公开(公告)号：EP3163601A2

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：EP16002296

申请日：2010-01-20

Applicant: NICHIA CORP

Inventor： KURAMOTO MASAFUMI ,  OGAWA SATORU ,  NIWA MIKI

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L23/08 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0226 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/05599

Abstract: An object of the invention is to provide a method for producing a conductive member having low electrical resistance, and the conductive member is obtained using a low-cost stable conductive material composition that does not contain an adhesive. Disclosed is a method for producing a semiconductor device in which silver oxide (520, 620, 720) provided on a surface of a base (500, 600, 700) and silver or silver oxide (140, 240, 340) provided on a surface of a semiconductor element (100, 200, 300) are bonded, the method including the steps of arranging a semiconductor element (100, 200, 300) on a base (500, 600, 700) such that silver or silver oxide (140, 240, 340) provided on a surface of the semiconductor element (100, 200, 300) is in contact with silver oxide (520, 620, 720) provided on a surface of the base (500, 600, 700), temporarily bonding the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) by applying a pressure or an ultrasonic vibration to the semiconductor element (100, 200, 300) or the base (500, 600, 700), and permanently bonding the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) by applying heat having a temperature of 150 to 900°C to the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700). The step of temporarily bonding and the step of permanently bonding may be performed simultaneously. The step of permanently bonding may be performed in air or in an oxygen environment, or in a nitrogen environment. The semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) may be heated in advance at 150 to 900°C before the step of temporarily bonding. A pressure of 5 to 50 MPa may be applied in the step of temporarily bonding. The semiconductor element (100, 200, 300) may be a light emitting semiconductor element.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种用于生产具有低电阻的导电性构件的方法，所述导电构件是用一种低成本的稳定的导电材料组合物并不含有获得，在粘接剂。 是（340 140，240）的表面上设置用于在其中氧化银（520，620，720）的半导体器件提供了一种基站（500，600，700），并且银或氧化银的表面上的方法公开 的半导体元件（100，200，300）键合的，该方法包括在基体上布置的半导体元件（100，200，300）的步骤（500，600，700）检测没有银或氧化银（140， 设置在半导体元件（100，200,300）的表面上的240，340）与设置在基座（500，600，700的表面上的氧化银（520，620，720）接触），暂时接合 半导体元件（100，200，300）和基部（500，600，700）通过施加到所述半导体元件（100，200，300）或所述基部（500，600,700）的压力或超声波振动，和 半导体元件（100，200，300）和基部（500，600，700）通过施加具有150至900℃的温度下对半导体元件的热永久地结合（100，200，300） 和所述基部（500，600，700）。 的暂时接合步骤和永久地结合的步骤可以同时进行。 永久接合的步骤可以在空气中或在氧气中进行，以环境，或在氮气环境中。 半导体元件（100，200，300）和基部（500，600，700）可以预先在150的临时粘结步骤之前被加热到900℃。 5至50MPa的压力可以以临时粘结的步骤中施加。 半导体元件（100，200，300）可以是半导体发光元件。

公开(公告)号：EP2884527A2

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：EP14195392.7

申请日：2014-11-28

Applicant: Kabushiki Kaisha Toshiba

Inventor： Yamayose, Yuu ,  Kugimiya, Tetsuya ,  Hirohata, Kenji

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L22/34 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/26155 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75318 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: According to an embodiment, a semiconductor component includes a circuit board; a semiconductor chip; and a bond part formed by sintering a paste containing metal particles between the circuit board and the semiconductor chip to bond the circuit board and the semiconductor chip. The bond part includes a first area immediately under the semiconductor chip and a second area adjacent to the first area. The second area has a porosity equal to or lower than that of the first area.

Abstract translation: 根据实施例，半导体部件包括电路板; 半导体芯片; 以及通过在电路板和半导体芯片之间烧结含有金属颗粒的糊料以将电路板和半导体芯片接合而形成的接合部分。 接合部分包括紧靠在半导体芯片下面的第一区域和与第一区域相邻的第二区域。 第二区域的孔隙率等于或低于第一区域的孔隙率。

公开(公告)号：EP1956647A1

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：EP08000989.7

申请日：2008-01-19

Applicant: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

Inventor： Beckedahl, Peter ,  Braml, Heiko ,  Göbl, Christian ,  Heilbronner, Heinrich, Dr.

