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公开(公告)号：TW201722741A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105138844
申请日：2016-11-25
Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
Inventor： 史肯克 克里斯 , SCHENK, CHRISTIAN , 衛斯理 法蘭克 , WESSELY, FRANK , 史肯齊 葛里特 , SCHEICH, GERRIT
CPC classification number: C03C3/06 , B05D3/007 , B05D7/50 , C03B19/066 , C03B2201/20 , C03B2201/30 , C03B2201/58 , C03C4/082 , C03C14/004 , C03C2201/26 , C03C2201/30 , C03C2203/22 , C03C2214/30
Abstract: 為可以低成本製造機械及熱穩定複合體且可借助熔接來實現大面積黏合連接之方式最佳化用於製造複合體之已知方法，其中該複合體具有以第一濃度具有額外組份之高矽酸含量材料之第一層，該第一層連接至以不同於該第一濃度之第二濃度具有額外組份之高矽酸含量材料之第二層，其中該第一及該第二濃度大於或等於0，根據本發明提出包含以下方法步驟之方法：(a)藉由使用含有第一分散劑及分散於其中之第一SiO2粒子及第一濃度之該額外組份之第一漿團來製備具有自由表面之第一漿液層，(b)提供含有第二分散劑及分散於其中之第二SiO2粒子及不同於第一濃度之第二濃度之該額外組份之第二漿團，(c)藉由將該第二漿團施加至該第一漿液層之該自由表面來形成複合體中間產物，且(d)加熱該複合體中間產物，同時形成該複合體。
Abstract in simplified Chinese: 为可以低成本制造机械及热稳定复合体且可借助熔接来实现大面积黏合连接之方式最优化用于制造复合体之已知方法，其中该复合体具有以第一浓度具有额外组份之高硅酸含量材料之第一层，该第一层连接至以不同于该第一浓度之第二浓度具有额外组份之高硅酸含量材料之第二层，其中该第一及该第二浓度大于或等于0，根据本发明提出包含以下方法步骤之方法：(a)借由使用含有第一分散剂及分散于其中之第一SiO2粒子及第一浓度之该额外组份之第一浆团来制备具有自由表面之第一浆液层，(b)提供含有第二分散剂及分散于其中之第二SiO2粒子及不同于第一浓度之第二浓度之该额外组份之第二浆团，(c)借由将该第二浆团施加至该第一浆液层之该自由表面来形成复合体中间产物，且(d)加热该复合体中间产物，同时形成该复合体。
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公开(公告)号：TWI572568B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103136400
申请日：2014-10-22
Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
Inventor： 歐克斯 史帝芬 , OCHS, STEFAN , 貝克 克勞斯 , BECKER, KLAUS
IPC: C03B19/06 , C03B19/14 , C03B20/00 , C03C3/06 , G02B1/00 , G02B5/08 , G02B27/18 , B41N1/12 , G03F1/24
CPC classification number: C03B19/1461 , C03B19/066 , C03B19/106 , C03B19/1095 , C03B19/14 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/12 , C03C2201/42 , C03C2203/40 , C03C2203/54 , C03C2204/00 , G03F1/24
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公开(公告)号：TW201704162A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105113158
申请日：2016-04-27
Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
Inventor： 格羅曼 伯里斯 , GROMANN, BORIS , 索恩 馬賽厄斯 , SOEHN, MATTHIAS , 布盧梅瑙 亞歷山大 , BLUMENAU, ALEXANDER
IPC: C03B23/053 , C03B23/07 , C03B23/08 , C03B20/00
CPC classification number: C03B23/08 , C03B23/043 , C03B23/045 , C03B23/053 , C03B23/07
Abstract: 一種用於生產玻璃管的已知方法包含藉助於可移動加熱區域逐區域地加熱及軟化圍繞其旋轉軸旋轉之中空圓柱，其中藉由在施加於中空圓柱孔中的離心力及/或內部過壓之作用下徑向擴展該經軟化區域而連續地形成該玻璃管。自其開始，為了指示一種使得有可能在單個形成步驟中或在小數目個形成步驟中將中空圓柱在可能的情況下形成為具有大外徑及高維度準確度之玻璃管的方法，根據本發明而建議，提供該中空圓柱包含判定壁厚度相對小之圓周位置，以及在加熱及軟化該旋轉中空圓柱期間，僅當或主要當具有相對小壁厚度的該圓周位置通過冷卻劑來源時將冷卻劑自該冷卻劑來源施配至變形區域上。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于生产玻璃管的已知方法包含借助于可移动加热区域逐区域地加热及软化围绕其旋转轴旋转之中空圆柱，其中借由在施加于中空圆柱孔中的离心力及/或内部过压之作用下径向扩展该经软化区域而连续地形成该玻璃管。自其开始，为了指示一种使得有可能在单个形成步骤中或在小数目个形成步骤中将中空圆柱在可能的情况下形成为具有大外径及高维度准确度之玻璃管的方法，根据本发明而建议，提供该中空圆柱包含判定壁厚度相对小之圆周位置，以及在加热及软化该旋转中空圆柱期间，仅当或主要当具有相对小壁厚度的该圆周位置通过冷却剂来源时将冷却剂自该冷却剂来源施配至变形区域上。
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公开(公告)号：TWI505999B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103104470
申请日：2014-02-11
Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
Inventor： 法畢安 漢斯 , FABIAN, HEINZ , 湯瑪士 史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
CPC classification number: C03B19/1415 , C03B19/14 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03B2207/32 , C03B2207/34 , C03C3/06 , C03C2201/42 , C03C2203/40
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201520697A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103131648
申请日：2014-09-12
Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
