公开(公告)号：US20040004002A1

公开(公告)日：2004-01-08

申请号：US10434493

申请日：2003-05-07

Applicant: MEMGen Corporation

Inventor： Jeffrey A. Thompson ,  Adam L. Cohen ,  Michael S. Lockard ,  Dennis R. Smalley

IPC: C25D005/02

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/019

Abstract: Multilayer structures are electrochemically fabricated on a temporary (e.g. conductive) substrate and are thereafter bonded to a permanent (e.g. dielectric, patterned, multi-material, or otherwise functional) substrate and removed from the temporary substrate. In some embodiments, the structures are formed from top layer to bottom layer, such that the bottom layer of the structure becomes adhered to the permanent substrate, while in other embodiments the structures are form from bottom layer to top layer and then a double substrate swap occurs. The permanent substrate may be a solid that is bonded (e.g. by an adhesive) to the layered structure or it may start out as a flowable material that is solidified adjacent to or partially surrounding a portion of the structure with bonding occurs during solidification. The multilayer structure may be released from a sacrificial material prior to attaching the permanent substrate or it may be released after attachment.

Abstract translation: 多层结构在临时的（例如导电的）衬底上电化学地制造，然后在永久（例如电介质，图案化，多材料或其他功能）的衬底上结合并从临时衬底去除。 在一些实施例中，结构由顶层到底层形成，使得结构的底层变得粘附到永久性基底上，而在其它实施例中，结构是从底层到顶层形成的，然后是双层衬底交换 发生。 永久性基材可以是与层状结构结合的固体（例如通过粘合剂），或者可以作为在凝固期间发生结合而在结构的一部分附近凝固的可流动材料开始。 多层结构可以在附着永久性基底之前从牺牲材料上释放，或者在附着后可以释放多层结构。

公开(公告)号：US06507989B1

公开(公告)日：2003-01-21

申请号：US08816662

申请日：1997-03-13

Applicant: Ned B. Bowden ,  Andreas W. Terfort ,  Jeffrey D. Carbeck ,  George M. Whitesides

Inventor： Ned B. Bowden ,  Andreas W. Terfort ,  Jeffrey D. Carbeck ,  George M. Whitesides

IPC: H01S400

CPC classification number: H01L24/95 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2224/95144 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2924/00

Abstract: Self-assembling systems include component articles that can be pinned at a fluid/fluid interface, or provided in a fluid, or provided in proximity of a surface, and caused to self-assemble optionally via agitation. A self-assembling electrical circuit is provided.

Abstract translation: 自组装系统包括可以被固定在流体/流体界面处或设置在流体中或者设置在表面附近的部件制品，并且可以任选地通过搅动自组装。 提供自组装电路。

公开(公告)号：US5401983A

公开(公告)日：1995-03-28

申请号：US44251

申请日：1993-04-07

Applicant: Nan M. Jokerst ,  Martin A. Brooke ,  Mark G. Allen

Inventor： Nan M. Jokerst ,  Martin A. Brooke ,  Mark G. Allen

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00373 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14694 ,  H01L33/0062 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L2221/68368 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/183

Abstract: Various novel lift-off and bonding processes (60, 80, 100) permit lift-off of thin film materials and devices (68), comprising In.sub.x Ga.sub.1-x As.sub.y P.sub.1-y where 0

Abstract translation: 各种新颖的剥离和粘合工艺（60,80,100）允许剥离包括In x Ga 1-x As y P 1-y的薄膜材料和器件（68），其中0

公开(公告)号：WO2016096636A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2015/079362

申请日：2015-12-11

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

Inventor： LISEC, Thomas ,  QUENZER, Hans-Joachim ,  REIMER, Tim

IPC: H01F41/04 ,  B81C1/00 ,  H01F41/16 ,  H01F41/30

CPC classification number: H01F1/06 ,  B81B2201/034 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0188 ,  G01R33/38 ,  G01R33/3802 ,  G02B26/085 ,  G02B26/101 ,  H01F10/08 ,  H01F21/06 ,  H01F41/046 ,  H01F41/16 ,  H01F41/301 ,  H01F41/32 ,  H01F2007/068 ,  H02K15/02 ,  H02K33/16

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung (120) mit einer dreidimensionalen magnetischen Struktur (132) umfassend einen Schritt des Auf- oder Einbringens von magnetischen Partikeln (130) auf oder in ein Trägerelement (122), wobei zwischen den magnetischen Partikeln eine Vielzahl von zumindest teilweise miteinander verbundenerer Hohlräume gebildet wird und wobei die magnetischen Partikel an Berührungspunkten miteinander in Kontakt treten. Das Verfahren umfasst ferner einen Schritt des Verbindens der magnetischen Partikel an den Berührungspunkten durch Beschichten der Anordnung aus magnetischen Partikeln und Trägerelement, wobei die Hohlräume zumindest teilweise von der beim Beschichten erzeugten Schicht durchdrungen werden. Die Vorrichtung umfasst eine Leiterschleifenanordnung (124) auf dem Trägerelement oder einem weiteren Trägerelement, so dass bei einem Stromfluss durch die Leiterschleifenanordnung (1) eine Induktivität der Leiterschleifenanordnung durch die dreidimensionale magnetische Struktur verändert wird, oder (2) eine Kraft auf die dreidimensionale magnetische Struktur oder die Leiterschleifenanordnung durch ein durch den Stromfluss hervorgerufenes magnetisches Feld wirkt, oder (3) bei einer Lageänderung der dreidimensionalen magnetischen Struktur ein Stromfluß durch die Leiterschleifenanordnung induziert wird.

