公开(公告)号：WO2017045996A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/EP2016/071206

申请日：2016-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es werden ein Träger (10) und ein optoelektronisches Bauelement (100) mit dem Träger (10) angegeben, wobei der Träger (10) einen Formkörper (5), zumindest einen Durchkontakt (41, 42) und eine Mehrzahl von Verstärkungsfasern (52) aufweist, wobei der Formkörper (5) aus einem elektrisch isolierenden Formkörpermaterial (53) gebildet ist, der Durchkontakt (41, 42) aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, und die Verstärkungsfasern (52) eine mechanische Verbindung zwischen dem Formkörper (5) und dem Durchkontakt (41, 42) vermitteln, indem die Verstärkungsfasern (52) jeweils bereichsweise in dem Formkörper (5) und bereichsweise in dem Durchkontakt (41, 42) angeordnet sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers oder eines Bauelements mit einem solchen Träger angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种载体（10）和与所述支撑件（10）的光电元件（100），所述载体（10）的成型体（5），通孔（41，42）和多个加强纤维中的至少一个（52） ，其特征在于，电绝缘模制体材料（53）的模制体（5）被形成时，通过（41，42）是由导电材料形成，和增强纤维（52）的成型体之间的机械连接（5）和 通孔（41，42）传送，由增强纤维（52）的每个部分中的模制体（5）和部分地位于经由被布置（41,42）。 此外，产生载体的方法或部件由这样的载体表示。

公开(公告)号：WO2017045995A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/EP2016/071202

申请日：2016-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  VON MALM, Norwin

IPC: B29C67/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y70/00 ,  H01L27/15 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01S5/026

CPC classification number: B33Y30/00 ,  B29C64/129 ,  H01L27/156 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46

Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (5) sowie eine Vielzahl von einzeln ansteuerbaren, im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) Strahlung (R) emittierenden Bildpunkten (20). Dabei sind die Bildpunkte (20) aus einem Halbleitermaterial gebildet und auf dem Träger (5) angebracht. Das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) enthält eine Vielzahl von Transportkanälen (3), die zu einem Transport eines Gases und/oder einer Flüssigkeit durch das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) hindurch in Richtung quer zu und, innerhalb des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1), hin zu einer Strahlungsaustrittsseite (10) eingerichtet sind. Ferner sind die Bildpunkte (20) dazu bestimmt, Strahlung (R) mit einer Wellenlänge maximaler Intensität von 470 nm oder weniger zu emittieren.

Abstract translation: 光电子半导体器件（1）包括支撑件（5）和所述光电子半导体器件（1）辐射（R）发光象素（20）的操作期间的多个独立可控的。 这里，图像元素（20）的载体（5）上的半导体材料形成。 的光电子半导体器件（1）包含多个传输信道（3），从而导致气体和/或由所述光电子半导体器件的液体（1）穿过其中的输送的方向横向于和光电子半导体器件（1）内，朝 辐射出射侧（10）被布置。 此外，图像的点（20）意在辐射（R），用470纳米或更小的最大强度的波长发射。

公开(公告)号：WO2015189347A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/063093

申请日：2015-06-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (9) angegeben, umfassend - ein Leuchtdiodenbauteil (1) mit zumindest einem Leuchtdiodenchip (11) und einer Deckfläche (la), die dem Leuchtdiodenchip (11) in einer Abstrahlrichtung (Z) nachgeordnet ist, - ein Konversionselement (2), das dem Leuchtdiodenbauteil (1) in Abstrahlrichtung (Z) nachgeordnet ist, - einen Rahmenkörper (3) und - einen Deckkörper (4), der aus einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet ist, wobei - der Rahmenkörper (3) alle Seitenflächen (2c) des Konversionselementes (2) rahmenartig umschließt, - der Deckkörper (4) dem Konversionselement (2) in Abstrahlrichtung (Z) nachgeordnet ist und das Konversionselement (2) an seiner dem Leuchtdiodenchip (11) abgewandten Deckfläche (2a) überdeckt.

