成的输入和输出部分比具有恒定的宽度用于阻抗匹配，和一第二轨道形成的传输线的部分宽于由输入和输出所形成的传输线的部分形成窄添加恒定宽度为阻抗匹配，第一输入输出的 分别调整线的宽度和所述第一传输线的间隙和第二线路与线路，以使插入损耗和回程损耗通过最小化连接线之间的阻抗差最小化。

公开(公告)号：KR1020050052138A

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030085998

申请日：2003-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문승언 ,  류한철 ,  곽민환 ,  김영태 ,  이상석 ,  이수재

IPC: H01P5/04

CPC classification number: H01P3/003 ,  H01P1/181

Abstract: 본 발명은 강유전체/상유전체 박막을 기본으로 하는 동일 평판형 전송선로 구조의 초고주파 가변소자에 관한 것이다. 임피던스 매칭을 위한 입출력부가 일정한 폭으로 형성된 전송선로 부분보다 넓게 형성된 제 1 선로와, 임피던스 매칭을 위한 입출력부가 일정한 폭으로 형성된 전송선로 부분보다 좁게 형성된 제 2 선로를 포함하며, 입출력부에서의 제 1 선로의 선폭 및 제 1 선로와 제 2 선로와의 갭을 각각 조절하여 연결선과의 임피던스 차이를 최소화시킴으로써 삽입손실과 반사손실이 최소화되도록 한다.

公开(公告)号：KR1020050019211A

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：KR1020030056847

申请日：2003-08-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류한철 ,  문승언 ,  곽민환 ,  이수재 ,  이상석 ,  김영태

IPC: H01Q21/00

CPC classification number: H01P1/181

Abstract: PURPOSE: A distributed constant type analog phase shifter and a method for manufacturing the same are provided to reduce changes in characteristic of an CPW(coplanar waveguide) while maintaining changes in phase speed caused by a change in an applied voltage. CONSTITUTION: A distributed constant type analog phase shifter(100) comprises a substrate(110); a CPW extended in a line shape on the substrate; and a plurality of ferroelectric capacitors periodically loaded to the CPW. The ferroelectric substance of the ferroelectric capacitor is arranged into a pattern type.

Abstract translation: 目的：提供分布常数型模拟移相器及其制造方法，以在保持由施加电压变化引起的相位速度变化的同时减小CPW（共面波导）的特性变化。 构成：分布常数型模拟移相器（100）包括衬底（110）; 在基板上以线状延伸的CPW; 以及周期性地加载到CPW的多个铁电电容器。 铁电电容器的铁电体被配置为图案型。

公开(公告)号：KR100377476B1

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：KR1019990024699

申请日：1999-06-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정상돈 ,  강광용 ,  한석길 ,  이수재

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A laser molecular beam epitaxy(MBE) apparatus is provided in which an ion beam generator is set to easily control supply of active oxygen when a metal oxide is fabricated and an ion beam formed from various gases is irradiated on the surface of the metal oxide to change composition and structure thereof. CONSTITUTION: A laser MBE apparatus has a pressure gauge(12) and an external vacuum pump(11) and vaporizes a metal oxide target(1) with a high-power pulse laser beam at a low pressure to deposit a metal oxide on a substrate(2) heated by a heater(3). The laser MBE apparatus includes a gas flow rate adjustment controller(6) for receiving an electrical signal from the pressure gauge to control gas flow rates, a gas flow rate controller(7) for supplying gases such that the laser MBE apparatus has a desired inner vacuum degree when the metal oxide is deposited, an ion beam generation controller(5) attached to the outside of the MBE apparatus to control the speed of an ion beam, and an ion beam generator(4) set inside the MBE apparatus to ionize the gases inserted from the gas flow rate controller, generating the ion beam.

Abstract translation: 目的：提供一种激光分子束外延（MBE）装置，其中设置离子束发生器以便在制造金属氧化物时容易地控制活性氧的供应，并且由各种气体形成的离子束照射在金属表面上 氧化物以改变其组成和结构。 本发明的激光MBE设备具有压力计（12）和外部真空泵（11），并用高功率脉冲激光束在低压下蒸发金属氧化物靶（1）以在基底上沉积金属氧化物 （2）由加热器（3）加热。 激光MBE设备包括：用于接收来自压力计的电信号以控制气体流量的气体流量调节控制器（6）;用于供应气体的气体流量控制器（7），使得激光MBE设备具有期望的内部 在沉积金属氧化物时的真空度，安装在MBE设备外部以控制离子束速度的离子束产生控制器（5），以及设置在MBE设备内部的离子束发生器（4） 从气体流量控制器插入气体，产生离子束。