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公开(公告)号：KR1020110084329A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020117013715
申请日：2009-08-24
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
Inventor： 카와카미,마코토
CPC classification number: H02K41/031 , H02K1/146 , H02K1/278 , H02K7/08 , H02K7/09 , H02K2201/06 , H02K2207/03 , H02K2213/03 , H02K41/02
Abstract: 리니어모터(10)를 구성하기 위해, 길이방향의 한 방향으로 자화되어 있는 판형자석, 연질자성체, 길이방향의 다른 방향으로 자화되어 있는 판형자석, 연질자성체, … 의 순서로 번갈아서 서로 겹치게 구성된 가동자(1)가, 요크부로부터 가동자(1)의 두께방향으로 뻗어나는 코어부를 가지는 제1 서브유닛(５)과 요크부로부터 가동자의 폭방향으로 뻗어나는 코어부를 가지는 제2 서브유닛(６)이 번갈아서 배열되어 구성된 전기자(４)로 관통된다. 감기선(８ａ, ８ｂ)이 제2 서브유닛(６)의 코어부에 일괄하여 감겨져 있다.
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公开(公告)号：KR1020110018901A
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：KR1020107028067
申请日：2009-05-12
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
Inventor： 니시무라,카즈노리
IPC: H01F1/22 , H01F3/08 , H01F27/255
CPC classification number: H01F41/0226 , B22F1/0003 , B22F2999/00 , H01F1/15308 , H01F1/15366 , H01F1/15375 , H01F3/08 , H01F27/255 , H01F41/0246 , B22F9/04 , B22F9/082 , B22F2009/048 , B22F1/0055
Abstract: 본 발명은, 제1 자성체로서 Fe계 비정질 합금 리본의 분쇄분말과, 제2 자성체로서 Cr을 포함하는 Fe계 비정질 합금 애토마이즈 분말을 주성분으로 하는 압분자심으로서, 상기 분쇄분말은 박판상으로, 대향하는 2주면을 가지며, 상기 주면의 면방향의 최소치를 입경으로 했을 때, 입경이 분쇄분말 두께의 2배 초과 6배 이하인 분쇄분말이 전체 분쇄분말의 80질량％ 이상이고, 동시에 입경이 분쇄분말 두께의 2배 이하인 분쇄분말이 전체 분쇄분말의 20질량％ 이하이며, 동시에 상기 애토마이즈 분말의 입경이 상기 분쇄분말 두께의 1/2 이하, 3㎛ 이상인 압분자심을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100983253B1
公开(公告)日：2010-09-20
申请号：KR1020057016719
申请日：2004-03-08
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H01L24/11 , B23K3/0623 , H01L21/4853 , H01L24/742 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/11003 , H01L2224/11005 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K3/3478 , H05K2203/041 , H05K2203/0485 , H05K2203/0557 , H05K2203/104 , Y10T29/49204 , Y10T156/10 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 소정의 패턴으로 도전성 볼을 피배열체에 탑재하기 위한 개량된 탑재방법 및 탑재장치를 제공한다. 도전성을 갖는 볼을 피배열체의 일면에 소정의 패턴으로 탑재하는 탑재방법에 있어서, 한쪽 면 및 상기 한쪽 면에 대한 다른 쪽 면과, 상기 패턴에 대응하여 배치되고, 상기 한쪽 면 및 상기 다른 쪽 면에 개구하여 상기 볼이 삽입되어 통과가능한 위치결정 개구부를 갖춘 정렬부재를 상기 정렬부재의 다른 쪽 면이 상기 피배열체의 일면에 대응하는 상태로 위치 맞춤하고, 축심을 거의 갖춘 상태로 배치 설치된 2개 이상의 선형 부재를 구비한다. 상기 정렬부재의 한쪽 면에 공급된 상기 볼에 대해 상기 선형부재가 대략 수평 자세로 접촉가능한 상태로 배치 설치된 흔들어 넣는 장치를 상기 정렬 부재의 한쪽 면에 대해 상대적으로 수평 이동하고, 상기 위치결정 개구부를 통하여 상기 피배열체의 한쪽에 볼을 탑재한다.
