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公开(公告)号：KR101411416B1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020070131489
申请日：2007-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R31/00
CPC classification number: H04R19/005 , H01L2224/11 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: 본 발명에 의한 마이크로 스피커 제조방법은 패키지 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 일괄 공정으로 형성하는 단계; 상기 패키지 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 웨이퍼 본드로 접합하는 단계; 및 상기 디바이스 웨이퍼의 뒷면(back surface)을 이플루오르화크세논(XeF
2 )을 이용한 등방성 에칭(isotropy etching)으로, 다이어프램(diaphragm)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이상과 같은 본 발명에 의하면, MEMS 기술을 이용한 일괄 공정으로 넓은 주파수 응답 범위를 가지는 압전형 마이크로 스피커 구조를 구현할 수 있어, 구조 및 공정의 단순화를 이룰 수 있고, 이로 인한 제작 비용이 크게 절감된다.
MEMS, 마이크로스피커, 웨이퍼, 다이어프램, 디바이스, 패키지-
公开(公告)号：KR1020110039815A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020090096825
申请日：2009-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R17/02
CPC classification number: H04R17/00
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric micro speaker is provided to form the constant acoustic property of a micro speaker by forming a vent hole toward a lateral or front side. CONSTITUTION: A device plate(110) includes a diaphragm(114), a piezoelectric actuator(120) which vibrates the diaphragm, and a front cavity(111) which is positioned on the front of the diaphragm. A front plate(150) has an emission hole(151) connected to the front cavity. A rear plate(130) is bonded with the rear of the device plate. The rear plate includes a rear cavity(131) and a vent unit(133) in contact with the device plate. A first vent hole(113) connected to the vent unit is formed on the device plate. A second vent hole(153) connected to the first vent hole is formed on the front plate.
Abstract translation: 目的：提供一种压电微型扬声器，通过向侧面或前侧形成通气孔，形成微型扬声器的恒定声学特性。 构成：装置板（110）包括振膜（114），振动隔膜的压电致动器（120）和位于隔膜前部的前腔（111）。 前板（150）具有连接到前腔的排放孔（151）。 后板（130）与装置板的后部接合。 后板包括与装置板接触的后腔（131）和排气单元（133）。 连接到排气单元的第一通气孔（113）形成在装置板上。 连接到第一通气孔的第二通气孔（153）形成在前板上。
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公开(公告)号：KR1020110016667A
公开(公告)日：2011-02-18
申请号：KR1020090074283
申请日：2009-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04R17/00 , Y10T29/49005 , Y10T156/10
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric micro speaker and a method for manufacturing the same are provided to reduce the reflection of sound by forming a sound absorbing layer on the surface of a rear plate which reflects the sound. CONSTITUTION: A device plate(110) includes a diaphragm(114), a piezoelectric driving part(118), and a front cavity(111). The piezoelectric driving part vibrates the diaphragm. The front cavity is located at the front side of the diaphragm. A front plate(130) is bonded at the front side of the device plate. The front plate includes a radiation hole(132) which is in connection with the front cavity. A rear cavity(121) is bonded at the rear side of the device plate. The rear cavity faces the piezoelectric driving part. A vent hole(128) is in connection with the rear cavity. A rear plate(120) includes a sound absorbing layer(129) which absorbs sound radiated to the rear side of the diaphragm.