Inventor： 貝克 克勞斯 , BECKER, KLAUS , 湯瑪士 史蒂分 , THOMAS, STEPHAN
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70958 , C03B19/1415 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/42 , G02B5/0891 , G02B7/008
Abstract: 本發明係關於一種用於EUV鏡之基板，其包含脫離統計分佈之零交叉溫度剖面。本發明亦關於一種產生用於EUV鏡之基板之方法且關於其用途，藉此使該基板中之該零交叉溫度剖面適於該鏡之操作溫度，以及關於使用該基板之微影方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种用于EUV镜之基板，其包含脱离统计分布之零交叉温度剖面。本发明亦关于一种产生用于EUV镜之基板之方法且关于其用途，借此使该基板中之该零交叉温度剖面适于该镜之操作温度，以及关于使用该基板之微影方法。
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公开(公告)号：TWI483914B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW099123445
申请日：2010-07-16
Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
Inventor： 維德克 瓦特圖勞德 , WERDECKER, WALTRAUD , 蕭何 格瑞特 , SCHEICH, GERRIT , 宣克 克里斯汀 , SCHENK, CHRISTIAN
CPC classification number: C03C17/02 , C03C2218/11
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公开(公告)号：TWI468351B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098115224
申请日：2009-05-08
Applicant: 德國何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
Inventor： 凱薩 湯瑪士 , KAYSER, THOMAS , 雷曼 華特 , LEHMANN, WALTER , 勞當 西瑪 , LAUDAHN, HILMAR
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B35/002
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公开(公告)号：TWI399347B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW095137054
申请日：2006-10-05
Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG , 信越石英股份有限公司 , SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.
Inventor： 攸爾根 偉伯 , JUERGEN WEBER , 托比亞斯 波格 , TOBBIAS POGGE , 馬丁 托墨爾 , MARTIN TROMMER , 波多 庫恩 , BODO KUEHN , 烏利希 契爾斯特 , ULRICH KIRST , 華陶特 衛狄克 , WALTRAUD WERDECKER
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/06 , C03B19/09 , C03B32/00 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/24 , C03B2201/32 , C03C15/00 , C03C19/00 , C03C23/0025 , C03C23/006 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2201/32 , C03C2201/50 , C03C2203/54 , C30B25/12 , C30B31/14 , C30B35/00 , Y02P40/57
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公开(公告)号：TW201305085A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101109036
申请日：2012-03-16
Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 , HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG
Inventor： 諾伊曼 克里斯汀 , NEUMANN, CHRISTIAN , 貝克 約爾格
CPC classification number: H01M4/366 , C01B32/00 , C01P2006/12 , C03B19/1492 , C03B37/005 , C04B35/524 , C04B35/636 , C04B38/0032 , C04B2235/3418 , C04B2235/48 , C04B2235/6028 , H01M4/0416 , H01M4/0471 , H01M4/049 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/362 , H01M4/382 , H01M4/5815 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , C04B35/52 , C04B38/0054 , C04B38/0074
Abstract: 此係提出一種方法，以便由多孔性碳元素便宜製造產品，而其多孔結構適合用來做為電極成分之結構，尤其適合做為鋰硫二次電池之電極材料，其具下列方法步驟：(a)由無機材料製造一種模板，該模板含有球形奈米級粒子及孔洞，(b)以第一類碳元素之前驅物質滲透模板之孔洞，(c)加以碳化，於奈米級粒子形成具第一種微多孔性之內層，(d)以第二類碳前驅物質滲透模板剩餘之孔洞，(e)將前驅物質加以碳化，於其內層覆上一層具第二種微多孔性之外層，其微多孔性較第一種微多孔性為低，以及(f)移除模板，以形成具多層疊合結構之碳製品，其結構包含一層由碳元素所構成之內層，並具第一種較高之微多孔性，含有一個向著空腔之開放表面，另具一層由碳元素所構成之外層，其具第二種較低之微多孔性，含有一個背對空腔之開放表面。
Abstract in simplified Chinese: 此系提出一种方法，以便由多孔性碳元素便宜制造产品，而其多孔结构适合用来做为电极成分之结构，尤其适合做为锂硫二次电池之电极材料，其具下列方法步骤：(a)由无机材料制造一种模板，该模板含有球形奈米级粒子及孔洞，(b)以第一类碳元素之前驱物质渗透模板之孔洞，(c)加以碳化，于奈米级粒子形成具第一种微多孔性之内层，(d)以第二类碳前驱物质渗透模板剩余之孔洞，(e)将前驱物质加以碳化，于其内层复上一层具第二种微多孔性之外层，其微多孔性较第一种微多孔性为低，以及(f)移除模板，以形成具多层叠合结构之碳制品，其结构包含一层由碳元素所构成之内层，并具第一种较高之微多孔性，含有一个向着空腔之开放表面，另具一层由碳元素所构成之外层，其具第二种较低之微多孔性，含有一个背对空腔之开放表面。
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