탑재 장치, 접속 범프, 볼, BGA, FC, 정렬부재-
公开(公告)号：KR100930348B1
公开(公告)日：2009-12-08
申请号：KR1020077030828
申请日：2006-07-13
Applicant: 유겡가이샤 소피아 프로덕트 , 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: C22C13/00 , B23K35/262 , B32B2311/12 , C03C27/046 , C03C27/08 , C04B37/026 , C04B2235/96 , C04B2237/12 , C04B2237/34
Abstract: 우수한 접합 강도 및 기밀 봉지성을 달성할 수 있는, 무납 솔더 금속 재료를 제공한다. 질량%로, Ag: 2.0~15.0%, Al: 0.1초과~6.0%를 포함하고, 잔부 Sn 및 불가피적 불순물로 이루어진 산화물 접합용 솔더 합금이다. Al에 대해서 바람직하게는 0.3~3.0%, 보다 바람직하게는 0.5~1.5%이다. 또, Ag에 대해서 바람직하게는 3.0~13.0%, 보다 바람직하게는 5.0초과~12.0%, 보다 바람직하게는 6.0~10.0%이다. Ag와 Al의 관계에서는 바람직하게 0
Abstract translation: 提供了一种能够实现优异的结合强度和气密密封的无铅金属焊接材料。 该焊料合金是用于与氧化物接合的焊料合金，其含有Ag：2.0〜15.0质量％，Al：大于0.1〜6.0质量％，余量由Sn和不可避免的杂质构成。 Al的含量优选为0.3〜3.0质量％，更优选为0.5〜3.0质量％。 Ag的含量优选为3.0〜13.0质量％，更优选为超过5.0〜12.0质量％，最优选为6.0〜10.0质量％。 符合不等式0 <[（％Ag）| - （％Al）＆times; 7.8] <10的Ag和Al之间的关系是理想的。 本发明的用于与氧化物接合的焊料合金例如用于玻璃之间的接合，并且具有优异的效果。
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公开(公告)号：KR1020090082105A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020087027429
申请日：2007-10-26
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H01C7/025 , C01G29/006 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62645 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3234 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , H01C7/045 , H01C17/06533 , H01G4/1227 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: Disclosed is a semiconductor ceramic composition wherein a part of Ba in BaTiO3 containing no Pb is substituted by Bi-Na. The semiconductor ceramic composition is characterized in that the Curie temperature is shifted to the positive direction without using Pb and the resistivity at room temperature is greatly reduced. Also disclosed is a method for producing such a semiconductor ceramic composition. Specifically disclosed is a semiconductor ceramic composition having a composition formula expressed as [(BiNa)xBa1-x]TiO3 wherein x satisfies the following formula: 0
Abstract translation: 公开了一种半导体陶瓷组合物，其中不含Pb的BaTiO 3中的Ba的一部分被Bi-Na取代。 半导体陶瓷组合物的特征在于，居里温度不使用Pb而转移到正方向，并且室温下的电阻率大大降低。 还公开了这种半导体陶瓷组合物的制造方法。 具体公开的是具有表示为[（BiNa）xBa1-x] TiO3的组成式的半导体陶瓷组合物，其中x满足下式：0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090074061A
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020097008597
申请日：2007-10-26
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H01C7/025 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/006 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , H01C7/045 , H01C17/06533 , H01G4/1227 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L28/20
Abstract: Disclosed is a semiconductor ceramic composition containing no Pb, wherein the Curie temperature is shifted to the positive direction and high jump characteristics are obtained while suppressing increase in room temperature resistivity to the minimum. Specifically disclosed is a semiconductor ceramic composition obtained by sintering a calcinated powder mixture of a BT calcinated powder composed of a (BaR)TiO3 calcinated powder or a Ba(TiM)O3 calcinated powder (wherein R and M are semiconductorizing elements) and a BNT calcinated powder composed of (BiNa)TiO3 calcinated powder, wherein a part of Ba in BaTiO3 is substituted by Bi-Na. The semiconductor ceramic composition is obtained by adding BaCO3 and/or TiO2 into the BT calcinated powder, the BNT calcinated powder or a mixture of them.
