公开(公告)号：KR1020070009278A

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：KR1020050064417

申请日：2005-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  이용희 ,  박종은

IPC: H04N5/3745 ,  H04N5/357

CPC classification number: H04N5/335

Abstract: A CMOS image sensor of a shared active pixel sensor structure and a driving method thereof are provided to prevent a screen distortion phenomenon by a global shutter function and enable a plurality of photocharge generating units to use a single voltage conversion unit in common, thereby reducing the number of elements used in an image sensor and improving sensitivity of the image sensor by increasing a fill factor. A CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor comprises the followings: a plurality of photocharge generating units(1100,1200,1300,1400) which simultaneously generates and stores photocharge corresponding to each video signal; and a voltage conversion unit(1500) which converts the photocharge, stored in the plurality of photocharge generating units(1100,1200,1300,1400), into a voltage in order. Each photocharge generating unit(1100,1200,1300,1400) includes a PD(Photo Diode) for generating the photocharge and a charge storage unit for temporarily storing the photocharge.

Abstract translation: 提供共享有源像素传感器结构的CMOS图像传感器及其驱动方法，以通过全局快门功能防止屏幕失真现象，并使多个光电荷产生单元能够共同使用单个电压转换单元，从而减少 在图像传感器中使用的元件的数量，并且通过增加填充因子来提高图像传感器的灵敏度。 CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器包括：多个光电荷产生单元（1100,1200,1300,1400），其同时产生并存储对应于每个视频信号的光电荷; 以及电压转换单元（1500），其将存储在所述多个光电荷产生单元（1100,1200,1300,1400）中的光电荷依次转换成电压。 每个光电荷产生单元（1100,1200,1300,1400）包括用于产生光电荷的PD（光电二极管）和用于临时存储光电荷的电荷存储单元。

公开(公告)号：KR100660905B1

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：KR1020050131888

申请日：2005-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용제 ,  안정착 ,  고주현 ,  황성인

IPC: H01L27/146

Abstract: A CMOS image sensor is provided to prevent the backflow of photoelectrons by controlling an equivalent capacitance value of a floating diffusion region using at least one capacitor. A CMOS image sensor includes a photodiode(PD) for converting a light energy into an electric signal, a transfer transistor(T11) for transferring the photoelectrons stored in the photodiode to a floating diffusion region, a select transistor(T14) for transferring the data signal capable of being changed according to a voltage level of the floating diffusion region to the outside in response to a select control signal, and at least one capacitor. The capacitor(C) is formed between the floating diffusion region and the select transistor to control an equivalent capacitance value of the floating diffusion region.

Abstract translation: 提供CMOS图像传感器以通过使用至少一个电容器控制浮置扩散区域的等效电容值来防止光电子的回流。 CMOS图像传感器包括用于将光能转换成电信号的光电二极管（PD），用于将存储在光电二极管中的光电子转移到浮动扩散区的转移晶体管（T11），用于将数据 响应于选择控制信号，能够根据浮动扩散区域的电压电平向外部改变信号;以及至少一个电容器。 电容器（C）形成在浮置扩散区和选择晶体管之间以控制浮置扩散区的等效电容值。

公开(公告)号：KR1020050078267A

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：KR1020040005643

申请日：2004-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H04N5/363 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/363 ,  H03F2200/69 ,  H04N5/37455

Abstract: 고휘도 시의 리셋 레벨 감소를 방지하는 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법이 개시된다. 상기 고체 촬상 소자는, 2차원 행렬형태로 배열된 픽셀들 각각에서, 광소자로부터 빛을 감지하여 전기적 신호로 변환한 영상신호를 생성하여 전달 기간에 출력하고, 리셋신호를 생성하여 리셋 기간에 출력하는 픽셀 어레이; 상기 리셋신호의 전압 크기를 체크하여, 그 전압 크기가 일정 레벨 이하로 감소되는 고휘도 상태가 되면 보정된 리셋신호를 생성하여 출력하는 리셋 레벨 보정 회로부; 및 상기 리셋신호 또는 상기 보정된 리셋신호 중 어느 하나에 대한 상기 영상신호의 차이에 대응하는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 아날로그-디지털 변환부를 구비한다.

公开(公告)号：KR102255183B1

公开(公告)日：2021-05-24

申请号：KR1020140020672

申请日：2014-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오영선 ,  이경호 ,  안정착 ,  정희근

IPC: H01L27/146

Abstract: 제1 활성영역및 제2 활성영역을구분및 정의하는제1 소자분리막을가진기판, 상기기판의내부에배치되고상기제1 소자분리막과수직으로중첩하는포토다이오드, 상기포토다이오드와수직으로중첩하도록상기제1 활성영역내에배치되고, 상기기판의표면으로부터상기내부로연장하는전송게이트전극, 및상기제1 활성영역내에형성된플로팅확산영역을포함하는씨모스이미지센서가설명된다.

公开(公告)号：KR102114344B1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：KR1020130064781

申请日：2013-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  정희근

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146

公开(公告)号：KR101930755B1

公开(公告)日：2018-12-19

申请号：KR1020120028559

申请日：2012-03-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H04N5/355

Abstract: 이미지 센서를 구동하기 위하여, 리셋 모드에서 플로팅 확산 영역을 전원 전압보다 낮은 제1 전압으로 리셋한다. 광 집적 모드에서 입사광을 변환하여 광전 변환 영역에서 전하들을 생성한다. 입사광의 조도에 기초하여 생성된 전하들 중 광전 변환 영역에서 수집된 수집 전하들, 광전 변환 영역에서 오버플로우되고 플로팅 확산 영역의 전하 저장 능력 이내의 제1 오버플로우 전하들, 및 광전 변환 영역에서 오버플로우되고 플로팅 확산 영역의 전하 저장 능력을 초과하는 제2 오버플로우 전하들 중 적어도 하나를 플로팅 확산 영역에 축적한다.

