公开(公告)号：KR100790878B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060053141

申请日：2006-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정석환 ,  최형 ,  강석진 ,  고영철

IPC: G02B26/10 ,  G02B26/00

CPC classification number: B81C1/00166 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/042 ,  G02B26/0841

Abstract: 본 발명에 의하면, 상하 구조가 디커플된 콤전극의 자기정렬 식각 방법이 개시된다. 상기 식각 방법은 SOI 기판의 제1 실리콘층으로 구성된 상부 콤전극과 제2 실리콘층으로 구성된 하부 콤전극을 형성하는 콤전극의 식각 방법으로, 제1 실리콘층의 상부 콤전극이 형성될 위치에 제1 메탈 마스크를 형성하는 단계, 제1 실리콘층의 제1 메탈 마스크 및 하부 콤전극에 대응되는 위치에 제1 PR 마스크를 형성하는 단계, 제1 PR 마스크를 식각 방지막으로 하여 제1 실리콘층을 선택적으로 식각하는 단계, 제1 PR 마스크를 식각 방지막으로 하여 기판의 절연층을 선택적으로 식각하는 단계, 제1 PR 마스크를 식각 방지막으로 하여 제2 실리콘층을 선택적으로 식각하는 단계, 제2 실리콘층의 상부 콤전극에 대응되는 위치에 제2 PR 마스크를 형성하는 단계, 제2 실리콘층 하방으로 노출된 전체 표면에 대해 제2 메탈 마스크를 형성하는 단계, 제1, 제2 PR 마스크를 제거하는 단계 및 잔존하는 제1, 제2 메탈 마스크를 식각 방지막으로 하여, 각각 제1 실리콘층 및 제2 실리콘층을 식각함으로써 상부 콤전극 및 하부 콤전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, SOI 기판의 상부 실리콘 또는 하부 실리콘의 단일층으로 구성된 상하부 콤전극을 형성함에 있어, 상하부 콤전극 사이의 정밀한 얼라인이 이루어질 수 있는 자기정렬 식각 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR100599124B1

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020050011836

申请日：2005-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강석진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L51/00

Abstract: 수율을 향상시킬 수 있는 부유 구조체의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 부유 구조체의 제조방법은, a) 제1기판과 제2기판 사이에 소정부분 제거된 절연막을 형성하는 단계; 및 b) 상기 제거된 소정부분에 부유 구조체를 형성하는 단계;를 포함한다.
부유 구조체, 습식식각, 스티킹현상, 노치

Abstract translation: 公开了一种生产能够提高产量的悬浮结构的方法。 根据本发明的制造浮动结构的方法包括以下步骤：a）在第一基板和第二基板之间形成绝缘膜以去除预定部分; 并且b）在去除的部分上形成漂浮结构。

公开(公告)号：KR100552659B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1020010011734

申请日：2001-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강석진

IPC: B81B3/00

Abstract: 본 발명은 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알루미늄 산화막을 이용한 MEMs(Miocro Electero Mechanical system)구조의 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 기판; 상기 기판의 상면에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극의 노출된 표면에 형성된 산화막; 상기 하부 전극 상방에 소정의 간격을 두고 이격하여 위치하는 운동판; 상기 운동판과 상기 하부 전극 사이의 소정의 간격을 고정시키기 위하여 상기 운동판의 양측면과 상기 기판사이에 개재된 앵커;를 포함하는 마이크로 스위칭 소자를 제공하여, 낮은 비용과 안정적인 수율을 확보할 수 있으며, 유전율이 작은 절연막을 사용할 수 있고, 비교적 간단한 공정으로 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 대량 생산이 가능하다.