Abstract translation: 目的：提供一种压电微型扬声器及其制造方法，以通过在反射声音的后板的表面上形成吸音层来减少声音的反射。 构造：装置板（110）包括隔膜（114），压电驱动部分（118）和前腔（111）。 压电驱动部振动隔膜。 前腔位于隔膜的前侧。 前板（130）在装置板的正面接合。 前板包括与前腔连接的辐射孔（132）。 后腔（121）在装置板的后侧接合。 后腔面向压电驱动部。 通气孔（128）与后腔连接。 后板（120）包括吸收隔离膜后侧的声音的吸音层（129）。
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公开(公告)号：KR1020100033807A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：KR1020080092844
申请日：2008-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L41/314 , H01L41/332 , H04R17/005 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric microspeaker and a manufacturing method thereof are provided to control the distortion of a signal in the alternating current applying state by symmetrically placing an upper driving unit and a lower driving unit. CONSTITUTION: A lower driving unit(102) and a upper driving unit(103) are symmetrically formed around a vibration plate(101). The lower driving unit comprises a first driving electrode(201), a first piezo-plate(202) and a first common electrode(203) connected to a common power supply. The upper driving unit comprises a second driving electrode(301), a second piezo-plate(302) which has a form transformed according to a voltage and a second common electrode(303) connected to the common power supply. The first and the second driver electrodes are connected to a driving power. The first and the second common electrodes are connected to a common power supply.
Abstract translation: 目的：提供压电微型扬声器及其制造方法，通过对称放置上驱动单元和下驱动单元来控制交流施加状态下的信号的失真。 构成：下驱动单元（102）和上驱动单元（103）围绕振动板（101）对称地形成。 下驱动单元包括连接到公共电源的第一驱动电极（201），第一压电板（202）和第一公共电极（203）。 上驱动单元包括第二驱动电极（301），具有根据电压变形的第二压电板（302）和连接到公共电源的第二公共电极（303）。 第一和第二驱动电极连接到驱动电源。 第一和第二公共电极连接到公共电源。
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公开(公告)号：KR1020090063950A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020070131489
申请日：2007-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R31/00
CPC classification number: H04R19/005 , H01L2224/11 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: A method for manufacturing a micro speaker and the micro speaker made by the same are provided to simplify a structure and a process by implementing a piezoelectric micro speaker with a wide frequency response range with a batch process. A first electrode(11) is formed on a PCB substrate(10) and mounts a micro speaker(100). A first electrode and a second electrode(160) are connected with a flip-chip bonding like a solder ball(20). A package wafer(170) and a device wafer are formed with the batch process. A wafer bond couples the package wafer and the device wafer. A diaphragm is formed in a back surface of the device wafer by isotropy etching using XeF2.
Abstract translation: 提供一种用于制造微型扬声器及其制造的微型扬声器的方法，以通过实施具有宽频率响应范围的压电微型扬声器来进行分批处理来简化结构和工艺。 第一电极（11）形成在PCB基板（10）上并安装微型扬声器（100）。 第一电极和第二电极（160）与诸如焊球（20）的倒装芯片接合连接。 通过间歇工艺形成封装晶片（170）和器件晶片。 晶片接合将封装晶片和器件晶片连接起来。 通过使用XeF2的各向同性蚀刻，在器件晶片的背面形成隔膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070118882A
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020060053142
申请日：2006-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B3/0086 , B81B2203/0136 , B81C1/00698 , B81B2201/04
Abstract: A MEMS device and a method for forming a comb electrode at the same are provided to improve an arrangement structure of a comb electrode to maintain a linear state between an inputted driving voltage and a rotation angle as an outputted stage. A method for forming a comb electrode at a MEMS device includes a step of forming a plurality of trenches on one surface of a first silicon substrate in parallel to form a first region and a second region having a step difference from each other along one surface. An oxide layer having a step difference is formed along the first region and the second region by performing an oxidation process on the first silicon substrate. A poly silicon layer burying the step difference is formed on the oxide layer. A second substrate is directly integrated on the poly silicon layer. An upper comb electrode(111) is formed at the first region by selectively etching the second silicon substrate and the poly silicon layer with a first mask.