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/296 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/50 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die Erfindung beschreibt eine Schaltungsanordnung mit einem Substrat, auf einer Hauptfläche dieses Substrats angeordneten Leiterbahnen, mindestens einem mit seiner ersten Hauptfläche auf einer ersten Leiterbahn angeordnetem Halbleiterbauelement, einer elektrisch leitfähigen Verbindungseinrichtung zu mindestens einer Kontaktfläche der zweiten Hauptfläche des Halbleiterbauelement. Hierbei ist die Verbindung des Halbleiterbauelements mit der ersten Leiterbahn und / oder der Verbindungseinrichtung als Drucksinterverbindung ausgebildet und zwischen der Verbindungseinrichtung und einem zugeordneten Rand des Halbleiterbauelements ein Isolierstoff angeordnet.

Abstract translation: 本发明描述了与设置在该基板导体轨迹的主表面，至少一个设置在其第一主表面的第一导体轨道半导体器件上，导电的连接装置到所述半导体器件的所述第二主表面的至少一个接触表面的基底的电路布置。 这里，半导体元件的与所述第一导体轨道和/或所述连接装置的连接被构造为压力烧结连接和设置在所述绝缘材料，连接装置和半导体装置的所分配的边缘之间。

公开(公告)号：EP3276652A3

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：EP17182111.9

申请日：2016-03-23

Applicant: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG

Inventor： Schäfer, Michael ,  Schmitt, Wolfgang ,  Hinrich, Andreas ,  Barrera-Marin, Isabel

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/373 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/303 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Substratanordnung (10, 10') zur Verbindung mit einem Elektronikbauteil (50; 51), umfassend die Schritte:
- Bereitstellen eines Substrates (20), insbesondere eines DCB-Substrats, eines PCB-Substrats oder eines Leadframes, mit einer ersten Seite (22) und einer zweiten Seite (23),
- abschnittsweises Aufbringen eines Vorfixiermittels (30) auf die erste Seite (22) des Substrates (20),
wobei das Vorfixiermittel (30) ein Klebemittel ist, das 20 - 45 Gew.-% thermoplastisches Polymer, 40 - 70 Gew.-% organisches Lösemittel, 10 - 25 Gew.-% anorganische Füllstoffpartikel und 0 - 0,5 Gew.-% weitere Additive aufweist.
Die Erfindung betrifft auch eine entsprechende Substratanordnung (10, 10') sowie ein entsprechendes Verfahren zum Verbinden (Versintern, Verlöten, Verpressen) eines Elektronikbauteils (50, 51) mit der Substratanordnung (10, 10').
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird beim Transport vom Ort des Bestückens der Substratanordnung (10, 10') mit dem Elektronikbauteil (50, 51') zum Ort des Verbindens eine ausreichende Transportfestigkeit erzeugt.
Das Vorfixiermittel (30) kann auch alternativ oder zusätzlich auf die erste Seite (52) des Elektronikbauteils (50, 51) abschnittsweise aufgebracht werden.
Auf die Substratanordnung (10, 10') und/oder auf das Elektronikbauteil (50, 51) kann vor dem Aufbringen des Vorfixiermittels (30) ein Kontaktierungsmaterial (25) aufgebracht werden. Das Vorfixiermittel (30) kann zumindest abschnittsweise seitlich des Kontaktierungsmaterials (25) aufgebracht werden, derart, dass das Vorfixiermittel (30) dicker als das Kontaktierungsmaterial (25) ist.
Das Vorfixiermittel (30) wird während des Verbindens oder nach dem Verbinden zumindest teilweise entfernt, insbesondere abgebrannt und/oder abgeschmolzen.
Nach dem Verbinden ist auf der ersten Seite (22) des Substrates (20) und/oder auf der dem Substrat (20) zugewandten ersten Seite (52) des Elektronikbauteils (50, 51) abschnittsweise ein Rest (31) des Vorfixiermittels (30), insbesondere die anorganischen Füllstoffpartikel, ausgebildet.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造用于连接到电子部件（50; 51）的衬底装置（10,10'）的方法，包括以下步骤： - 提供衬底（20），特别是DCB衬底，PCB衬底或 引线框具有第一侧（22）和第二侧（23）， - 分批在基板（20）的第一侧（22）施加Vorfixiermittels（30），其中，所述Vorfixiermittel（30）是含有20粘合剂 - 45重量％热塑性聚合物，40-70重量％有机溶剂，10-25重量％无机填料颗粒和0-0.5重量％其他添加剂。 本发明还涉及相应的衬底装置（10,10'）以及用于将电子元件（50,51）连接（烧结，焊接，压制）到衬底装置（10,10'）的相应方法。 借助于根据本发明的措施，在从基板布置（10,10'）与电子部件（50,51'）放置到连接位置的位置运输期间产生足够的运输强度。 前缀代理（30）也可以分段或替代地应用于电子组件（50,51）的第一侧（52）。 在施加前缀剂（30）之前，可以将接触材料（25）施加到衬底装置（10,10'）和/或电子元件（50,51）。 前缀剂（30）可以至少在接触材料（25）的横向部分施加，使得前缀剂（30）比接触材料（25）更厚。 前缀剂（30）在结合期间或结合后至少部分地被去除，特别是被烧掉和/或熔化掉。 后键合是在基片（20）和所述第一侧（22）/或面向所述电子元件的所述第一侧（52）的基板（20）上（50，51）的Vorfixiermittels的一组（31）的部分（30） 特别是形成的无机填料颗粒。