公开(公告)号：KR101848771B1

公开(公告)日：2018-05-28

申请号：KR1020120012930

申请日：2012-02-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오민석 ,  공해경 ,  김태찬 ,  안정착 ,  임무섭

IPC: H04N5/369 ,  H04N13/02

CPC classification number: H04N13/271 ,  G01S7/4863 ,  H01L27/14656 ,  H04N5/37452

Abstract: 3차원이미지센서및 3차원이미지센서를포함한휴대용장치가개시된다. 본발명의실시예들에따른 3차원이미지센서는광전하를생성하는광 검출부, 플로팅확산영역, 전송게이팅신호가인가되면, 상기생성된광전하를플로팅확산영역으로전송하는트랜스퍼트랜지스터,제1 단자와상기플로팅확산영역사이에연결되어상기광전하들을상기제1 단자로전송하는리셋트랜지스터; 및드라이브게이팅신호가인가되면, 상기광 검출부으로부터기설정된단위시간외에서발생하는잉여광전하를제2 단자로방출하는오버플로우트랜지스터를포함하는복수의깊이픽셀들이배열된픽셀어레이및 상기픽셀어레이로부터센싱된깊이정보를리드아웃하기위한리드아웃회로를포함한다. 상기리드아웃회로는제1 플로팅확산영역으로의상기광전하전송구간과제2 플로팅디퓨전영역으로의상기광전하전송구간이오버랩되지않는경우상기트랜스퍼트랜지스터에상기전송게이팅신호를각각인가하고, 상기광전하전송구간이오버랩되는경우상기오버플로우트랜지스터에상기드라이브게이팅신호를인가하는로직부를포함한다.

公开(公告)号：KR101797014B1

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：KR1020110092499

申请日：2011-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오민석 ,  임무섭 ,  안정착 ,  심은섭

IPC: H04N5/361 ,  H04N13/00 ,  H04N5/357

CPC classification number: G01S17/89 ,  G01S7/4816 ,  G01S7/4865 ,  H04N5/341 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3745

Abstract: 3차원이미지센서의단위픽셀은광학적으로차폐되어암전류를발생시키고, 암전류를비행시간동안누적시켜누적암전류를생성하는누적부, 누적암전류에기초하여비행시간에상응하는출력전압을생성하여출력하는출력전압생성부, 광원에서조사된후 목표물에반사되어돌아온광 신호에응답하여출력전압생성부의동작을제어하는제어부, 및기 설정된주기마다누적부를초기화시키는초기화부를포함한다. 따라서, 3차원이미지센서의단위픽셀은암전류및/또는누설전류에기초하여비행시간을측정할수 있다.

公开(公告)号：KR101790164B1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：KR1020100011180

申请日：2010-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  이경호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 본발명은빛을수신하는면에곡률이있는포토다이오드를구비하는백사이드일루미네이션 CMOS 이미지센서및 백사이드일루미네이션 CMOS 이미지센서의생성방법을개시한다. 상기백사이드일루미네이션 CMOS 이미지센서는메탈층, 절연층및 포토다이오드를구비한다. 상기절연층은상기메탈층의상부에형성된다. 상기포토다이오드는상기절연층의상부에형성되며, 빛을수신하는상기포토다이오드의상부면은일정한곡률이있다. 상기백사이드일루미네이션 CMOS 이미지센서의생성방법은빛을수신하는방향의포토다이오드의면이볼록한백사이드일루미네이션(Back-Side Illumination) CMOS 이미지센서를생성하며, 빛을수신하는방향의포토다이오드영역의일부분에, 포토다이오드보다작은일정한크기의아일랜드를생성하는단계; 및상기아일랜드를어닐링하여볼록한형태의포토다이오드를생성시키는단계를구비한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器和背面照射型CMOS图像传感器，其具有在接收光的面上具有曲率的光电二极管。 背照式CMOS图像传感器包括金属层，绝缘层和光电二极管。 绝缘层形成在金属层上。 光电二极管形成在绝缘层上，并且接收光的光电二极管的上表面具有恒定的曲率。 一种产生背面照明CMOS图像传感器的方法，所述背面照明CMOS图像传感器在接收光的方向上具有光电二极管的凸表面， 创建一个比二极管更小的恒定尺寸的岛; 然后对该岛进行退火以产生凸型光电二极管。

公开(公告)号：KR101776611B1

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：KR1020100063344

申请日：2010-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  이경호

IPC: H01L27/146

Abstract: 씨모스이미지센서의단위화소어레이는복수의단위화소들이형성된반도체기판, 반도체기판의전면방향으로적층되는층간절연층, 반도체기판의후면방향으로적층되는파장변환층, 파장변환층의전면방향으로적층되는복수의컬러필터들및 복수의컬러필터들의전면방향으로적층되는복수의마이크로렌즈들을포함한다. 따라서, 씨모스이미지센서의단위화소어레이는씨모스이미지센서의센싱성능즉, 수광효율및 광감도를향상시킬수 있다.