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公开(公告)号：KR102063814B1
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：KR1020130082978
申请日：2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김은정
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
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公开(公告)号：KR101872777B1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：KR1020120019752
申请日：2012-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/28
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 콘택형성방법및 이를이용한상변화메모리장치의제조방법이제공된다. 상기콘택형성방법은기판상에, 제1 방향의제1 측벽및 상기제1 방향과수직인제2 방향의제2 측벽을갖는다수의콘택홀를포함하는절연막패턴을형성하고, 상기콘택홀내에반도체패턴을형성하고, 상기반도체패턴및 상기제1 측벽의측면상에상기반도체패턴의일부를노출시키는분리스페이서를형성하고, 상기분리스페이서를이용하여상기노출된반도체패턴을식각하여다수개의반도체패턴으로분리하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170029849A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150126949
申请日：2015-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L21/0274 , H01L21/31051 , H01L21/31144 , H01L21/565 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10852 , H01L27/10897 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L28/60
Abstract: 에지칩을갖는반도체소자형성방법에관한것이다. 식각정지층을갖는기판상에몰드층 및써포터층을형성한다. 상기써포터층 상에마스크층을형성한다. 상기마스크층 상에제1 가장자리블로킹층을형성한다. 상기마스크층을식각하여마스크패턴을형성한다. 상기써포터층, 상기몰드층 및상기식각정지층을관통하는홀을형성한다. 상기홀 내에하부전극을형성한다. 상기써포터층 상에써포터마스크층을형성한다. 상기써포터마스크층 상에제2 가장자리블로킹층을형성한다. 상기써포터마스크층을패터닝하여써포터마스크패턴을형성한다. 상기써포터층을관통하는써포터개구부를형성한다. 상기몰드층을제거한다. 상기하부전극상에캐패시터유전층 및상부전극을형성한다. 상기상부전극상에층간절연층을형성한다. 상기층간절연층을평탄화한다.
Abstract translation: 以及形成具有边缘芯片的半导体元件的方法。 在具有蚀刻停止层的基板上形成模层和支撑层。 掩模层形成在支撑层上。 第一边缘阻挡层形成在掩模层上。 掩模层被蚀刻以形成掩模图案。 穿透支撑层，模具层和蚀刻停止层的孔被形成。 并在孔中形成下电极。 支撑物掩模层形成在支撑物层上。 第二边缘阻挡层形成在支撑掩模层上。 支撑掩模层被图案化以形成支撑掩模图案。 通过支撑层形成支撑开口。 模具层被移除。 并且在下电极上形成电容器介电层和上电极。 在上电极上形成层间绝缘层。 层间绝缘层被平坦化。
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公开(公告)号：KR1020170010498A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150102208
申请日：2015-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10885
Abstract: 셀영역및 주변회로영역을포함하는기판의셀 영역상에각각이제3 방향으로연장되는복수의제1 패턴들을제3 방향과교차하는제1 방향을따라형성하고, 기판의주변회로영역상에제2 패턴을형성한다. 제3 방향과교차하는제4 방향으로각각연장되는복수의제1 마스크들을제1 패턴들상에제1 방향을따라형성하고, 제2 마스크를제2 패턴상에형성한다. 제1 마스크들사이에각각이제4 방향으로연장되는복수의제3 마스크들을형성한다. 제1 내지제3 마스크들을식각마스크로사용하여제1 및제2 패턴들을식각함으로써각각제3 및제4 패턴들을형성한다. 제3 및제4 패턴들을식각마스크로사용하여기판상부를식각함으로써각각제1 및제2 액티브패턴들을셀 영역및 주변회로영역에각각형성한다.
