公开(公告)号：EP2800130A1

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：EP13165820.5

申请日：2013-04-29

Applicant: ABB Technology AG

Inventor： Brem, Franziska ,  Liu, Chunlei ,  Duran, Hamit

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/495 ,  H01L23/051

CPC classification number: H01L24/92 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/051 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/26135 ,  H01L2224/26165 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for bonding an electronics chip (10) to a substrate (12), the method comprising the steps of: coating a bonding area (14) of the chip (10) with a first metal layer (18); providing a bonding area (24) of the substrate (12) and/or the bonding area (14) of the chip (10) with a low melting point metal layer (30), wherein the bonding area (24) of the substrate (12) comprises a second metal layer (28); attaching a spacer (20) to the chip (10) and/or the substrate (12); positioning and fixing the chip (10) on the substrate (12); and transient liquid phase bonding the chip (10) to the substrate (12) by melting the low melting point layer (30), wherein the spacer (20) provides a specific distance between the first metal layer (18) and the second metal layer (28).

Abstract translation: 一种用于电子芯片（10）的键合到基底（12）的方法，该方法包括以下步骤：涂覆所述芯片（10）与第一金属层（18）的接合区域（14）; 提供所述基板的基板的接合区（24）（12）和/或芯片（10）具有低的低熔点金属层（30）的接合区域（14），其中，所述结合区域（24）（ 12）包括第二金属层（28）; 附接的间隔件（20）与芯片（10）和/或基底（12）; 定位和固定在基板上的芯片（10）（12）; 和瞬态液相接合芯片（10）到所述衬底（12）通过熔化低熔点层（30），其中所述间隔物（20）提供所述第一金属层（18）和第二金属层之间的特定距离 （28）。

公开(公告)号：EP2320452A1

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：EP09175421.8

申请日：2009-11-09

Applicant: ABB Technology AG

Inventor： Vobecky, Jan ,  Hemmann, Kati ,  Duran, Hamit ,  Rahimo, Munaf

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66128

Abstract: A fast recovery diode (1) is provided, which comprises an n doped base layer (2) with a cathode side (21) and an anode side (22) opposite the cathode side (21), a p doped anode layer (5) on the anode side (22). The anode layer (5) having a doping profile comprises at least two sublayers (51, 52, 53), wherein a first sublayer (51) has a first maximum doping concentration (515), which is between 2 * 10 16 cm -3 and 2 * 10 17 cm -3 and which is higher than the maximum doping concentration of any other sublayer (52, 53). A last sublayer (52) has a last sublayer depth (520), which is larger than any other sublayer depth (51, 53), wherein the last sublayer depth (520) is between 90 to 120 µm. The doping profile of the anode layer declines such that a doping concentration in a range of 5 * 10 14 cm -3 and 1 * 10 15 cm -3 is reached between a first depth (54), which is at least 20 µm, and a second depth (55), which is at maximum 50 µm. Such a profile of the doping concentration is achieved by using aluminium diffused layers as the at least two sublayers (51, 52, 53).

Abstract translation: 提供一种快速恢复二极管（1），其包括具有阴极侧（21）的n掺杂的基底层（2）和与阴极侧（21）相对的阳极侧（22） 阳极侧（22）。 具有掺杂分布的阳极层（5）包括至少两个子层（51,52,53），其中第一子层（51）具有第一最大掺杂浓度（515），其在2×10 16 cm -3 和2×10 17 cm -3，并且高于任何其它子层（52,53）的最大掺杂浓度。 最后一个子层（52）具有比任何其它子层深度（51,53）大的最后一个子层深度（520），其中最后一个子层深度（520）在90至120μm之间。 阳极层的掺杂分布下降，使得在至少20μm的第一深度（54）和至少20μm之间达到在5×10 14 cm -3和1×10 15 cm -3的范围内的掺杂浓度和 第二深度（55），其最大为50μm。 通过使用铝扩散层作为至少两个子层（51,52,53）来实现掺杂浓度的这种分布。

公开(公告)号：EP2320452B1

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：EP09175421.8

申请日：2009-11-09

Applicant: ABB Technology AG

Inventor： Vobecky, Jan ,  Hemmann, Kati ,  Duran, Hamit ,  Rahimo, Munaf

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66128

公开(公告)号：EP2804209A1

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：EP13168251.0

申请日：2013-05-17

Applicant: ABB Technology AG

Inventor： Brem, Franziska ,  Liu, Chunlei ,  Hartmann, Samuel ,  Schnell, Raffael ,  Duran, Hamit

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29194 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40229 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: A method for producing an electronics module (44, 44', 44") comprises the steps of: bonding a semiconductor device (12) to a first substrate (10); moulding the semiconductor device (12) and the first substrate (10) into a moulding material (32), such that the semiconductor device (12) and the first substrate (10) are at least partially covered by the moulding material (32) and such that the moulding material (32) comprises an opening (34) to a bonding area (20) of the semiconductor device (12); positioning a second substrate (46) opposite to the first substrate (10) with respect to the semiconductor device (10); and bonding the second substrate (46) to the bonding area (20) of the semiconductor device (12).

Abstract translation: 一种用于制造电子模块（44,44'，44“）的方法包括以下步骤：将半导体器件（12）接合到第一衬底（10）;将半导体器件（12）和第一衬底（10） 成型材料（32），使得半导体器件（12）和第一基板（10）至少部分地被模制材料（32）覆盖，并且使得模制材料（32）包括开口（34） 到所述半导体器件（12）的接合区域（20）;相对于所述半导体器件（10）定位与所述第一衬底（10）相对的第二衬底（46）;以及将所述第二衬底（46） 半导体器件（12）的接合区域（20）。