公开(公告)号：DE102013217801B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102013217801

申请日：2013-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER ,  HÖGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  ESCHER-PÖPPEL IRMGARD

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleiteranordnung umfassend:eine obere Kontaktplatte (41) und eine untere Kontaktplatte (42);eine Anzahl von Chipbaugruppen (2), von denen eine jede aufweist:- einen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) eine Oberseite und eine der Oberseite entgegengesetzte Unterseite aufweist, und wobei die Oberseite in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite beabstandet ist;- eine auf der Oberseite angeordnete obere Hauptelektrode (11);- eine auf der Unterseite angeordnete untere Hauptelektrode (12);- eine an der Oberseite angeordnete Steuerelektrode (13), mittels der ein elektrischer Strom zwischen der oberen Hauptelektrode (11) und der unteren Hauptelektrode (12) gesteuert werden kann; und- ein elektrisch leitendes oberes Ausgleichsplättchen (21), das auf der dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der oberen Hauptelektrode (11) angeordnet und mittels einer oberen Verbindungsschicht (31) mit der oberen Hauptelektrode (11) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden ist;eine dielektrische Einbettmasse (4), durch die die Chipbaugruppen (2) zu einem festen Verbund (6) stoffschlüssig miteinander verbunden sind, wobei bei einer jeden der Chipbaugruppen (2) die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) der betreffenden Chipbaugruppe (2) nicht oder zumindest nicht vollständig von der Einbettmasse (4) bedeckt sind;eine Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70), die auf dem festen Verbund (6) angeordnet ist und die die Steuerelektroden (13) der Chipbaugruppen (2) elektrisch leitend miteinander verbindet;wobeieine jede der Chipbaugruppen (2) derart zwischen der oberen Kontaktplatte (41) und der unteren Kontaktplatte (42) angeordnet ist, dass bei dieser Chipbaugruppe (2) die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) die obere Kontaktplatte (41) elektrisch kontaktiert.

公开(公告)号：DE102015115244A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：DE102015115244

申请日：2015-09-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H05K7/20

Abstract: Ein Aspekt betrifft einen Kühlkörper (1) mit einer Kühlkörper-Kontaktfläche (30) und wenigstens zwei eingebetteten Graphen-Lagen (4), wobei eine Anzahl (N) der Graphen-Lagen (4) jeweils sowohl von einer ersten Ebene (E1) als auch von einer zweiten Ebene (E2) geschnitten wird, und wobei die erste Ebene (E1) und die zweite Ebene (E2) einen ersten Winkel (α) von wenigstens 5° einschließen.

公开(公告)号：DE102015115140A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE102015115140

申请日：2015-09-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  HERBRANDT ALEXANDER

IPC: H02M1/00 ,  H05K7/20

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Stromrichteranordnung (1) aufweisend: wenigstens ein Halbleiterleitermodul (2, 2'); wenigstens einen elektrischen Kondensator (7); Befestigungsmittel (12, 13) zur mechanisch haltenden und/oder tragenden Befestigung und elektrischen Kontaktierung des wenigstens einen Halbleitermoduls (2, 2') an dem elektrischen Kondensator (7).

公开(公告)号：DE102015115132A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE102015115132

申请日：2015-09-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  HERBRANDT ALEXANDER

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/42 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (1) aufweisend: ein Substrat (3); wenigstens ein auf einer ersten Hauptoberfläche des Substrats (3) aufgebrachtes Halbleiterbauelement (4); ein Träger (2) mit einer Stift- oder Rippenkühlstruktur (7), wobei das Substrat (3) mit seiner der ersten Hauptoberfläche abgewandten zweiten Hauptoberfläche angrenzend an den Träger (2) angeordnet ist; mit einer das Substrat (3) und das wenigstens eine Halbleiterbauelement (4) bedeckenden Verkapselungsschicht (5) auf dem Träger (2); mit mehreren elektrisch leitenden Zuleitungen (6) zur elektrisch leitenden Kontaktierung des wenigstens einen Halbleiterbauelements (4), die die Verkapselungsschicht (5) durchgreifend angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102011083218B4

