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公开(公告)号：CN105793476A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480064895.3
申请日：2014-12-04
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/02 , H01L33/20
Abstract: 在氮化镓基板的表面3a对与氮化镓基板的带隙相对应的波长的阴极发光峰强度进行测定时，0.1mm×0.1mm的测定视野中的阴极发光峰强度的最大值为阴极发光峰强度的平均值的140％以上。
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公开(公告)号：CN102471920B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080030599.3
申请日：2010-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B9/10 , C30B29/38 , H01L21/208
CPC classification number: H01L21/02639 , C30B9/10 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0265
Abstract: 在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜(3C)，此时在基板上形成没有被所述晶种膜(3C)覆盖的非育成面(1b)的晶种膜。通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶。多个晶种膜(3C)由所述非育成面(1b)相互分开，且至少在两个方向上排列。晶种膜(3C)的最大内切圆直径(A)为50μm以上、6mm以下，晶种膜(3C)的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，非育成面(1b)的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。
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公开(公告)号：CN102575384A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046040.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/12 , H01L21/208
CPC classification number: C30B29/406 , C30B33/08 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254
Abstract: 在基底基板(18)的主面(c面)(18a)上以阶梯状形成有多个台阶(19)。各台阶(19)的阶差为10～40μm，边缘形成为与GaN的六方晶的a面平行。又，各台阶(19)的平台宽度被设定为规定的宽度。规定的宽度被设定为，在基底基板(18)的主面(18a)上生长GaN结晶之后，从表面侧观察该生长后的GaN结晶时，通过晶界使主面(18a)被覆盖隐藏。多个台阶(19)通过例如干蚀刻、喷沙、激光、冲切等来形成。
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公开(公告)号：CN102492993A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201210003531.7
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1938457B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200580010050.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。通过使用至少含有钠金属的助熔剂8生长氮化镓单晶。在包含含有氮气的混合气体B的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。优选气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。优选生长温度为1000℃以上、1500℃以下。
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公开(公告)号：CN101925696A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103154.0
申请日：2009-01-22
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B19/12
Abstract: 一种III族金属氮化物单晶的制造方法，使用模板基板(10A)，其具有：具备侧面(1b)以及一对主面(1a)的基板主体(1)、形成在主面(1a)上的III族金属氮化物单晶的基膜(2)。通过液相法，在基板主体1的至少一个主面(1a)上培养III族金属氮化物单晶(3)。从平面观测，基膜(2)呈凸图形。未设置基膜的未成面(4)包围在基膜(2)的整个周围。在基膜(2)成长的III族金属氮化物单晶(3)不与成长在其他基膜的III族金属氮化物单晶接触。
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公开(公告)号：CN1938457A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010050.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。通过使用至少含有钠金属的助熔剂8生长氮化镓单晶。在包含含有氮气的混合气体B的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。优选气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。优选生长温度为1000℃以上、1500℃以下。
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公开(公告)号：CN1829940A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480022089.6
申请日：2004-08-02
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/377 , G02F2202/20
Abstract: 本发明提供转换效率高、并且可提高蓝色激光的输出功率的蓝色激光的起振方法以及装置。所采用的方法是：使来自法布里－珀罗(Fabry－Pelot)型宽带半导体激光起振元件(2)的输出光作为基波入射到由非线性光学晶体做成的平板光导波路(8)。从平板光导波路(8)输出蓝色激光(B)。
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公开(公告)号：CN203174224U
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201320072836.3
申请日：2013-02-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一种复合基板（7），具有蓝宝石基板（1）、晶种膜（2）以及氮化镓膜（3），所述晶种膜（2）由通过荧光显微镜观察看到黄色发光效果的氮化镓构成，所述氮化镓膜（3）在所述晶种膜（2）上通过助熔剂法在含氮气氛下由熔液育成，没有看到黄色发光效果。所述复合基板（7）包括被设置于自氮化镓膜（3）的晶种膜侧的界面起50μm以下的区域的、分布有源自所述熔液的成分的夹杂物的夹杂物分布层（3a）和被设置于夹杂物分布层上的缺乏夹杂物的夹杂物缺乏层（3b）。
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