公开(公告)号：KR100503472B1

公开(公告)日：2005-07-25

申请号：KR1020030014106

申请日：2003-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정희문 ,  송인섭 ,  강석진

IPC: G01C19/02

CPC classification number: G01C19/5642 ,  G01C19/02

Abstract: 본 발명의 회전형 자이로스코프는 기판; 중심평면에 수직인 제 1 축에 관해 가진운동을 하도록 기판으로부터 일정 간격 유격된 상태로, 방사상으로 뻗어있는 다수의 구동지지부를 통해 기판에 지지된 구동체, 전압 인가시 구동체를 제 1 축에 관해 가진운동시키는 구동 전극, 및 구동체와 일체로 가진됨과 동시에 중심평면과 나란한 임의의 제 2 축으로부터 각속도의 입력시 제 1 축과 제 2 축에 수직인 제 3 축에 관해 코리올리의 힘에 의한 감지운동을 발생하도록 양단을 구동체와 연결하는 감지 연결부를 통해 구동체와 연결되고 구동체 내부에 배치된 감지체를 포함하는 구조물층; 및 구조물층의 감지체의 감지운동을 검출하도록 감지체와 대응하여 감지체와 일정간격을 두고 배치된 감지 전극을 구비하는 구조물층을 밀폐하는 커버층을 포함한다. 본 발명의 회전형 자이로스코프는 구동체의 가진 운동이 디커플되고 감지체의 감지 운동이 커플되도록 하여 감지체에도 코리올리의 힘이 작용함으로써 감지성능이 향상될 뿐아니라, 감지체의 둘레에 구동체를 배치하도록 구성하여 감지모드의 변형에 대해 안정한 구조를 제공하는 다축 각속도를 한 평면상에서 감지하는 회전형 자이로스코프를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050070403A

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：KR1020030099886

申请日：2003-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정희문 ,  이성희 ,  강석진 ,  이문철

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00436 ,  F16F15/04

Abstract: MEMS 기술로 제조된 방진구조물이 개시된다. 본 방진구조물은, 상부 표면의 소정 영역에 함몰부가 형성된 기판, 기판상에서 함몰부 이외의 영역에 형성된 외곽프레임, 함몰부 상에 부유되며, 소정의 외부 디바이스와 전기적으로 결합되는 플랫폼, 외곽프레임 및 플랫폼을 연결하여 외부 디바이스 및 외곽프레임 간에 전달되는 진동을 감쇄시키는 적어도 하나의 방진스프링, 및 적어도 하나의 방진스프링 상부표면에 형성되어 소정의 외부 디바이스 및 외부전기단자를 전기적으로 연결시키는 적어도 하나의 전극을 포함한다. 이에 따라, 연결된 외부디바이스에 전해지는 진동을 감쇄시키며, 외부전기단자와 전기적으로 연결시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020050060609A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020030092278

申请日：2003-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문철 ,  최형 ,  강석진

IPC: G01C19/56

CPC classification number: G01C19/5769 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00579 ,  B81C1/0092 ,  B81C1/00936 ,  H01R13/52 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T74/12 ,  Y10T74/1229

Abstract: 개시된 본 발명에 의한 자이로스코프 제조방법은, 제1웨이퍼, 금속막, 제2웨이퍼의 순서로 적층된 SMS 웨이퍼를 제조하는 단계; 제1웨이퍼의 해당부분에 포토리소그라피 공정을 통하여 캔티레버 또는 브릿지 형태의 구조체를 형성하는 단계; 구조체를 진공으로 밀봉하기 위한 소정 공간을 가지는 유리재질의 제1캡을 제1웨이퍼의 표면에 부착하는 단계; 제1웨이퍼로부터 금속막 및 제2웨이퍼를 분리하여 제거하는 단계; 및 제1캡과 구조적 및 재질적 대칭인 제2캡을 제1웨이퍼의 이면에 부착하는 단계;를 포함한다. SMS 웨이퍼는 제2웨이퍼에 금속막을 증착하여 형성하고, 이 금속막에 금속페이스트 또는 폴리머(Poiymer)계열의 물질을 이용하여 제1웨이퍼를 본딩하는 과정으로 제조된다. 이에 의하면, 비교적 저가인 일반적인 실리콘 웨이퍼를 이용하므로 재료비를 절감시킬 수 있으며, 구조체의 노치, 언더컷 및 점착 현상이 발생되지 않으므로 성능 및 특성 향상을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR100461002B1

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：KR1020020063608

申请日：2002-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송기무 ,  강석진 ,  정석환 ,  이문철 ,  정규동 ,  김종석 ,  전찬봉 ,  홍석우 ,  강정호

IPC: H01L21/28

CPC classification number: B81B7/0006 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A metal wiring method for an undercut in a MEMS packaging process includes disposing a MEMS element on a silicon substrate, welding a glass wafer to an upper portion of the silicon substrate having the MEMS element disposed thereon, the glass wafer having a hole formed therein for connecting a metal wiring, depositing a thin metal film for the metal wiring in the hole, and ion-milling the deposited thin metal film. By the ion-milling, the method is capable of connecting a metal wiring to a via hole having an undercut.