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：DE102011083218

申请日：2011-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BAYERER REINHOLD

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/58

Abstract: Halbleitermodul umfassend: eine feste Grundplatte (1); ein isolierendes Substrat (2) mit einem Isolationsträger (20), der eine Oberseite (20t) aufweist, auf die eine oberseitige Metallisierungsschicht (22) aufgebracht ist, sowie eine Unterseite (20b), auf die eine unterseitige Metallisierungsschicht (21) aufgebracht ist; einen Leistungshalbleiterchip (8), der auf der oberseitigen Metallisierungsschicht (22) angeordnet ist; einen Einsatz (3), der zwischen der Grundplatte (1) und der unterseitigen Metallisierungsschicht (21) angeordnet ist und der eine wellige Form mit einer Vielzahl von Wellenbergen (31) und einer Vielzahl von Wellentälern (32) aufweist, wobei die Wellenberge (31) der unterseitigen Metallisierungsschicht (21) und die Wellentäler (32) der Grundplatte (1) zugewandt sind; ein Lot (4), das zwischen der unterseitigen Metallisierungsschicht (21) und der Grundplatte (1) angeordnet ist, wobei das Lot (4) sämtliche Zwischenräume zwischen der unterseitigen Metallisierungsschicht (21), der Grundplatte (1) und dem Einsatz (3) vollständig verfüllt; wobei das Lot (4) – erste Bereiche (41) aufweist, von denen jeder wenigstens 90 Vol.% von einer oder mehreren intermetallischen Kupfer-Zinn-Phasen aufweist und sich durchgehend zwischen der Grundplatte (1) und einem der Wellentäler (32) erstreckt; und – weitere erste Bereiche (41) aufweist, von denen jeder wenigstens 90 Vol.% von einer oder mehreren intermetallischen Kupfer-Zinn-Phasen aufweist und sich durchgehend zwischen der unterseitigen Metallisierungsschicht (21) und einem der Wellenberge (31) erstreckt; und wobei der wellige Einsatz (3) als eine der folgenden Ausgestaltungen ausgebildet ist: als gebogene und/oder gepresste und/oder geprägte Metallfolie; als Vlies aus Metalldrähten.

公开(公告)号：DE102013217802A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102013217802

申请日：2013-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER ,  HÖGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  ESCHER-PÖPPEL IRMGARD

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung der betrifft eine Halbleiteranordnung. Diese umfasst eine obere Kontaktplatte (41), eine untere Kontaktplatte (42), sowie eine Anzahl von Chipbaugruppen (2). Eine jede der Chipbaugruppen (2) weist einen einen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10) auf, der eine Oberseite und eine der Oberseite entgegengesetzte Unterseite besitzt, wobei ie Oberseite in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite beabstandet ist. Auf der Oberseite sind jeweils eine individuelle obere Hauptelektrode (11) und eine individuelle Steuerelektrode (13); angeordnet. Die Chipbaugruppen (2) weisen entweder jeweils eine separate untere Hauptelektrode (12) auf, die auf der Unterseite des Halbleiterchips (100) der betreffenden Chipbaugruppe (2) angeordnet ist, oder eine gemeinsame untere Hauptelektrode (92), die bei einer jeden der Chipbaugruppen (2) auf der Unterseite des Halbleiterkörpers (100) dieser Chipbaugruppe (2) angeordnet ist. Bei einer jeden der Chipbaugruppen (2) kann mittels deren Steuerelektrode (13) ein elektrischer Strom zwischen der individuellen oberen Hauptelektrode (11) und der individuellen oder der gemeinsamen unteren Hauptelektrode (12, 92) gesteuert werden. Die Chipbaugruppen (2) sind durch eine dielektrische Einbettmasse (4) zu einem festen Verbund (6) stoffschlüssig miteinander verbunden sind. Eine Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70), die in den festen Verbund (6) eingebettet ist, verbindet die die Steuerelektroden (13) der Chipbaugruppen (2) elektrisch leitend miteinander.