Abstract translation: 它是被指定的光电子半导体器件（9），包括： - 发光元件（1），具有至少一个发光二极管芯片（11）和一个顶面（LA），其面对在发射方向上的LED芯片（11）（Z）布置在下游， - 一个转换元件（ 2），其被布置在下游（在发射方向（Z LED组件1））， - 一个框体（3），以及 - 一个盖主体（4），其辐射可透过的材料形成，其特征在于， - 所述框架主体（3），所有侧表面（2c的 ）转换元件（2）的包围的框状， - 在发射方向（Z帽体（4）（在转换元件2））被设置成下游表面和顶表面，（2）的面向从（LED芯片11）远离所述转换元件（2a）的覆盖。

公开(公告)号：WO2015154958A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015/055702

申请日：2015-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/02 ,  C09K11/06 ,  H01L27/322 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5369 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung angegeben, die ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb erstes Licht in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, und im Strahlengang des ersten Lichts angeordnet ein Wellenlängenkonversionselement (2), das das erste Licht zumindest teilweise in zweites Licht in einem zweiten vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich umwandelt, aufweist, wobei das Wellenlängenkonversionselement (2) Nanopartikel (3) aufweist, die organische lumineszierende Moleküle (31) in einem Grundmaterial (30), das aus einem SiO 2 -basierten Material gebildet wird, enthalten. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung angegeben.

Abstract translation: 提供了一种包括一个发光半导体组件（1），其发射在操作在第一波长范围内和在所述第一光的光束路径中的第一光的波长变换元件的发光装置（2），使得第一光至少部分地进入第二光 转换在从所述第一波长范围的波长范围的第二不同的，所述波长转换元件（2）纳米颗粒（3），含有在基体材料（30），这是基于SiO 2的材料形成的有机发光分子（31）。 此外，提供了一种制造发光器件的方法。

公开(公告)号：WO2015124464A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/EP2015/052761

申请日：2015-02-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L25/50 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) angegeben, umfassend ein Bereitstellen eines Trägers (1) mit zumindest einer Montagefläche (11), ein Erzeugen von zumindest zwei Durchkontaktierungen (4) in dem Träger (1) mit in den Durchkontaktierungen (4) verlaufenden elektrisch leitenden Kontakten (12, 13), ein Bereitstellen zumindest eines Licht emittierenden Halbleiterchips (2), wobei der Halbleiterchip (2) ein Aufwachssubstrat (10) und eine darauf epitaktisch gewachsene Schichtenfolge (7) umfasst, ein Montieren des zumindest einen Halbleiterchips (2) auf die zumindest eine Montagefläche (11) des Trägers (1), wobei der Halbleiterchip (2) beim Montieren auf die Montagefläche (11) im selben Verfahrensschritt elektrisch leitend mit den Kontakten (12, 13) verbunden wird, ein Vereinzeln des Trägers (1) entlang von Vereinzelungslinien (V), wobei eine Vereinzelungslinie (V) durch zumindest eine der Durchkontaktierungen (4) verläuft, so dass nach dem Vereinzeln die Kontakte (12, 13) Kontaktflächen (5) an zumindest einer Seitenfläche (la) des Trägers (1) bilden, wobei die Seitenfläche (la) senkrecht zur Montagefläche (11) des Trägers (1) ist, und eine Montage des Trägers (1) mit den Kontaktflächen (5) auf einer Anschlussplatte (8), wobei die Montagefläche (11) senkrecht zu der Anschlussplatte (8) steht.

Abstract translation: 提供了一种方法用于制造光电子组件（100），包括提供一个载体（1），具有至少一个安装表面（11），产生在所述支承件（1）与（在通孔中的至少两个通孔（4） 4）延伸的导电触点（12，13），提供至少一个发光半导体芯片（2），其中所述半导体芯片（2），包括在生长衬底（10）和随后的外延生长层序列（7），安装所述至少一个 半导体芯片（2）到所述载体（1）的至少一个安装表面（11），其中所述半导体芯片（2）在同一工艺步骤中的安装表面（11）上安装时，导电连接到接触件（12，13）连接，一个切单 该载体（1）沿着切割线（V），其特征在于，分离线（V）通过通孔（4）中的至少一个，从而使后 分离所述触点（12,13）的接触表面（5）上的支架（1）的至少一个侧表面（LA），其特征在于，垂直于所述载体（1）的安装面（11）的侧表面（LA），和载体的组件 （1）用在连接板（8）的接触表面（5），其中所述安装表面（11）垂直于所述连接板（8）。

