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    61.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2779571A1

    公开(公告)日：1999-12-10

    申请号：FR9807060

    申请日：1998-06-05

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  CHANTRE ALAIN ,  SCHWARTZMANN THIERRY

    IPC: H01L29/73 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/737 ,  H01L21/266

    Abstract: Selective doping of the intrinsic collector of a vertical bipolar transistor comprises high energy dopant implantation before epitaxy and lower energy and lower dose dopant implantation after epitaxy of a silicon germanium heterojunction base. Selective doping of the intrinsic collector of a vertical bipolar transistor is carried out by (a) forming the intrinsic collector (4) on an extrinsic collector layer buried in a semiconductor substrate; (b) forming a lateral insulation region (5) around the upper part of the intrinsic collector and an offset extrinsic collector well; (c) effecting a first dopant implantation in the intrinsic collector through a first implantation window above the intrinsic collector; (d) forming a silicon germanium heterojunction base above the intrinsic collector (4) and the lateral insulation region (5) by non-selective epitaxy of a silicon and silicon germanium multilayer (8); and (e) effecting a second lower energy and lower dose dopant implantation in the intrinsic collector across the multilayer in a second implantation window located within the first implantation window above the multilayer (8) and self-aligned with the emitter.

    CAPTEUR D'IMAGE A DIAPHOTIE SPECTRALE ET OPTIQUE REDUITE
    64.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE A DIAPHOTIE SPECTRALE ET OPTIQUE REDUITE 未知

    公开(公告)号：FR3040536A1

    公开(公告)日：2017-03-03

    申请号：FR1557884

    申请日：2015-08-24

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： CROCHERIE AXEL ,  MARTY MICHEL ,  HUGUENIN JEAN-LUC ,  JOUAN SEBASTIEN

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Capteur d'image intégré comprenant des pixels adjacents, chaque pixel (5) comportant une région active semi-conductrice (7) contenant une photodiode (8), une couche antireflet (13) au dessus de la photodiode (8), une région diélectrique (14,15) au dessus de la couche antireflet et un filtre optique (19) destiné à laisser passer un rayonnement lumineux incident (25) ayant une longueur d'onde donnée. La couche antireflet (13) comprend un réseau de plots (24) mutuellement séparés par un matériau diélectrique (14) de ladite région diélectrique, ledit réseau étant configuré pour permettre à la fois une transmission dudit rayonnement lumineux incident et une diffraction du rayonnement lumineux incident (25) produisant des rayonnements diffractés ayant des longueurs d'ondes inférieures à celle du rayonnement incident et atténués par rapport au rayonnement incident.

    PHOTODETECTEUR A HAUT RENDEMENT QUANTIQUE
    67.
    发明专利
    PHOTODETECTEUR A HAUT RENDEMENT QUANTIQUE 未知

    公开(公告)号：FR3036851A1

    公开(公告)日：2016-12-02

    申请号：FR1554878

    申请日：2015-05-29

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： FREY LAURENT ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L31/102 ,  H01L31/0232

    Abstract: L'invention concerne un photodétecteur comprenant une structure de conversion photoélectrique en un matériau semi-conducteur , et, sur une surface photoréceptrice de la structure de conversion, un empilement de premier (21) et deuxième (23) éléments diffractants, le deuxième élément étant au-dessus du premier élément, dans lequel : le premier élément (21) comporte au moins un plot (21a) en un matériau d'indice optique ni entouré latéralement par une région (21b) en un matériau d'indice optique n2 différent de ni ; le deuxième élément (23) comporte au moins un plot (23a) en un matériau d'indice optique n3 entouré latéralement par une région (23b) en un matériau d'indice optique n4 différent de n3 ; les plots (21a, 23a) des premier et deuxième éléments sont sensiblement alignés verticalement ; et les différences d'indices optiques nl-n2 et n3-n4 sont de signes opposés.

    70.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE69935472D1

    公开(公告)日：2007-04-26

    申请号：DE69935472

    申请日：1999-06-03

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： MARTY MICHEL ,  CHANTRE ALAIN ,  SCHWARTZMANN THIERRY

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L21/265 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/737

    Abstract: Selective doping of the intrinsic collector of a vertical bipolar transistor comprises high energy dopant implantation before epitaxy and lower energy and lower dose dopant implantation after epitaxy of a silicon germanium heterojunction base. Selective doping of the intrinsic collector of a vertical bipolar transistor is carried out by (a) forming the intrinsic collector (4) on an extrinsic collector layer buried in a semiconductor substrate; (b) forming a lateral insulation region (5) around the upper part of the intrinsic collector and an offset extrinsic collector well; (c) effecting a first dopant implantation in the intrinsic collector through a first implantation window above the intrinsic collector; (d) forming a silicon germanium heterojunction base above the intrinsic collector (4) and the lateral insulation region (5) by non-selective epitaxy of a silicon and silicon germanium multilayer (8); and (e) effecting a second lower energy and lower dose dopant implantation in the intrinsic collector across the multilayer in a second implantation window located within the first implantation window above the multilayer (8) and self-aligned with the emitter.

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