Abstract translation: 制造具有包含上或在支撑构件（122），缠绕或引入磁性颗粒（130）的步骤的三维磁结构（132）的装置（120）的方法，其中所述磁性颗粒之间，多个至少部分地相互 verbundenerer空腔形成，并且其中，在接触点处的磁性颗粒接触彼此接触。 该方法还包括通过涂覆磁性颗粒的阵列与该载体元件，其中所述空腔至少部分地通过在被覆层所产生的穿透接触点处的磁性颗粒结合的步骤。 该装置包括载体元件或另外的承载元​​件上的导体回路装置（124），使得导体回路装置的电感是由三维磁结构中的电流流过的导体回路装置（1）或（2）的力的三维磁结构改变 或导体回路装置作用由通过在三维磁性结构的位置变化的电流流动磁场，或（3）的电流的流动由导体回路装置诱导的诱发。

公开(公告)号：WO2012162271A3

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/US2012038899

申请日：2012-05-21

Applicant: UNIV UTAH RES FOUND ,  TABIB-AZAR MASSOOD

Inventor： TABIB-AZAR MASSOOD

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: B81C1/00373 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0188 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C23C16/047 ,  C23C16/46 ,  G01Q10/045 ,  G01Q20/04 ,  G01Q80/00 ,  H01L29/0665

Abstract: A method of fabricating an integrated circuit includes forming (52) a metallic trace over a substrate. Resonance in the metallic trace can be induced (54), resulting in a resonating metallic trace and a localized heated target deposition region. A semiconductor material can be deposited on the target deposition region via gas decomposition (56) of a semiconductor precursor gas.

Abstract translation: 一种制造集成电路的方法包括在衬底上形成（52）金属迹线。 可以诱导金属痕迹的共振（54），导致共振的金属痕迹和局部加热的目标沉积区域。 半导体材料可以通过半导体前体气体的气体分解（56）沉积在靶沉积区上。

公开(公告)号：WO2012070480A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/JP2011/076628

申请日：2011-11-18

Applicant: 田中貴金属工業株式会社 ,  小柏 俊典 ,  栗田 昌昭 ,  西森 尚 ,  兼平 幸男

Inventor： 小柏　俊典 ,  栗田　昌昭 ,  西森　尚 ,  兼平　幸男

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4885 ,  B22F7/08 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11

Abstract: 　本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜とからなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度９９．９重量％以上、平均粒径０．０１μｍ～１．０μｍである金粉等を焼結してなる成形体であり、前記下地金属膜は、金等の金属又は合金等からなる転写用基板である。この転写用基板は、被転写物の加熱温度を８０～３００℃としても金属配線素材を被転写物に転写することができる。

Abstract translation: 本发明是一种用于将金属布线材料转移到接受转印物品的转印基板，包括基板，形成在该基板上的至少一种金属布线材料和形成在基板和金属布线材料之间的基底金属膜。 在转印基板中，金属配线材料是烧结纯度为99.9重量％，平均粒径为0.01μm〜1.0μm的金属粉末等的成型体，贱金属膜为金，另一方 金属或合金等。 即使接受转印的制品的加热温度为80〜300℃，该转印基板也可以将金属布线材料转印到接收转印的制品。

公开(公告)号：WO2004104704A2

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：PCT/EP2004/005428

申请日：2004-05-19

Applicant: INSTITUT FÜR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH ,  SINGLETON, Laurence ,  SCHEURER, Jörg

Inventor： SINGLETON, Laurence ,  SCHEURER, Jörg

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/40 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  G03F7/405

Abstract: Es wird ein lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen mit Bauteilstrukturen im Sub-Millimeterbereich beschrieben, bei dem das Herauslösen des Resistmaterials auf einfache Weise möglich ist. Das Verfahren sieht vor, dass auf eine metallische Startschicht eine strukturierbare Haftschicht und auf die Haftschicht eine Schicht aus photostrukturierbarem Epoxyharz aufgebracht wird, das Epoxyharz mittels selektiver Belichtung und Herauslösen der unbelichteten Bereiche zur Ausbildung von Stützstrukturen und Freiräumen zwischen den Stützstrukturen strukturiert wird, anschliessend nur die für das Mikrobauteil vorgesehenen Freiräume zwischen den Epoxyharzstützstrukturen mittels eines galvanischen Verfahrens mit Metall aufgefüllt werden und schliesslich das Epoxyharz entfernt wird, wobei Ätzmittel in die verbleibenden Freiräume eingefüllt wird.

