公开(公告)号：TWI483279B

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW100111874

申请日：2011-04-06

Applicant: 光學實驗室公司 ,  LIGHTLAB SWEDEN AB

Inventor： 胡魁鴻 ,  HU, QIU-HONG

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

公开(公告)号：TWI460121B

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：TW101127311

申请日：2012-07-27

Applicant: 國立台灣科技大學 ,  NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 洪勇智 ,  HUNG, YUNG JR ,  李三良 ,  LEE, SAN LIANG

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/3043 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L31/035227

公开(公告)号：TW201404709A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW101127311

申请日：2012-07-27

Applicant: 國立台灣科技大學 ,  NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 洪勇智 ,  HUNG, YUNG JR ,  李三良 ,  LEE, SAN LIANG

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/3043 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L31/035227

Abstract: 本發明揭露一種圖形化矽奈米線陣列之製作方法包括：形成一矽奈米線陣列結構；形成一圖形化保護層在該矽奈米線陣列結構上，該圖形化保護層具有一覆蓋區域及一未覆蓋區域；採用一選擇性蝕刻去除在該未覆蓋區域的該矽奈米線陣列結構；以及去除殘留在該矽奈米線陣列結構上的該圖形化保護層。本發明還揭露一種矽微結構之製作方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种图形化硅奈米线数组之制作方法包括：形成一硅奈米线数组结构；形成一图形化保护层在该硅奈米线数组结构上，该图形化保护层具有一覆盖区域及一未覆盖区域；采用一选择性蚀刻去除在该未覆盖区域的该硅奈米线数组结构；以及去除残留在该硅奈米线数组结构上的该图形化保护层。本发明还揭露一种硅微结构之制作方法。