Abstract translation: 在形成有源图案的方法中，在基板的单元区域上沿第一方向形成第一图案，并且在基板的外围电路区域上形成第二图案。 第一图案沿与第一方向交叉的第三方向延伸。 第一掩模在第一图案上沿第一方向形成，第二掩模形成在第二图案上。 第一掩模沿与第三方向交叉的第四方向延伸。 第三掩模形成在沿第四方向延伸的第一掩模之间。 使用第一至第三掩模蚀刻第一和第二图案以形成第三和第四图案。 使用第三和第四图案蚀刻衬底的上部，以在单元和外围电路区域中形成第一和第二有源图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170003139A
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020150093407
申请日：2015-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/764
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L27/10885 , H01L27/10888
Abstract: 반도체소자및 그의제조방법이제공된다. 반도체소자는반도체기판에정의된액티브영역, 상기반도체기판상에, 상기액티브영역과연결되는제1 콘택플러그, 상기반도체기판상에, 상기제1 콘택플러그와인접하는비트라인, 상기제1 콘택플러그와상기비트라인사이에형성된제1 에어갭스페이서, 상기제1 콘택플러그상의랜딩패드, 상기비트라인상의블로킹절연막으로, 상기블로킹절연막의상면은상기랜딩패드의상면과나란하거나높은블로킹절연막및 상기제1 에어갭스페이서상에, 상기제1 에어갭스페이서와수직적으로중첩되고, 상기블로킹절연막및 상기랜딩패드사이에위치하는에어갭캡핑막을포함한다.
Abstract translation: 一种半导体器件，包括限定在半导体衬底中的有源区; 在所述半导体衬底上的第一接触插塞，所述第一接触插塞连接到所述有源区; 所述半导体衬底上的位线，所述位线与所述第一接触插塞相邻; 在所述第一接触插塞和所述位线之间的第一气隙间隔件; 第一接触塞上的着陆垫; 位线上的阻挡绝缘层; 以及在所述第一气隙间隔件上的气隙盖层，所述气隙盖层与所述第一气隙间隔件垂直重叠，所述气隙盖层位于所述阻挡绝缘层和所述着陆焊盘之间，所述阻挡绝缘层的上表面 处于与着陆垫的上表面相同或更高的高度。
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公开(公告)号：KR1020160087533A
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020150006589
申请日：2015-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/033 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/0273
Abstract: 반도체소자의패턴형성방법으로, 식각대상막상에희생막패턴들을형성하고, 상기희생막패턴들의양 측벽상에스페이서형상의예비마스크패턴들을형성하고, 상기예비마스크패턴들사이의갭 부위를채우도록매립막을형성한다. 상기예비마스크패턴들의상부면을일부에치백하여, 상기예비마스크패턴들을마스크패턴들로변환하고, 상기마스크패턴은상기제1 방향과수직한제2 방향의중심을따라상기제1 방향으로연장되는라인을기준으로대칭되는형상을갖도록한다. 이후, 상기희생막패턴들및 매립막을제거하고, 상기마스크패턴들을이용하여상기식각대상막을식각하여패턴들을형성한다. 상기마스크패턴이대칭되는형상을갖기때문에, 상기마스크패턴을이용하여형성된상기패턴의선폭산포가감소될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的图案形成方法。 该方法在蚀刻靶膜上形成牺牲膜图案，在牺牲膜图案的两个侧壁上形成间隔物形式的初步掩模图案，并形成填充膜以填充预备掩模图案之间的间隙。 初步掩模图案的上表面被部分地回蚀刻，因此将初步掩模图案转变成掩模图案。 掩模图案沿着与第一方向垂直的第二方向的中心相对于沿第一方向延伸的线对称。 然后，去除牺牲膜图案和填充膜，并且通过使用掩模图案蚀刻蚀刻目标膜以形成图案。 由于掩模图案是对称的，因此可以减少通过使用掩模图案形成的图案的线宽的散射。
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公开(公告)号：KR1020150008698A
公开(公告)日：2015-01-23
申请号：KR1020130082978
申请日：2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김은정
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L21/76816 , H01L21/76838 , H01L21/76897 , H01L27/10829
Abstract: 정보 저장 소자의 제조방법이 제공된다. 제조방법은, 기판 상에 제1 막, 및 제2 막을 차례로 형성하는 것, 상기 제2 막을 패터닝하여, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 막의 상면의 일부를 노출하는 트렌치들을 형성하는 것, 상기 트렌치들에 의해 노출된 상기 제1 막을 패터닝하여, 상기 트렌치들의 바닥면으로부터 상기 기판으로 연장되고 상기 기판을 노출하는 콘택 홀들을 형성하는 것, 상기 콘택 홀들 내에 콘택 플러그들을 형성하는 것, 및 상기 트렌치들 내에, 상기 콘택 플러그들에 각각 접속하는 패드 패턴들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 트렌치들의 각각은 상기 제1 방향으로 배열된 복수 개의 상기 콘택 홀들과 연결된다.