Abstract translation: 在MEMS封装工艺中用于底切的金属布线方法包括：将MEMS元件设置在硅衬底上，将玻璃晶片焊接到其上设置有MEMS元件的硅衬底的上部，所述玻璃晶片具有形成在其中的孔，用于 连接金属布线，在该孔中沉积用于金属布线的薄金属膜，以及离子铣削沉积的薄金属膜。 通过离子铣削，该方法能够将金属布线连接到具有底切的通孔。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100444588B1

公开(公告)日：2004-08-16

申请号：KR1020020070121

申请日：2002-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문철 ,  최형 ,  정규동 ,  장미 ,  홍석우 ,  정석환 ,  전찬봉 ,  강석진

IPC: H01L21/84

CPC classification number: B81C1/00087 ,  H01L21/486 ,  H01L23/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of forming a via hole through a glass wafer includes depositing a material layer (110) on an outer surface of the glass wafer, the material layer having a selection ratio higher than that of the glass wafer (200), forming a via-patterned portion on one side of the material layer, performing a first etching in which the via-patterned portion is etched to form a preliminary via hole (130), eliminating any remaining patterning material (120) used in the formation of the via-patterned portion, performing a second etching in which the preliminary via hole (130) is etched to form a via hole (130') having a smooth surface and extending through the glass wafer, and eliminating the material layer (110). The method according to the present invention is able to form a via hole through a glass wafer without allowing formation of an undercut or minute cracks, thereby increasing the yield and reliability of MEMS elements.

Abstract translation: 一种通过玻璃晶片形成通孔的方法包括：在玻璃晶片的外表面上沉积材料层（110），材料层的选择比高于玻璃晶片（200）的选择比; 在所述材料层的一侧上形成图案化部分，执行第一蚀刻，其中蚀刻所述通孔图案部分以形成初步通孔（130），从而消除用于形成所述通孔图案的任何剩余图案形成材料（120） 执行第二蚀刻，其中蚀刻预备通孔（130）以形成具有平滑表面且延伸穿过玻璃晶片的通孔（130'），并且去除材料层（110）。 根据本发明的方法能够形成穿过玻璃晶片的通孔，而不会形成底切或微小裂纹，从而增加MEMS元件的产量和可靠性。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020040040836A

公开(公告)日：2004-05-13

申请号：KR1020020069149

申请日：2002-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정규동 ,  전찬봉 ,  최형 ,  강석진 ,  홍석우 ,  정석환 ,  이문철 ,  이은성

IPC: H01L21/52

CPC classification number: B81C1/00285

Abstract: PURPOSE: A method and device for mounting vacuum of MEMS(micro electro mechanical system) at wafer level are provided to be capable of exactly controlling the degree of vacuum to an aiming extent and conserving initial vacuum degree in spite of the elapse of time. CONSTITUTION: A getter is attached to a cavity, wherein the cavity is formed at a cover(S310). The cover is aligned with a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate is loaded in a vacuum chamber(S320). Inert gas is flowed into the vacuum chamber according to the set degree of vacuum(S330). The cover is attached to the semiconductor substrate(S340). Preferably, the getter is made of titanium. Preferably, the attaching process between the cover and the semiconductor substrate is performed, after predetermined time is passed from the inert gas inflow process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在晶圆级安装MEMS（微机电系统）真空的方法和装置，以便能够精确地控制目标程度的真空度，并尽可能保持初始真空度。 构成：将吸气剂附接到空腔，其中空腔形成在盖子上（S310）。 盖与半导体基板对准，其中将半导体基板装载在真空室中（S320）。 惰性气体根据设定的真空度流入真空室（S330）。 盖子连接到半导体衬底（S340）。 优选地，吸气剂由钛制成。 优选地，在从惰性气体流入过程经过预定时间之后，执行盖和半导体衬底之间的附着过程。

公开(公告)号：KR1020040034949A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020020063608

申请日：2002-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송기무 ,  강석진 ,  정석환 ,  이문철 ,  정규동 ,  김종석 ,  전찬봉 ,  홍석우 ,  강정호

IPC: H01L21/28

CPC classification number: B81B7/0006 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A metal line method is provided to connect the metal line to the via hole having the undercut by using an ion milling unit. CONSTITUTION: A MEMS(Micro-Electronic Mechanical System) device(23) is installed on an upper surface of a silicon substrate(22). A glass wafer is adhered to an upper surface of the silicon substrate(22) having the MEMS device(23). In a MEMS packaging process for adhering the glass to the silicon substrate, a metal layer is deposited on a hole(26) of the glass wafer(24). The deposited layer is redeposited by performing an ion milling process.

Abstract translation: 目的：提供金属线方法，通过使用离子铣削单元将金属线连接到具有底切的通孔。 构成：在硅衬底（22）的上表面上安装有MEMS（微电子机械系统）装置（23）。 玻璃晶片粘附到具有MEMS器件（23）的硅衬底（22）的上表面上。 在用于将玻璃粘合到硅衬底的MEMS封装工艺中，金属层沉积在玻璃晶片（24）的孔（26）上。 沉积层通过进行离子研磨工艺再沉积。