公开(公告)号：EP3174656A1

公开(公告)日：2017-06-07

申请号：EP15710211.2

申请日：2015-03-18

Applicant: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG

Inventor： SCHÄFER, Michael ,  SCHMITT, Wolfgang

IPC: B22F5/00 ,  B22F7/04 ,  H01L23/00 ,  H05K3/32

CPC classification number: B22F5/006 ,  B22F3/1003 ,  B22F3/24 ,  B22F7/04 ,  B22F2003/242 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/25 ,  B22F2302/45 ,  B22F2998/10 ,  C25D11/34 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29686 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053

Abstract: The invention relates to a method for connecting components, in which an assembly of at least two components, which each have a metal contact surface, and of metal sintering element, which is arranged between the components and is in the form of a metal solid having metal oxide surfaces, is provided and the assembly is pressure sintered, wherein metal oxide surfaces of the metal sintering agent each form a common contact surface with the metal contact surfaces of the components, and wherein (I) the pressure sintering is carried out in an atmosphere containing at least one oxidizable compound and/or (II) the metal oxide surfaces are provided with at least one oxidizable organic compound before the formation of the respective common contact surfaces.

Abstract translation: 用于连接部件的方法技术领域本发明涉及一种用于连接部件的方法，其中至少两个部件的组件（每个部件具有金属接触表面）以及布置在部件之间并且呈金属固体形式的金属烧结元件 金属氧化物表面，并且该组件被加压烧结，其中该金属烧结剂的金属氧化物表面各自与该组件的金属接触表面形成公共接触表面，并且其中（I）加压烧结在 含有至少一种可氧化化合物的气氛和/或（II）在形成相应的共同接触表面之前，金属氧化物表面提供有至少一种可氧化的有机化合物。

公开(公告)号：EP2800130A1

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：EP13165820.5

申请日：2013-04-29

Applicant: ABB Technology AG

Inventor： Brem, Franziska ,  Liu, Chunlei ,  Duran, Hamit

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/495 ,  H01L23/051

CPC classification number: H01L24/92 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/051 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/26135 ,  H01L2224/26165 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for bonding an electronics chip (10) to a substrate (12), the method comprising the steps of: coating a bonding area (14) of the chip (10) with a first metal layer (18); providing a bonding area (24) of the substrate (12) and/or the bonding area (14) of the chip (10) with a low melting point metal layer (30), wherein the bonding area (24) of the substrate (12) comprises a second metal layer (28); attaching a spacer (20) to the chip (10) and/or the substrate (12); positioning and fixing the chip (10) on the substrate (12); and transient liquid phase bonding the chip (10) to the substrate (12) by melting the low melting point layer (30), wherein the spacer (20) provides a specific distance between the first metal layer (18) and the second metal layer (28).

Abstract translation: 一种用于电子芯片（10）的键合到基底（12）的方法，该方法包括以下步骤：涂覆所述芯片（10）与第一金属层（18）的接合区域（14）; 提供所述基板的基板的接合区（24）（12）和/或芯片（10）具有低的低熔点金属层（30）的接合区域（14），其中，所述结合区域（24）（ 12）包括第二金属层（28）; 附接的间隔件（20）与芯片（10）和/或基底（12）; 定位和固定在基板上的芯片（10）（12）; 和瞬态液相接合芯片（10）到所述衬底（12）通过熔化低熔点层（30），其中所述间隔物（20）提供所述第一金属层（18）和第二金属层之间的特定距离 （28）。