Abstract translation: 提供了一种制造数据存储装置的方法。 制造数据存储装置的方法包括以下步骤：在衬底上依次形成第一层和第二层; 形成沿第一方向延伸的沟槽，并通过图案化所述第二层而暴露所述第一层的顶表面的一部分; 形成从所述沟槽的底表面延伸到所述衬底并且通过图案化通过所述沟槽暴露的所述第一层而暴露所述衬底的接触孔; 在接触孔中形成接触塞; 以及形成分别连接到沟槽中的接触塞的焊盘图案，其中每个沟槽连接到沿第一方向布置的接触孔。
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公开(公告)号：KR1020110090311A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020100010017
申请日：2010-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L1/0023 , H04W28/0278 , H04W72/0413 , H04W72/042 , H04W72/1268 , H04W72/1273
Abstract: PURPOSE: A signaling method in wireless communication system and apparatus thereof are provided to reduce call processing delay time by omitting procedure for allocating upward link resource in a process that a terminal transmits an upward link signaling message. CONSTITUTION: A down link signaling message is transmitted to a terminal(502). An upward link signaling message existence that is predicted to transmit the down link signaling message to the terminal is determined. In case the upward link signaling message is existed, the terminal is waited for predetermined time after transmitting the down link signaling message(504). Resources for transmitting upward signaling message is allocated to the terminal after a waiting time(506).
Abstract translation: 目的：提供无线通信系统及其装置中的信令方法，通过省略在终端发送上行链路信令消息的过程中分配向上链路资源的过程来减少呼叫处理延迟时间。 构成：下行链路信令消息被发送到终端（502）。 确定预测向终端发送下行链路信令消息的向上链路信令消息存在。 在存在向上链路信令消息的情况下，终端在发送下行链路信令消息之后等待预定时间（504）。 用于发送向上信令消息的资源在等待时间之后被分配给终端（506）。
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公开(公告)号：KR1020100099800A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090018314
申请日：2009-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/04
CPC classification number: H04W52/42 , H04B7/0452 , H04B7/0665 , H04B7/0862 , H04L25/03891 , H04L25/03993 , H04W52/343 , H04W52/346 , H04L25/03254 , H04L27/265
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for interference cancellation of a multi user in a multi-antenna system are provided to remove the interference callused by quantization noise by estimating an interference correlation matrix of other terminals through the information of a terminal. CONSTITUTION: A terminal gives the feedback for a CQI(Channel Quality Indicator) to a base station(410), and the base station confirms a precoding matrix of other mobile stations(412). The base station confirms the ratio of the whole transmission power to the transmission power of the terminal which uses the same sub channel(414). Based on the confirmed information, the terminal estimates an interference correlation matrix of the other terminals(418). The terminal whitens the interference of the other terminals through the estimated interference correlation matrix(420).
Abstract translation: 目的：提供一种用于多天线系统中的多用户的干扰消除的装置和方法，以通过终端的信息估计其他终端的干扰相关矩阵来消除由量化噪声引起的干扰。 构成：终端向基站（410）给出CQI（信道质量指示符）的反馈，并且基站确认其他移动站的预编码矩阵（412）。 基站确认整个发送功率与使用相同子信道的终端的发送功率的比率（414）。 基于确认的信息，终端估计其他终端的干扰相关矩阵（418）。 终端通过估计的干扰相关矩阵（420）来增白其他终端的干扰。
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