Halbleitergehäuse mit einem Luftdrucksensor

    公开(公告)号:DE112013003193B4

    公开(公告)日:2022-02-10

    申请号:DE112013003193

    申请日:2013-06-10

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Halbleitergehäuse, umfassend:eine Vielzahl von Aufbauschichten,eine hermetisch versiegelte Kavität (110), die in einer oder mehreren der Aufbauschichten (102, 104, 106, 112, 116) angeordnet ist und von einem durchgehenden Durchkontaktierungsring (108/114) umgeben ist, undeinen Luftdrucksensor (400), der in der Vielzahl von Aufbauschichten angeordnet ist und die Kavität (110) und eine über der Kavität (110) angeordnete Elektrode (402/404) umfasst.

    Integrierte Schaltungs-Gehäusebaugruppen, die eine Glas-Lötstoppmaskenschicht enthalten

    公开(公告)号:DE102014104989A1

    公开(公告)日:2014-10-09

    申请号:DE102014104989

    申请日:2014-04-08

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen Techniken und Konfigurationen für integrierte Schaltungs-Gehäusebaugruppen, die eine Glas-Lötstoppmaskenschicht und/oder Brücke aufweisen. Bei einer Ausführungsform weist ein Gerät eine oder mehrere Aufbauschichten auf, die elektrische Routing-Merkmale haben, und eine Lötstoppmaskenschicht, die aus einem Glasmaterial besteht, wobei die Lötstoppmaskenschicht mit der einen oder den mehreren Aufbauschichten gekoppelt ist und Öffnungen hat, die in der Lötstoppmaskenschicht angeordnet sind, um das Koppeln der Gehäuseniveau-Verbindungsstrukturen mit den elektrischen Routing-Merkmalen durch die eine oder mehreren Öffnungen zu erlauben. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.

    Glaskern-Substrat für Bausteine mit integrierter Schaltung und Verfahren zu dessen Herstellung

    公开(公告)号:DE112010004890T5

    公开(公告)日:2012-10-18

    申请号:DE112010004890

    申请日:2010-11-11

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Ausführungsformen eines Glaskern-Substrats für einen Baustein mit integrierter Schaltung (integrated circuit, IC) werden offenbart. Das Glaskern-Substrat beinhaltet einen Glaskern und Aufbaustrukturen auf gegenüberliegenden Seiten des Glaskerns. Elektrisch leitfähige Anschlüsse können auf beiden Seiten des Glaskern-Substrats ausgebildet werden. Ein IC-Chip kann mit den Anschlüssen auf einer Seite des Substrats gekoppelt werden, wohingegen die Anschlüsse auf der gegenüberliegenden Seite mit einer Komponente der nächsten Stufe, wie einer Leiterplatte, gekoppelt werden können. Der Glaskern kann ein einziges Glasstück umfassen, in dem Leiter gebildet wurden, oder der Glaskern kann zwei oder mehr Glasabschnitte umfassen, die miteinander verbunden wurden, wobei jeder Abschnitt Leiter aufweist. Die Leiter erstrecken sich durch den Glaskern und ein oder mehrere der Leiter können elektrisch mit den Aufbaustrukturen gekoppelt werden, die über dem Glaskern angeordnet sind. Andere Ausführungsformen werden beschrieben und beansprucht.

    69.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:AT466373T

    公开(公告)日:2010-05-15

    申请号:AT03759192

    申请日:2003-08-13

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor: MA QING

    Abstract: A microelectromechanical system (MEMS) that includes a first electro-thermal actuator, a second electro-thermal actuator and a beam having a first side and a second side. The first electro-thermal actuator applies a force to the first side of the beam as current passes through the first electro-thermal actuator and the second electro-thermal actuator applies a force to the second side of the beam as current passes through the second electro-thermal actuator.

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