公开(公告)号：EP1599078A3

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：EP05004621.8

申请日：2005-03-03

Applicant: Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung

Inventor： Palm, Gerhard

IPC: H05K3/34 ,  B23K3/06 ,  B23K35/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/33 ,  B22F2998/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/10984 ,  H05K2203/0156 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/0338 ,  H05K2203/1131 ,  B22F7/064 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: Die Erfindung beschreibt zwei Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen, insbesondere von Leistungshalbleiterbauelementen wie Dioden, Transistoren oder Thyristoren, und von Anschlusselementen mittels Drucksintern mit den Verfahrensschritten des ersten Verfahrens: Aufbringen einer aus einem Metallpulver und einem Lösungsmittel bestehenden pastösen Schicht (20) auf eine Trägerfolie (10); Trocknen der pastösen Schicht; Aufbringen von mindestens einem Bauelement (40) auf die getrocknete Schicht; Druckbeaufschlagung des Verbunds aus dem mindestens einen Bauelement und der Trägerfolie mit der getrockneten Schicht, wodurch die Haftkraft zwischen der Schicht (20) und dem Bauelement (40) größer wird als zwischen der Schicht (20) und der Trägerfolie (10); Abheben des mindestens einen Bauelements (40) mit daran haftender Schicht (20") von der Trägerfolie (10); Positionierung des Bauelements (40) mit der daran haftenden Schicht (20") auf dem Substrat (50); Druckbeaufschlagung der Anordnung des Substrats (50) und des Bauelements (40) zu deren Sinterverbindung.

Abstract translation: 电子部件通过使电子部件，支撑膜和糊状层受到压力而固定到基板上，使得干燥层和部件之间的粘合力变得大于干燥层和支撑膜之间的粘合力; 并对基板和部件进行压力，从而通过烧结连接基板和部件。 通过压力烧结将电子部件固定到基板上包括：（a）将包含金属粉末和溶剂的糊状层（20）施加到支撑膜（10）上; （b）干燥糊状层; 将电子部件施加到干燥层上; （c）使电子部件，支撑膜和干燥层受压，使得干燥层和部件之间的粘合力变得大于干燥层和支撑膜之间的粘合力; （d）从附着膜去除附着在该部件上的层的部件; （e）将所述部件定位在所述基板上; 和（f）使基板和部件受压，从而通过烧结连接基板和部件。

公开(公告)号：EP0982385A4

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：EP98919557

申请日：1998-05-11

Applicant: FUJITSU LTD

Inventor： DATE HIROAKI ,  MOTOYAMA YUKO ,  TOKUHIRA HIDESI ,  USUI MAKOTO ,  IMAIZUMI NOBUHIRO

IPC: C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  C09J5/06 ,  C09J9/02 ,  C09J163/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H05K1/03 ,  H05K3/30 ,  H05K3/38 ,  C09J5/04 ,  H01B1/20 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/28 ,  H01L21/563 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29373 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/303 ,  H05K3/386 ,  Y10T156/1011 ,  Y10T156/1018 ,  Y10T156/1026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: The present invention is characterized by comprising a two-pack adhesive of an A agent selected from components, an acrylic monomer, a peroxide, a reducing agent, an epoxy resin precursor and a curing agent and containing at least one or two of the acrylic monomer, the peroxide and the reducing agent, and a B agent containing all of the remaining components which are not selected in the A agent. The use of this adhesive makes it possible to stably obtain the bonding free from a thermal stress with the excellent heat resistance and the good reliability.

公开(公告)号：EP3214644A3

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：EP17155432.2

申请日：2017-02-09

Applicant: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.

Inventor： Zoschke, Kai ,  Töpper, Michael

IPC: H01L21/58 ,  B32B7/14

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B7/14 ,  B32B37/1292 ,  B32B2250/02 ,  B32B2255/26 ,  B32B2255/28 ,  B32B2323/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27515 ,  H01L2224/27632 ,  H01L2224/279 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/83905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/274

Abstract: Die vorliegende Anmeldung umfasst ein Klebeverfahren zum Verbinden eines ersten Wafers (101) und eines zweiten Wafers (401, 501), wobei zunächst eine erste Klebeschicht (102) auf eine Oberfläche des ersten Wafers (101) aufgetragen wird. Weiterhin wird eine zweite Klebeschicht (201) auf die erste Klebeschicht (102) aufgetragen und die beiden Klebeschichten (102, 201) werden durch selektives Entfernen beider Klebeschichten (102, 201) in mindestens einem vorgegeben Bereich des ersten Wafers (101) strukturiert. Weiterhin wird der erste Wafer (101) mit dem zweiten Wafer (401, 501) durch Drücken einer Oberfläche des zweiten Wafers (401, 501) auf die (strukturierte) zweite Klebeschicht (302, 402, 502) verbunden, wobei die zweite Klebeschicht (402, 502) beim Verbinden des ersten Wafers (101) mit dem zweiten Wafer (401, 501) fließfähiger als die erste Klebeschicht (301) ist. Das Verfahren kann weiterhin ein zumindest teilweises Aushärten der ersten Klebeschicht (102) vor dem Auftragen der zweiten Klebeschicht (201) umfassen. Die erste und zweite Klebeschicht (102, 201) können aus demselben Material in unterschiedlichen Aushärtungsstufen oder aus unterschiedlichen Materialien bestehen. Die erste und/oder zweite Klebeschicht (102, 201) können auf der dem ersten Wafer (101) abgewandten Seite planar sein. Auf der Oberfläche des zweiten Wafers (501) ist optional eine Oberflächentopographie vorhanden, wobei die zweite Klebeschicht (201, 502) mindestens so dick wie der höchste Punkt (503) der Oberflächentopographie aufgetragen wird.

Abstract translation: 本申请包括用于接合第一晶片（101）和第二晶片（401，501），其特征在于，首先将第一粘合剂层（102）施加到所述第一晶片（101）的表面的接合方法。 此外，第二粘合剂层（201）被施加到第一粘合层（102）和两个粘合层（102，201）通过选择性地去除在所述第一晶片（101）的至少一个预定区域构造两个粘合层（102，201）的制备。 此外，通过按压第二晶片（401，501）到（结构化的）第二粘合层（302，402，502）的一个表面上的第一晶片（101）到所述第二晶片（401，501），所述第二粘合剂层（ 当将所述第一晶片（101）结合到所述第二晶片（401,501）时，所述第一粘合剂层（402,502）比所述第一粘合剂层（301）更流动。 该方法可以进一步包括在施加第二粘合剂层（201）之前至少部分地固化第一粘合剂层（102）。 第一和第二粘合剂层（102,201）可以由不同的固化步骤或不同材料中的相同材料制成。 第一和/或第二粘合剂层（102,201）在背离第一晶片（101）的一侧可以是平面的。 在第二晶片（501）的表面具有的表面形貌是任选存在的，所述的第二粘合剂层（201，502）被施加至少与表面形貌的最高点（503）厚。

公开(公告)号：EP3086361A3

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：EP16161902.8

申请日：2016-03-23

Applicant: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG

Inventor： Schäfer, Michael ,  Schmitt, Wolfgang ,  Hinrich, Andreas ,  Barrera-Marin, Isabel

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/373 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/303 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Substratanordnung (10, 10') zur Verbindung mit einem Elektronikbauteil (50; 51), umfassend die Schritte:
- Bereitstellen eines Substrates (20), insbesondere eines DCB-Substrats, eines PCB-Substrats oder eines Leadframes, mit einer ersten Seite (22) und einer zweiten Seite (23),
- abschnittsweises Aufbringen eines Vorfixiermittels (30) auf die erste Seite (22) des Substrates (20).
Die Erfindung betrifft auch eine entsprechende Substratanordnung (10, 10') sowie ein entsprechendes Verfahren zum Verbinden eines Elektronikbauteils (50, 51) mit der Substratanordnung (10, 10').
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird beim Transport vom Ort des Bestückens der Substratanordnung (10, 10') mit dem Elektronikbauteil (50, 51') zum Ort des Verbindens eine ausreichende Transportfestigkeit erzeugt.
Das Vorfixiermittel (30) kann auch alternativ oder zusätzlich auf die erste Seite (52) des Elektronikbauteils (50, 51) abschnittsweise aufgebracht werden.
Auf die Substratanordnung (10, 10') und/oder auf das Elektronikbauteil (50, 51) kann vor dem Aufbringen des Vorfixiermittels (30) ein Kontaktierungsmaterial (25) aufgebracht werden. Das Vorfixiermittel (30) kann zumindest abschnittsweise seitlich des Kontaktierungsmaterials (25) aufgebracht werden, derart, dass das Vorfixiermittel (30) dicker als das Kontaktierungsmaterial (25) ist.
Nach dem Verbinden kann auf der ersten Seite (22) des Substrates (20) und/oder auf der dem Substrat (20) zugewandten ersten Seite (52) des Elektronikbauteils (50, 51) abschnittsweise ein Rest (31) des Vorfixiermittels (30) ausgebildet sein.