Abstract translation: 它是描述了用于在亚毫米范围内产生具有器件结构的微平版印刷工艺，其中所述抗蚀剂材料的溶解是可能以简单的方式。 该方法提供了光致环氧树脂的层施加到金属籽晶层上的结构化的粘合剂层和粘合剂层，所述环氧树脂通过选择性曝光的装置构造并溶解出来的未曝光区域的支持结构的形成和支撑结构之间的自由区域，则只有 设置用于Epoxyharzstützstrukturen之间的微小间隙成分电镀工艺的装置用金属填充，最后，环氧树脂被去除，蚀刻剂被引入到其余的自由空间。

公开(公告)号：JP2016129134A

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：JP2015249801

申请日：2015-12-22

Applicant: デルフメムズ エスエーエス

Inventor： ルノー ロビン ,  ニコラ ロルフェリン ,  カリム セグエニ

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0086 ,  B81C1/00158 ,  H01H49/00 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0188 ,  H01H2059/0027 ,  H01H2059/0036 ,  H01H2227/004

Abstract: 【課題】挿入損失を低減することが可能なMEMSデバイス、特に、MEMSスイッチの製造方法を提供する。 【解決手段】基板10上にポスト30,30’及び導電線40を形成するステップと、第1膜層60と、第1膜層が、第2膜層が第2膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、ポストの一つの上の領域、及び/又は、導電線上の領域の第1膜層上に第2膜層とを形成することを含む、ポスト及び導電線上に膜を形成するステップとを備える。また、基板上に形成されたポスト及び導電(伝送)線と、ポスト及び導電線上の膜とを備えるMEMSデバイス、特に、MEMSスイッチが提供される。膜は、第1膜層と、第1膜層が、第2膜層が第2膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、ポストの一つの上の領域、及び/又は、導電線上の領域の第1膜層上に形成された第2膜層とを含む。 【選択図】図2a

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够减少插入损耗的MEMS器件，特别是MEMS开关的制造方法。解决方案：开关的制造方法包括：形成支柱30和30'的步骤以及导线 40; 以及在所述柱和所述导线上形成膜的步骤，所述导线包括通过所述导线的一个和/或所述区域在所述柱上的区域的第一膜层上形成第二膜层，以使所述区域 第一膜层60和第一膜层不邻接并形成于形成有第二膜层和第二膜层的区域。 提供了一种MEMS器件，其包括形成在衬底上的柱和导电（透射）线和柱上的膜和导线，特别是MEMS开关。 该膜包括在导电线的一个和/或区域上形成在柱上的区域的第一膜层上的第二膜层，以便具有第一膜层和第一膜层的区域 不邻接并形成到形成第二膜层和第二膜层的区域。选择图：图2a

公开(公告)号：JP5737685B2

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：JP2010143724

申请日：2010-06-24

Applicant: 国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 生田 幸士 ,  池内 真志

IPC: B29C67/00

CPC classification number: B29C67/0081 ,  B29C67/0066 ,  B81C1/00373 ,  A61M2037/0023 ,  A61M2037/0053 ,  B29L2031/7544 ,  B81B2201/055 ,  B81C2201/0188 ,  Y10T428/2933 ,  Y10T428/31678

公开(公告)号：JP2010180465A

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：JP2009026928

申请日：2009-02-09

Applicant: Ihi Corp ,  Yokohama City Univ ,  公立大学法人横浜市立大学 ,  株式会社Ihi

Inventor： SHIGETA YUKICHI ,  AOYAGI KUNIHIKO ,  NOSE HIROYUKI

IPC: C23C14/24 ,  B82B3/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: C23C14/0605 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0188 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor deposition apparatus and method for a microstructure which can form the microstructure at a prescribed position by reducing the influence of the surface conditions of a substrate, and also can efficiently transmit high frequency to the substrate. SOLUTION: The vapor deposition apparatus includes: a surface acoustic wave element 10 having at least a pair of electrodes 12, 13 located on the surface of a piezoelectric substance 11 with intervals; a vacuum deposition apparatus 20 vacuum-depositing two or more substances A, B on the surface of the surface acoustic wave element; and a high frequency application device 30 applying high frequency voltage to a space between the electrodes of the surface acoustic wave element, and, in a state where the standing wave of the surface acoustic wave is generated on the surface of the surface acoustic wave element by the application of the high frequency voltage, a plurality of thin film layers are composed, and a microstructure is vapor-deposited on the specified position of the standing wave. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于微结构的气相沉积装置和方法，其可以通过减小衬底的表面状态的影响而在规定位置形成微结构，并且还可以有效地将高频率传输到衬底 。 气相沉积装置包括：表面声波元件10，具有至少一对间隔地位于压电体11的表面上的电极12,13; 真空沉积设备20在表面声波元件的表面上真空沉积两种或更多种物质A，B; 以及对表面声波元件的电极之间的空间施加高频电压的高频施加装置30，在表面声波元件的表面上产生表面声波的驻波的状态下， 应用高频电压，组成多个薄膜层，并将微结构气相沉积在驻波的指定位置上。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT