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    Verfahren, mit dem ein Schaltungsträger hergestellt wird, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
    1.
    发明专利
    Verfahren, mit dem ein Schaltungsträger hergestellt wird, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102011080299B4

    公开(公告)日：2016-02-11

    申请号：DE102011080299

    申请日：2011-08-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LENNIGER ANDREAS ,  HOHLFELD OLAF ,  KÜHLE ELMAR

    IPC: H01L23/14 ,  C04B41/88 ,  C04B41/90 ,  C22C1/08 ,  H01L21/48 ,  H01L21/58 ,  H01L23/373 ,  H05K1/05 ,  H05K7/20

    Abstract: Verfahren, mit dem ein Schaltungsträger (100) hergestellt wird, der eine Unterseite (100b) aufweist, eine in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite beabstandete Oberseite (100t), einen Keramikkörper (1) aus einem Keramikmaterial, der eine Vielzahl von Zwischenräumen (3) aufweist, in denen sich kein Keramikmaterial des Keramikkörpers (1) befindet; sowie ein festes Füllmetall (2); wobei die Gesamtheit der Zwischenräume (3) teilweise, aber nicht vollständig mit dem Füllmetall (2) verfüllt ist, wobei der Keramikkörper (1) ein Gesamtvolumen aufweist, das durch die Summe der Volumina des Keramikmaterials und der Zwischenräume (3) gegeben ist, wobei das Volumen des in den Zwischenräumen (3) befindlichen Füllmetalls (2) mindestens 10% und höchstens 90% vom Gesamtvolumen des Keramikkörpers (1) beträgt; und wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines porösen, aus einem Keramikmaterial bestehenden Keramikkörpers (1), der eine Oberseite (1t), eine der Oberseite (1t) abgewandte Unterseite (1b), sowie eine Vielzahl von Poren (3) aufweist; Einbringen eines flüssigen Füllmetalls (2) in einen Teil der Poren (3) über die Unterseite (1b), ohne dabei sämtliche im Volumenbereich des Keramikmaterials befindlichen Poren (3) mit dem Füllmetall (2) zu verfüllen; nachfolgendes Abkühlen des Füllmetalls (2) bis zu dessen vollständiger Verfestigung; Anordnen eines Dielektrikums (4) in sämtlichen oder einem Teil der nicht mit dem Füllmetall (2) gefüllten Poren (3), sowie die Schrittfolge (a) oder (b): Schrittfolge (a): (a1) Bereitstellen eines flüssigen Dielektrikums (4); (a2) Vollständiges oder teilweises Verfüllen der nicht mit dem Füllmetall (2) gefüllten Poren (3) mit dem flüssigen Dielektrikum (4) über die Oberseite (1t) des Keramikkörpers (1); und ...

    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005012992A1

    公开(公告)日：2006-10-05

    申请号：DE102005012992

    申请日：2005-03-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SIEPE DIRK ,  BAYERER REINHOLD ,  LENNIGER ANDREAS

    IPC: H01L21/607 ,  H01L21/66

    Abstract: The invention relates to a method and also a device and a system for bonding a semiconductor element (4), in which various contact areas (8) of the semiconductor element (4) are successively connected to terminal areas (2, 3, 7) by means of bonding wire elements (6) and in which an electrical variable influenced by the semiconductor element (4) is acquired during the bonding operation.

    HALBLEITERMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERMODULS
    3.
    发明专利
    HALBLEITERMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERMODULS 未知

    公开(公告)号：DE102012210158A1

    公开(公告)日：2013-12-19

    申请号：DE102012210158

    申请日：2012-06-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STEININGER CHRISTIAN ,  LENNIGER ANDREAS

    IPC: H01L23/367 ,  H01L21/58 ,  H01L23/13

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul und einer Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls. Das Halbleitermodul umfasst eine Bodenplatte (4) mit einer Oberseite (41) und einer der Oberseite (41) entgegengesetzten Unterseite (42), sowie einen Schaltungsträger (2), der mit einem oder mehreren Halbleiterchips (1) bestückt und auf der Oberseite (41) angeordnet ist. Unterhalb des Schaltungsträgers (2) weist die Bodenplatte (4) einen verdickten Abschnitt (45) auf, mit dem der Schaltungsträger (2) mittels eines Lotes (3) verlötet ist. Dabei ist die maximale Dicke (D45) des verdickten Abschnittes (45) größer als die mittlere Dicke ( ) der Bodenplatte (4). Zur Herstellung eines Halbleitermoduls werden ein mit einem oder mehreren Halbleiterchips (1) bestückter Schaltungsträger (2) und eine Bodenplatte (4). Die Bodenplatte (4) weist eine Oberseite (41), eine der Oberseite (41) entgegengesetzte Unterseite (42), eine mittlere Dicke ( ) und einen verdickten Abschnitt (45) auf, wobei die maximale Dicke (D45) des verdickten Abschnitts (45) größer ist als die mittlere Dicke ( ) der Bodenplatte (4). Der Schaltungsträgers (2) wir mit dem verdickten Abschnitt (45) mittels eines Lotes (3) an der Oberseite (41) verlötet.

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