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公开(公告)号：KR100892309B1
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：KR1020070079049
申请日：2007-08-07
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 진공상태에서 반응부산물 또는 반응물에 빔을 입사하고 입사된 빔이 굴절 및 산란되도록 하여 출사되는 출사빔의 강도를 측정함으로써 반응부산물 또는 반응물의 정량 및 정성분석을 할 수 있도록 하는 실시간 공정진단이 가능한 적외선 분광 분석기에 관한 것으로, 본 발명의 실시간 공정진단이 가능한 적외선 분광 분석기는 빔이 입사되는 입사창(11)과, 상기 입사창(11)으로 입사된 빔이 입사되며 반응부산물 또는 반응물의 실시간 공정진단이 가능하도록 일시 수용하는 수용부(12)와, 상기 수용부(12) 내에서 입사된 빔이 반응부산물 또는 반응물에 통과하여 출사되는 출사창(13)과, 상기 수용부(12) 내부에 장착되며 상기 입사창(11)으로 입사된 빔이 상기 수용부(12) 내부를 적어도 한번 이상 왕복되도록 반사하여 상기 출사창(13)으로 출사되도록 하는 반사미러(14)를 포함하며, 내부가 진공상태로 되는 반응기(10); 상기 반응기(10)로부터 출사된 빔을 검출하는 검출기(20); 검출된 빔의 세기를 이용하여 시료의 정성 및 정량을 분석하는 분석기(30); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
실시간, 공정진단, 적외선, 분광 분석기, 진공상태-
公开(公告)号：KR1020080086257A
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020070028230
申请日：2007-03-22
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: A device and a method for diagnosing a precursor in poor surroundings are provided to analyze the precursor by employing a collector and a mass analyzing unit installed outside the device. comprises a container(110), an injection pipe(120), a drain pipe(130), a poor surroundings making unit(140), and a spectrum unit(150). A liquid organic metal precursor is stored in the container. The injection pipe extends under the liquid organic metal precursor stored in the container and injects inert gas to evaporate reaction gas or the liquid organic metal precursor. The drain pipe is located above the liquid organic metal precursor stored in the container to discharge the gas containing the evaporated liquid organic metal precursor. The poor surroundings making unit has a temperature control unit(141), a vibrator, a ultrasonic wave generating unit, and the injection pipe which are installed out of the container. The spectrum unit is installed in the container. A collector is installed at one of branched pipes connecting with the drain pipe and collects the discharged material. A mass analyzing unit is installed at another pipe of the branched pipes connecting with the drain pipe.
Abstract translation: 提供了用于诊断恶劣环境中的前体的装置和方法，以便通过使用安装在装置外部的收集器和质量分析单元来分析前体。 包括容器（110），喷射管（120），排水管（130），不良环境制造单元（140）和光谱单元（150）。 液体有机金属前体储存在容器中。 注入管延伸在储存在容器中的液体有机金属前体的下面，并注入惰性气体以蒸发反应气体或液体有机金属前体。 排水管位于储存在容器中的液体有机金属前体的上方，以排出含有蒸发的液体有机金属前体的气体。 恶劣的环境造型单元具有安装在容器外的温度控制单元（141），振动器，超声波发生单元和注射管。 光谱单元安装在容器中。 收集器安装在与排水管连接的分支管中的一个并收集排出的材料。 质量分析单元安装在与排水管连接的分支管的另一个管道上。
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公开(公告)号：KR100805930B1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020060094363
申请日：2006-09-27
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: An apparatus and method of measuring vapor pressure of a precursor in a semiconductor manufacturing process is provided to measure the vapor pressure accurately by reducing pressure variation due to precursor deposition and degasification. A precursor sample is contained in a sample container(100), and a pressure detector(300) is connected to the sample container via a tube. A main pumping unit has a valve and a constant pressure maintaining chamber(200) in which the vaporized sample flows in the pressure detector. A sensor(110) is attached to the sample container to monitor a decomposing state of the sample during a measuring process. A purge gas and sensor controller(820) checks the decomposing state of the precursor based on the signal of the sensor. The sample container and the pressure detector are disposed in an adiabatic partition(600) in a sealing manner.