公开(公告)号：WO2014139849A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/EP2014/054275

申请日：2014-03-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  MARTIN, Alexander

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L23/5386 ,  H01L27/156 ,  H01L29/78672 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Anzeigevorrichtung (1) mit zumindest einem Halbleiterkörper, der eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist und eine Mehrzahl von Bildpunkten (2a, 2b) bildet, aufweist und mit einer Ansteuerschaltung (54), wobei - die Ansteuerschaltung eine Mehrzahl von Schaltern (55) aufweist, die jeweils zur Steuerung von zumindest einem Bildpunkt (2a, 2b) vorgesehen sind; - zwischen der Ansteuerschaltung und dem Halbleiterkörper eine erste Metallisierungsschicht und eine von der ersten Metallisierungsschicht elektrisch isolierte zweite Metallisierungsschicht angeordnet sind; - die erste Metallisierungsschicht und/oder die zweite Metallisierungsschicht mit zumindest einem der Bildpunkte elektrisch leitend verbunden ist; und - die erste Metallisierungsschicht und die zweite Metallisierungsschicht so miteinander überlappend angeordnet sind, dass die Ansteuerschaltung in Aufsicht auf die Anzeigevorrichtung an jeder Stelle, die mit einem der Bildpunkte überlappt oder zwischen zwei benachbarten Bildpunkten angeordnet ist, mit zumindest einer der Metallisierungsschichten bedeckt ist.

Abstract translation: 一种显示装置（1）与具有半导体层序列（2）至少一个半导体主体具有用于产生辐射有源区（20）和多个像素（2A，2B），并设置有一个驱动电路（54）， 其中， - 所述控制电路包括多个开关（55），每个用于控制至少一个像素（2A，2B）设置; - 被设置在驱动电路和半导体本体中的第一金属化层，并从所述第一金属化层第二金属化层电绝缘之间; - 第一金属化层和/或所述第二金属化导电地连接到所述像素中的至少一者; 以及 - 所述第一金属化部和第二金属化层被布置成彼此重叠，使得所述驱动电路覆盖有鉴于显示装置的每个位置处，其被重叠在图像点中的一个或位于两个相邻像素之间的金属化层中的至少一个。

公开(公告)号：WO2013045399A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/068783

申请日：2012-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  PLÖßL, Andreas ,  VON MALM, Norwin ,  LINKOV, Alexander ,  HÖPPEL, Lutz ,  KÖLPER, Christopher

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  PLÖßL, Andreas ,  VON MALM, Norwin ,  LINKOV, Alexander ,  HÖPPEL, Lutz ,  KÖLPER, Christopher

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/58 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/486 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und einem optischen Element (2) angegeben, wobei zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem optischen Element (2) eine Verbindungsschicht (3) mit einem transparenten Oxid angeordnet ist, die an den Halbleiterchip (1) und das optische Element (2) jeweils unmittelbar angrenzt und das optische Element (2) auf dem Halbleiterchip (1) befestigt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有一个光电子半导体芯片（1）和光学元件的光电子半导体器件（2），其中所述半导体芯片（1）和光学元件（2）的粘接层（3）之间设置有一个透明的氧化物，其在 半导体芯片（1）和光学元件（2）分别紧邻和光学元件（2）在半导体芯片（1）上。 此外，用于制造光电子半导体器件的方法中给出。

公开(公告)号：WO2012146459A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/EP2012/055722

申请日：2012-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  RAUKAS, Madis ,  KUNDALIYA, Darshan

Inventor： VON MALM, Norwin ,  RAUKAS, Madis ,  KUNDALIYA, Darshan

IPC: H05B33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05B33/10 ,  H01L27/156 ,  H01L2933/0041

Abstract: A light-emitting semiconductor chip is provided, the semiconductor chip comprising a semiconductor body having a pixel region with at least two electrically isolated sub-regions, each sub-region comprising an active layer, which generates electromagnetic radiation of a first wavelength range during operation, a separately manufactured ceramic conversion die over a radiation emission area of at least one sub-region, said conversion die being configured to convert radiation of the first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range, wherein a width of the conversion die does not exceed 100 pm. Further, a method for the production of a light-emitting semiconductor chip and method for the production of a conversion die are provided.