公开(公告)号：SE1251008A1

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：SE1251008

申请日：2012-09-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  LENNIGER ANDREAS ,  UHLEMANN ANDREAS

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

公开(公告)号：DE102011080929A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：DE102011080929

申请日：2011-08-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  HOHLFELD OLAF

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/04

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundes, bei dem mindestens zwei Fügepartner (11, 12) fest miteinander verbunden werden. Hierzu werden ein erster und ein zweiter Fügepartner (11, 12) bereitgestellt, sowie ein Verbindungsmittel (21), ein Dichtmittel (4), ein Reaktor (7) mit einer Druckkammer (6), und ein Heizelement (8). Die beiden Fügepartner (11, 12) und das Verbindungsmittel (21) werden so in der Druckkammer (6) angeordnet, dass sich das Verbindungsmittel (21) zwischen dem ersten Fügepartner (11) und dem zweiten Fügepartner (12) befindet. Dann wird ein gasdichter Bereich (5) erzeugt, in dem das Verbindungsmittel (21) angeordnet ist. Danach wird in der Druckkammer (6) außerhalb des gasdichten Bereichs (5) ein Gasdruck (p62) von mindestens 20 bar erzeugt. Dieser Gasdruck (p62) wirkt auf den gasdichten Bereich (5) ein und presst den ersten Fügepartner (11), den zweiten Fügepartner (12) sowie das Verbindungsmittel (21) aneinander. Die Fügepartner (11, 12) und das Verbindungsmittel (21) werden dann mittels des Heizelementes (8) auf eine vorgegebene Maximaltemperatur von mindestens 210°C erhitzt und dann abgekühlt.

公开(公告)号：DE102009045063A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：DE102009045063

申请日：2009-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/52

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (100) mit einem Substrat (2), sowie mit einem Kühlkörper (3), der aus einer kunststoffbasierten Spritzgussmasse gebildet ist, die eine Wärmeleitfähigkeit von wenigstens 5 W/(mK) aufweist, und der das Substrat (2) unmittelbar kontaktiert. Auf dem Substrat (2) ist ein Leistungshalbleiterchip (1) angeordnet. Der Kühlkörper (3) kann dabei an die Unterseite (26) des Substrats (2) angespritzt sein. Zusammen mit einem mit einem solchen Leistungshalbleitermodul (100) verbindbaren Kühlkörperzusatz (200) entsteht ein Leistungshalbleitermodulsystem (400) mit einem Kühlmittelkanal (201) zur Aufnahme eines flüssigen Kühlmittels.

公开(公告)号：DE102009028360B3

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：DE102009028360

申请日：2009-08-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  GOERLICH JENS ,  BAYERER REINHOLD

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/52 ,  H01L21/98 ,  H01L23/15

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsträgeranordnung (100). Dabei werden ein Träger (1) mit einer Metalloberfläche (1t) bereitgestellt, sowie ein Substrat (2), das einen Isolationsträger (20) umfasst, der eine mit einer unteren Metallisierungsschicht (21) versehene Unterseite (20b) aufweist. Außerdem wird eine Verankerungsstruktur (3) bereitgestellt, die eine Vielzahl länglicher Säulen (31) umfasst, die auf ihrer dem Isolationsträger (20) abgewandten Seite jeweils ein erstes Ende (311) aufweisen. Dabei ist wenigstens eine Teilmenge dieser länglichen Säulen (31) über die gesamte Verankerungsstruktur (3) verteilt. Außerdem gilt für jede der Säulen (31) der Teilmenge, dass von deren Seitenwänden (313) jeweils kein oder höchstens drei längliche Verbindungsstege (32) ausgehen, die sich jeweils zu einer Seitenwand (313) einer anderen länglichen Säule (31) erstrecken und dort mit dieser verbunden sind. Die Verankerungsstruktur (3) wird zwischen dem Isolationsträger (20) und der Metalloberfläche (1t) positioniert. Dann wird die Metalloberfläche (1t) mit der unteren Metallisierungsschicht (21) und der Verankerungsstruktur (3) verlötet, wobei sämtliche Freiräume (5) zwischen der Metalloberfläche (1t) und der unteren Metallisierungsschicht (21) mit Lot (4) verfüllt werden. Mit diesem Verfahren kann z.B. ein Leistungshalbleitermodul (100) hergestellt werden. Hierbei umfasst das Substrat (2) eine obere Metallisierungsschicht (22), die auf der der ...