Abstract translation: 提供了一种在半导体制造工艺中测量前体的蒸汽压力的装置和方法，通过减少由于前体沉积和脱气引起的压力变化来精确地测量蒸气压。 前体样品被包含在样品容器（100）中，并且压力检测器（300）经由管连接到样品容器。 主泵单元具有阀和恒压保持室（200），其中汽化样品在压力检测器中流动。 传感器（110）附接到样品容器以在测量过程中监测样品的分解状态。 吹扫气体和传感器控制器（820）基于传感器的信号检查前体的分解状态。 样品容器和压力检测器以密封方式设置在绝热隔板（600）中。
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公开(公告)号：KR100737406B1
公开(公告)日：2007-07-09
申请号：KR1020060045767
申请日：2006-05-22
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
Abstract: A method for preventing moisture permeation into a gate electrode is provided to prevent moisture from being permeated into the gate electrode with lapse of time by absorbing a surface of the gate electrode with molecular of hydrophobic functional group. A dielectric layer(30) is deposited on a substrate(60), and then a nitride film gate electrode layer(20) is deposited on the dielectric layer to have a thickness of 2 nm to 30 nm. A material having a hydrophobic functional group is absorbed on a surface of the nitride film gate electrode layer. A polycrystalline silicon layer(10) is formed on the upper surface of the nitride film gate electrode layer which is absorbed with the material.
Abstract translation: 提供防止湿气渗透到栅电极中的方法，以通过吸收具有疏水性官能团分子的栅电极表面来防止湿气随着时间的流逝而渗透到栅电极中。 在衬底（60）上沉积电介质层（30），然后在电介质层上沉积氮化物膜栅电极层（20）以具有2nm至30nm的厚度。 具有疏水官能团的材料被吸收在氮化物膜栅电极层的表面上。 在被材料吸收的氮化物膜栅电极层的上表面上形成多晶硅层（10）。
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公开(公告)号：KR101986117B1
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：KR1020170160095
申请日：2017-11-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170129602A
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020170044617
申请日：2017-04-06
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66 , H01L21/28 , H01L21/67 , H01L21/768 , G01N21/95
CPC classification number: H01L22/12 , G01N21/9501 , H01L21/28008 , H01L21/67248 , H01L21/76897 , H01L22/30
Abstract: 본발명에따른다층저항식다점온도측정웨이퍼센서(1)는, 웨이퍼(10) 상에복수개의전극배선(21)이형성되어이루어지는전극부(20); 웨이퍼(10) 상에서전극부(20)와다른층에위치하도록설치되며, 복수개의단위저항(31)이연결배선(32)에의해직렬연결되어이루어지는저항부(30); 전극부(20)와저항부(30) 사이에설치되는층간절연층(50); 및전극배선(21) 각각의일단이단위저항(31)들의양단에전기적으로연결되도록층간절연층(50)의비아홀에설치되는도전플러그(55); 를포함하여이루어짐으로써, 전극부(20)를통하여저항부(30)에서의전위차를측정하여웨이퍼(10)의온도균일도를간파하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 전극부(20)와저항부(30)가서로다른층에형성되기때문에저항부(30)의단위저항(31)과연결배선(32)을전극부(20)의방해를받지않고웨이퍼(10)의전면적에설치할수 있다. 따라서웨이퍼(10)의전면적에대해서온도균일도를세밀하게파악할수 있게된다.