Abstract translation: 提供了一种发光半导体芯片，所述半导体芯片包括具有至少两个电隔离子区域的像素区域的半导体本体，每个子区域包括有源层，其在操作期间产生第一波长范围的电磁辐射 ，在至少一个子区域的辐射发射区域上的单独制造的陶瓷转换管芯，所述转换管芯被配置为将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射，其中转换管芯的宽度 不超过100点。 此外，提供了一种制造发光半导体芯片的方法和用于制造转换晶片的方法。

公开(公告)号：WO2012130900A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/055555

申请日：2012-03-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/02327 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100), angegeben, mit einem Träger (10) für eine optoelektronische Struktur, mit einem elektrisch isolierenden Trägerelement (1), das eine Montageseite (11) aufweist; zumindest einer elektrisch leitfähigen n-Verdrahtungsschicht (3); einer strukturierten, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht (2), welchezumindest einen p-seitigen Kontaktbereich (21) und zumindest einem n-seitigen Kontaktbereich (22) aufweist; zumindest einem Isolationsbereich (4); zumindest einer elektrisch isolierenden Abstandsschicht (5), wobei der n-seitige Kontaktbereich (22) und die n-Verdrahtungsschicht (3) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, und der p-seitige Kontaktbereich (21) und die Abstandschicht (5) den n-seitigen Kontaktbereich (22) in lateraler Richtung (L) vollständig umranden; zumindest einer optoelektronischen Struktur (7), die elektrisch leitend und mechanisch fest mit dem Träger (10) verbunden ist.

Abstract translation: 它是一种光电子半导体芯片（100）被指定，具有包括电绝缘支承元件的光电子结构的支撑体（10）（1），具有安装侧（11）; 至少一个导电的n布线层（3）; 图案化的导电接触层（2）具有至少一个p侧接触区（21）和至少一个n侧接触区（22）; 至少一个隔离区域（4）; 至少一个电绝缘间隔层（5）中，n侧接触区（22）和（3）导电地相互连接的n布线层，以及p侧接触区（21）和隔离层（5）在n 在横向方向（L）完全边缘侧的接触区域（22）; 该导电连接和机械固定地连接至所述载体（10）的至少一个光电子结构（7）。

公开(公告)号：WO2012130499A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/051446

申请日：2012-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  LINKOV, Alexander ,  LINDER, Norbert

Inventor： VON MALM, Norwin ,  LINKOV, Alexander ,  LINDER, Norbert

IPC: H01L33/46 ,  H01L27/15 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40 ,  H01L33/58 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben, der einen Halbleiterkörper (6) aus Halbleitermaterial, eine dem Halbleiterkörper in Abstrahlrichtung nachgeordnete Auskoppelfläche (9) und eine Spiegelschicht (1) aufweist. Der Abstand zwischen aktiver Schicht (2) und Spiegelschicht (1) ist derart eingestellt, dass eine von der aktiven Schicht (2) in Richtung der Auskoppelfläche (9) emittierte Strahlung mit einer an der Spiegelschicht (1) reflektierten Strahlung so interferiert, dass der Halbleiterchip (100) eine Abstrahlcharakteristik der emittierten Strahlung mit einer Vorzugsrichtung in Vorwärtsrichtung aufweist. Weiter wird ein Display (1000) mit einer Mehrzahl von derartigen Halbleiterchips (100) angegeben. Weiter werden Verfahren zu deren Herstellung angegeben.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（100）包括半导体材料的半导体本体（6），在辐射耦合输出区域（9）下游的半导体主体和反射镜层（1）。 活性层（2）和镜面层（1）之间的距离被设定为使得所述有源层中的一个（2）辐射朝向输出表面发射（9），其具有在反射镜层（1）反射的辐射，从而干扰该 半导体芯片（100）具有所发射的辐射与在向前方向上的优选方向的辐射图案。 此外，具有多个这样的半导体芯片（100）的显示（1000）中指定的。 下一步程序及其制备规定。