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公开(公告)号：CN109962030A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711407089.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本申请提供一种静电吸盘，在基座的中心区域和边缘区域分别设置热交换通道，在中心区域和边缘区域之间设置有隔离槽，隔离槽的形状为环状，隔离槽靠近边缘区域的外壁和靠近中心区域的内壁之间设置有连接体，隔离槽可隔断中心区域和边缘区域的热传递，实现两个区域的温度不同，同时，由于连接体的存在，起到加强筋的作用，在中心区域和边缘区域的温度差别较大时，避免因为应力过大导致的基座表面向上凸起变形。
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公开(公告)号：CN219626589U
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202223404128.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种等离子体边缘刻蚀设备，其包括：等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括腔室盖和腔室壁；位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；限位组件，所述上电极组件通过所述限位组件与所述腔室盖选择性地进行限位，其中，所述限位组件用于在开关所述腔室盖的过程中使所述上电极组件处于限位状态。本实用新型通过设置限位组件将上电极组件限位在腔室盖，避免在开腔时上电极组件相对于腔室盖之间的不规则晃动，这样的晃动会影响供水供气管路的连接稳定性，带来漏水漏气的风险。
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公开(公告)号：CN213150716U
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202022725312.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种下电极组件和等离子体处理装置，其中，所述下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；遮盖环，设于所述聚焦环下方，沿其周向设有若干个凹槽；移动块，设于所述凹槽内，其内侧顶角设有台阶，所述台阶用于支撑部分聚焦环；驱动装置，与所述移动块连接，用于驱动所述移动块带动聚焦环上下移动。利用所述下电极组件更换聚焦环时无需打开反应腔就能够实现更换。
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公开(公告)号：CN222729870U
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202421192829.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种真空处理设备，包括至少两个处理腔，每个所述处理腔内设有一基座，所述基座用于承载衬底，环绕所述基座外围设置排气区域；所述两个处理腔共用一套真空系统，所述真空系统包括一真空泵，所述真空泵具有一真空泵口；两个所述排气区域沿第一方向的投影分别与所述真空泵口截面至少部分重合，且重合区域沿所述第一方向上存在贯通气路。节省成本的同时提高抽真空效率。
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公开(公告)号：CN210866115U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921907436.3
申请日：2019-11-05
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本实用新型公开了一种气体输送系统及半导体处理装置，包括气体调节装置，气体调节装置的输入端接入处理气体；多个支路气体管路，每一支路气体管路均包括依次连接的支路开关阀、缓冲器、第一气动阀及质量流量控制器，支路开关阀的输入端与气体调节装置的输入端相连，质量流量控制器的输出端连接相应的反应腔。将多个支路气体管路共用同一气体调节装置，能够减少气体输送系统的组成部件而使其结构简单、占用面积小，且降低半导体处理装置的成本；每一支路气体管路中均设置有一缓冲器，起到稳定所在支路气体管路的传输气体的压力的作用，还消除其他支路气体管路在突然关闭或突然开启时造成的传输气体的压力不稳的影响，提高半导体处理装置性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216818271U
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202123003406.X
申请日：2021-12-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于半导体处理设备的气体分配装置及其导流件，导流件设置在半导体处理设备中的气体分配装置中，气体分配装置包含气体源以及连接气体源的气体分配管路，气体分配管路包含主管路和调节管路，导流件包含一气体通道，用于连接主管路和调节管路，调节管路中的调节气体从气体通道流入主管路，气体通道的出气方向与主管路中的主气体的出气方向不垂直。本实用新型在气体汇流时令小流量气体的气流方向与大流量气体的气流方向保持同向，使得大流量气体推动小流量气体流动，防止大流量气体堵住小流量气体，从而实现小流量气体对工艺的调节。
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公开(公告)号：CN213907015U
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202023036640.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/24
Abstract: 本实用新型公开了一种反应气体流量控制装置及等离子体处理装置，所述反应气体流量控制装置包括：第一进气件，其包括至少一个第一通孔；气体通路，形成于所述第一进气件，用于所述反应气体的通入；所述反应气体流经所述气体通路，从所述第一通孔流出；至少一个调节件，所述调节件用于调节与对应的所述第一通孔的相对位置，从而调节对应的所述第一通孔处反应气体的流量。本实用新型可以使通入等离子体处理装置的反应气体的流量具有可调节性，提高晶片的刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN213026047U
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202022564479.5
申请日：2020-11-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种气体分配系统及半导体处理装置，包括：歧管，所述歧管的主干路的输入端接收处理气体，其多个支路的输出端通向相应的反应腔；位于所述主干路上的气压调节组件；以及，位于每个所述支路上依次连接的第一进气阀，质量流量控制器，第二进气阀，其中，所述支路上的处理气体的流量小于等于2000sccm，通过限制管路中的流量，使歧管的多个支路可以共用主干路上的一个气压调节组件，既能在发生某一支路压力产生变化的情况时，通过质量流量控制器稳定控制处理气体的流量，进而保证半导体处理装置的刻蚀均一性，还可以将设备的制造成本显著降低，并且随着反应腔的增多，成本会进一步下降。
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公开(公告)号：CN215342540U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202120882172.1
申请日：2021-04-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种基片对准装置、基片对准系统，包括支撑板，传感器和计算单元，通过对准装置的支撑板和传感器配合，建立基片和基座直接的对准关系，利用基座上已有的特征区域，结合传感器的光学结构，实现最少的中间辅助部件参照；配合整体基片加工系统，实现真空环境的测量，减少对生产加工的延误，优化工艺流程，提高生产效率；使用对准装置获得的数据结果对传送机构的运行轨迹进行调整，进一步确保基片放置位置的准确性和可重复性，保证每一片基片加工的均一性。
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公开(公告)号：CN214123831U
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202023016828.6
申请日：2020-12-15
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/32 , G01B11/06
Abstract: 本实用新型提供了一种边缘环高度测量装置，包括放在静电吸盘上的带有定位点的承载盘，以及承载盘上的成像设备，通过成像设备多次获取边缘环的图像，然后进行数据处理后计算边缘环的高度或者厚度变化，变化数据有利于对边缘环损耗的调整，利用对不同区域多点的测量能降低误差，不需要破坏原有真空环境，大大降低了因边缘环调整耗费的停滞时间。
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