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公开(公告)号：KR1020160064272A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020140167085
申请日：2014-11-27
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본실시예에따른열전박막의열전특성측정센서유닛은바닥면에배치되는히터유닛; 상기히터유닛의상측에배치되며, 제 1 패턴이상부면에형성되는제 1 감지센서; 및상기제 1 감지센서와일정거리이격배치되며, 바닥면에는제 2 패턴이형성되고, 상부면에는제 3 패턴이형성되는제 2 감지센서;를포함하며, 상기제 1 및 2 패턴사이에피측정대상물인샘플이상기제 1 및 2 패턴들과면 접촉하도록배치될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，热性能测量传感器包括：设置在底面上的加热器单元; 第一检测传感器，布置在加热器单元的上侧，并形成在第一图案的上表面上; 以及与第一检测传感器分离的具有形成在底面上的第二图案的第二检测传感器和形成在上表面上的第三图案。 能够将第一和第二图案之间的物体的样品布置成与第一和第二图案表面接触。 因此，能够测量平面内和横平面方向塞贝克系数。
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公开(公告)号：KR1020160064271A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020140167084
申请日：2014-11-27
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본실시예에따른열전박막의제백계수측정센서유닛은바닥면에배치되는히터유닛; 상기히터유닛의상측에배치되며, 제 1 패턴이상부면에형성되는제 1 감지센서; 및상기제 1 감지센서와일정거리이격배치되며, 제 2 패턴의하부면에형성되는제 2 감지센서;를포함하며, 상기제 1 및제 2 패턴사이에피측정대상물인샘플이상기제 1 및제 2 패턴과면 접촉하도록배치될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，用于热电薄膜的塞贝克测量传感器包括：布置在底表面上的加热器单元; 布置在所述加热器单元的上侧的第一检测传感器，在上表面上具有第一图案; 以及第二检测传感器，其与第一检测传感器分离一定距离，并形成在第二图案的下表面上。 在第一和第二图案之间的物体的样本能够被布置成与第一和第二图案表面接触。 因此，能够测量平面内和横平面方向塞贝克系数。
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公开(公告)号：KR1020160064270A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020140167083
申请日：2014-11-27
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: G01N25/00 , G01N25/005 , G01N25/18
Abstract: 본실시예에따른열전박막의제백계수측정장치는내부공간부에진공도를유지할수 있도록구성되는챔버; 상기챔버에설치되어상기내부공간부의공기를배출하여, 상기챔버내부공간부의진공도를조절하는터보펌프; 상기내부공간부에설치되며, 복수의구조물들의측벽을지지하여위치고정하는지그모듈; 상기지그모듈에의해위치고정되며, 상기내부공간부의바닥면에배치되는히터유닛; 상기히터유닛상측에배치되어상기히터유닛의열을외부로방출하는냉각유닛; 상기히터유닛과냉각유닛사이에개재되는적어도한 쌍의절연유닛; 및상기한 쌍의절연유닛사이에개재되는한 쌍의센싱유닛;을포함하며, 피측정대상인샘플은상기한 쌍의센싱유닛사이에개재될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，一种测量热电薄膜的塞贝克系数的系统包括：在内部空间单元中配置以保持真空度的室; 安装在所述室中的涡轮泵，以将空气排出所述内部空间单元以控制所述室的内部空间中的真空度; 安装在所述内部空间单元中的夹具模块，并且支撑多个结构的侧壁以固定所述结构的位置; 加热器单元，其位置由夹具模块定位并布置在内部空间单元的地板上; 布置在所述加热器单元的上侧的冷却单元，将来自所述加热器单元的热量排出到外部; 位于所述加热器单元和所述冷却单元之间的至少一对绝缘单元; 以及定位在所述一对绝缘单元之间的一对感测单元，其中作为测量对象的样品可以位于所述一对感测单元之间。 本发明能够直接测量在传统技术中未尝试的热电薄膜在横截面方向上的热电特性。
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公开(公告)号：KR101624487B1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：KR1020140163619
申请日：2014-11-21
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본발명의적외선검출기를제공한다. 이적외선광검출기는하부컨택층; 상기하부컨택층상에적층된광 흡수층; 상기광 흡수층상에적층된상부컨택층; 표면플라즈몬공명을유발하고상기상부컨택층상에적층되어복수의구멍을포함하는금속층; 및표면플라즈몬공명주파수에서외부에서입사하는광에대하여무반사조건을충족시키도록상기금속층상에적층된유전체층을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种红外检测器。 红外检测器包括：下接触层; 层叠在下接触层上的光吸收层; 层叠在光吸收层上的上接触层; 诱发表面等离子体共振并包括多个孔的金属层，其中金属层层压在上接触层上; 以及层叠在金属层上的电介质层，使得对于来自表面等离子共振频率的外部的入射光，满足防反射条件。 本发明的目的是提高具有量子阱结构的红外光电探测器或具有量子点结构的红外光电探测器的量子效率。
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