Abstract translation: 公开了一种不含Pb的半导体陶瓷组合物，其中居里温度向正方向移动，并且在将室温电阻率的增加抑制到最小的同时获得高跳跃特性。 具体公开了通过烧结由（BaR）TiO 3煅烧粉末或Ba（TiM）O 3煅烧粉末（其中R和M是半导体元素）组成的BT煅烧粉末和煅烧的BNT的煅烧粉末混合物而获得的半导体陶瓷组合物 由（BiNa）TiO 3煅烧粉末组成的粉末，其中BaTiO 3中的Ba的一部分被Bi-Na取代。 通过向BT煅烧粉末，BNT煅烧粉末或它们的混合物中加入BaCO 3和/或TiO 2获得半导体陶瓷组合物。
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77.发明授权질화규소 분말, 질화규소 소결체, 질화규소 소결체 기판,및 그 질화규소 소결체 기판을 포함한 회로기판 및열전소자 모듈 有权氮化硅粉末，烧结硅氮化物，烧结硅氮化物衬底和电路板以及包含这种烧结硅氮化物衬底的热电元件模块
公开(公告)号：KR100833962B1
公开(公告)日：2008-05-30
申请号：KR1020010058380
申请日：2001-09-20
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: C01B21/068
CPC classification number: H05K1/0306 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01P2004/03 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H05K2201/0355 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , Y10T428/252 , Y10T428/26 , Y10T428/266 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 Mg와, La, Y, Gd 및 Yb로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 희토류원소를 함유하고, Mg를 MgO로 환산하고, 희토류원소를 희토류산화물(RE
x O
y )로 환산했을 때, 상기 원소의 산화물 환산 함유량의 합계가 0.6∼7중량%인 질화규소 소결체를 제공한다. 본 발명의 질화규소 소결체는, β분율이 30∼100%이며, 산소함유량이 0.5중량% 이하이고, 평균입경이 0.2∼10㎛이며, 어스팩트비가 10이하인 제1의 질화규소 분말 1∼50중량부와, 평균입경이 0.2∼4㎛의 α형의 제2질화규소 분말 99∼50중량부를 혼합하여, 1,800℃ 이상의 온도 및 5기압 이상 압력의 질소분위기 중에서 소결하는 것에 의해 제조된다.
Mg, La, Y, Gd, Yb, 질화규소 소결체, 희토류원소. MgO, 질화규소, 열전소자, 회로기판, 반도체소자-
公开(公告)号：KR100592471B1
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1019990044618
申请日：1999-10-14
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
IPC: H01F1/00
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 본 발명은 중량%로 R: 28~33%, B: 0.5~2%, 및 실질적으로 잔부가 T 및 불가피적 불순물로 이루어진 조성을 가지는 RTB계 소결형 영구자석(R은 Y를 함유하는 최소한 1종의 희토류 원소이고, Dy, Tb 및 Ho로 이루어진 그룹으로부터 선택된 최소한 1종의 중희토류 원소를 반드시 함유하며, T는 Fe 또는 Fe와 Co이다)이고, 중희토류 원소의 농도가 결정입계상보다 높은 제 1 R
2 T
14 B형 주상 결정 입자와, 상기 중희토류 원소의 농도가 결정입계상보다 낮은 제 2 R
2 T
14 B형 주상 결정 입자를 함유하는 조직을 가지는 RTB계 소결형 영구자석에 관한 것이다.
영구자석, 결정 입자, 희토류 원소, 소결형, 자기 특성-
公开(公告)号：KR1020050107564A
公开(公告)日：2005-11-14
申请号：KR1020050101642
申请日：2005-10-27
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H01P1/383
Abstract: 한 방향으로 마이크로파의 고주파 신호를 전송하는 비가역 회로 소자가 개시된다. 비가역 회로 소자의 전기적인 특성은 특정한 범위 내의 두께를 갖는 절연 시트를 사용함으로써 개선되며, 이로써 수직으로 인접하는 띠 전극 간의 거리를 특정한 범위 내로 제어할 수 있게 된다. 또한, 비가역 회로 소자의 전기적인 특성에 있어서의 제품-대-제품 변화는 띠 전극의 단부 부분을 그에 결합되는 캐패시터의 상부 표면과 동일 평면 관계를 가지며 연장되도록 형성함으로써 최소화된다.
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公开(公告)号：KR100503647B1
公开(公告)日：2005-07-26
申请号：KR1020040083938
申请日：2004-10-20
Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
CPC classification number: H04B1/005 , H04B1/48 , H05K1/0237 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/16 , H05K1/181 , H05K3/403 , H05K2201/10015 , H05K2201/10174 , Y02P70/611
Abstract: 통과대역이 다른 다수의 송수신계를 이용하는 통신 시스템에 사용하기 위한 적층체 형태의 멀티밴드용 고주파 스위치 모듈이 개시된다. 이 멀티밴드용 고주파 스위치 모듈은 기본적으로 대역분리 회로와 송수신계용의 다수의 스위치 회로를 포함한다. 상기 스위치 회로는 대역분리 회로를 통해 공통안테나에 접속되며, 송수신 계의 송신회로 또는 수신회로에 공통 안테나를 접속시킨다. 멀티밴드용 고주파 스위치 모듈의 적층체는 유전체층에 인쇄된 패턴 전극, 적층체의 측면에 형성된 단자전극, 및 적층체의 상부면에 실장된 칩 소자를 포함한다.
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