Abstract translation: 提供了一种MEMS器件及其形成梳状电极的方法，以改善梳状电极的布置结构，以将输入的驱动电压和旋转角度之间的线性状态保持为输出级。 在MEMS器件上形成梳状电极的方法包括在第一硅衬底的一个表面上平行形成多个沟槽以形成沿着一个表面彼此具有台阶差的第一区域和第二区域的步骤。 通过对第一硅衬底进行氧化处理，沿着第一区域和第二区域形成具有台阶差的氧化物层。 在氧化物层上形成埋入台阶差的多晶硅层。 第二衬底直接集成在多晶硅层上。 通过用第一掩模选择性蚀刻第二硅衬底和多晶硅层，在第一区域形成上梳状电极（111）。
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公开(公告)号：KR100605368B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020040083855
申请日：2004-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81C1/00579 , B81C2201/0132
Abstract: 개시된 SOI(Silicon on Insulator)기판은 기판, 산화막층, 실리콘층이 차례로 적층되어 구성되며, 산화막층에는 통전홀이 형성되어 실리콘층의 일부가 통전홀을 통해 매립되어 기판과 연통된다. 따라서, 실리콘층 딥 에칭시 노치가 발생되는 것을 해소시킨다. 이러한 SOI기판 구조를 응용하여 부유 구조체를 제조함에 따라 부유 구조체의 식각성을 향상시킨다. 그 부유 구조체 제조 방법은 기판에 소정 두께로 산화막층을 형성하는 단계와, 산화막층에 형성하되 부유물 내부에 해당하는 영역 내에 복수개의 통전홀을 형성하는 단계와, 산화막층에 형성시키되 통전홀을 통하여 기판과 연통되는 실리콘층을 형성하는 단계와, 실리콘층에 부유물의 형상을 패터닝하는 단계와, 패터닝 된 부유물의 영역 내의 산화막층을 제거하는 단계와, 실리콘층 표면에 열산화막을 형성하는 단계, 및 열산화막을 제거하여 부유물을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100590534B1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：KR1020040002927
申请日：2004-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/12
Abstract: 마이크로 광학벤치 구조물 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 균일한 두께의 반도체 기판, 상기 반도체 기판에 구비된 수광소자, 상기 수광소자와 이격된 위치의 상기 반도체 기판 상에 구비된 발광소자, 상기 수광소자와 상기 발광소자사이의 상기 반도체 기판 상에 구비되어 상기 발광소자로부터 방출되는 광을 반사하는 미러 구조물 및 상기 발광소자와 외부전원을 연결시키도록 형성된 전극배선을 구비하고, 상기 미러 구조물은 상기 발광소자와 마주하는 면이 소정의 각으로 경사진 미러 지지체 및 상기 미러 지지체의 경사면에 구비된 반사수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 마이크로 광학 벤치 구조물 및 그 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020050075129A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：KR1020040002927
申请日：2004-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/12
CPC classification number: H01L31/125 , H01L31/0232 , H01L31/0547 , H01L31/18
Abstract: 마이크로 광학벤치 구조물 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 균일한 두께의 반도체 기판, 상기 반도체 기판에 구비된 수광소자, 상기 수광소자와 이격된 위치의 상기 반도체 기판 상에 구비된 발광소자, 상기 수광소자와 상기 발광소자사이의 상기 반도체 기판 상에 구비되어 상기 발광소자로부터 방출되는 광을 반사하는 미러 구조물 및 상기 발광소자와 외부전원을 연결시키도록 형성된 전극배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로 광학 벤치 구조물 및 그 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020050074042A
公开(公告)日：2005-07-18
申请号：KR1020040002251
申请日：2004-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/22
CPC classification number: G11B7/1362 , G11B7/123 , G11B7/22 , H01L2224/81 , H01S5/02248 , H01S5/02292
Abstract: 마이크로 광학벤치 구조물 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 하부기판, 상기 하부기판에 본딩되어 있고, 상기 하부기판이 노출되는 홀이 형성된 상부기판 및 상기 하부기판에 구비된 제1 광학소자와 이에 관련된 부재들을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 광학 벤치 구조물 및 그 제조방법을 제공한다.
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