公开(公告)号：KR1020140109133A

公开(公告)日：2014-09-15

申请号：KR1020130023460

申请日：2013-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  최재형 ,  블라디미르우라자에브 ,  정진하

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60 ,  H01L28/92

Abstract: Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the same. The method of fabricating the semiconductor device comprises the steps of: forming a molding film onto a semiconductor substrate; forming a storage electrode passing through the molding film; exposing a part of the storage electrode by partially etching the molding film; forming a sacrificed oxide film by oxidizing the exposed part of the storage electrode; removing the partially etched molding film and the sacrificed oxide film; forming a capacitor dielectric onto the substrate thereby the molding film and the sacrificed oxide are removed; and forming a plate electrode onto the capacitor dielectric.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成成型膜; 形成通过所述成型膜的储存电极; 通过部分蚀刻成型膜来暴露存储电极的一部分; 通过氧化存储电极的暴露部分形成牺牲氧化膜; 去除部分蚀刻的模制薄膜和牺牲的氧化膜; 在基板上形成电容器电介质，由此去除模制膜和牺牲的氧化物; 以及在所述电容器电介质上形成平板电极。

公开(公告)号：KR1020130104804A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020120026670

申请日：2012-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  코아텍주식회사

Inventor： 김성만 ,  김종산 ,  정진하 ,  안희덕 ,  권보성

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  F24F13/28 ,  G01M3/16 ,  G05D7/00

Abstract: PURPOSE: A gas supply apparatus is provided to prevent a gas supply from being interrupted in semiconductor processing equipment by preventing the inflow of a harmful gas. CONSTITUTION: A control device (120) is installed in a cavity (100) and controls the inflow of a processing gas. A sensor (140) senses the leakage of the processing gas. A ventilation hole (110) is formed on one side of a cabinet. A processing filter (200) filters the harmful gas elements of external gas which is inputted through the ventilation hole. The processing filter is arranged between a guide rail (150) and one side of the cabinet.

Abstract translation: 目的：提供一种气体供应装置，以防止气体供应在半导体加工设备中被阻止有害气体的流入。 构成：将控制装置（120）安装在空腔（100）中并控制处理气体的流入。 传感器（140）感测处理气体的泄漏。 在机柜的一侧形成通气孔（110）。 处理过滤器（200）对通过通气孔输入的外部气体的有害气体进行过滤。 处理过滤器布置在导轨（150）和机柜的一侧之间。

公开(公告)号：KR1020130098006A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020120019767

申请日：2012-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용상 ,  우라자에브블라디미르 ,  정진하 ,  이창훈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a metal oxide semiconductor field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to easily form low density impurity regions on the sidewalls of trenches by using sacrificial patterns which remain on the bottoms of the trenches as ion masks. CONSTITUTION: Trenches (101,102) are formed by patterning a substrate (100). A sacrificial layer of a single layer structure to cover the inner sides of the trenches is formed. Sacrificial patterns which remain on the bottoms of the trenches are formed by etching the sacrificial layer with an isotropic type. Low density impurity regions (150) are formed on the sidewalls of the trenches by using the sacrificial patterns as ion masks. The sacrificial patterns are removed. A gate insulation layer (160) and a gate electrode layer (170) are successively formed in the trenches.

Abstract translation: 目的：提供一种包括金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法的半导体器件，其通过使用保留在沟槽底部的牺牲图案作为离子掩模，容易地在沟槽的侧壁上形成低密度杂质区域。 构成：通过图案化衬底（100）形成沟槽（101,102）。 形成覆盖沟槽内侧的单层结构的牺牲层。 残留在沟槽底部的牺牲图案通过用各向同性的方式蚀刻牺牲层来形成。 通过使用牺牲图案作为离子掩模，在沟槽的侧壁上形成低密度杂质区域（150）。 牺牲图案被去除。 在沟槽中依次形成栅极绝缘层（160）和栅电极层（170）。

公开(公告)号：KR101253238B1

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：KR1020070004313

申请日：2007-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서상호 ,  에듀어드쿠르기 ,  정진하 ,  이재원 ,  이송익 ,  김중현

IPC: A47L15/50 ,  A47L15/42

CPC classification number: A47L15/506

Abstract: 본 발명은 식기세척기에 설치되는 하부바스켓이 본체의 바닥면으로부터 소정높이로 고정된 상태로 유지되도록 하는 링크장치가 설치되는 식기세척기를 구비한다.
본 발명에 따른 식기세척기는 세척조가 형성된 본체와, 세척할 식기를 담으며 상기 본체의 상부에 마련되는 상부바스켓과, 세척할 식기를 담으며 상기 본체의 하부에 마련되는 하부바스켓과, 상기 상부바스켓과 상기 하부바스켓을 연결하는 복수개의 링크와, 상기 복수개의 링크의 중앙부가 회전하도록 상기 복수개의 링크를 지지하는 지지바와, 상기 지지바의 하부에 마련되어 상기 지지바가 이동되도록 하는 이동장치를 구비하는 링크장치를 포함한다.

公开(公告)号：KR101227855B1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：KR1020070049219

申请日：2007-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 함정윤 ,  정진하 ,  노지마히데오

IPC: C02F1/42 ,  C02F1/461

Abstract: 본 발명은 다공성전극의 면적을 증가시키기 아니하면서 연수화 성능을 향상시키며 연수유량을 증대시킬 수 있는 구조를 구비한 연수장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은 복수로 적층된 다공성전극을 구비하는 탈이온화부와, 상기 다공성전극이 장착되는 챔버와, 상기 챔버내에 마련되어 상기 복수의 다공성전극 사이사이로 유입되는 수량이 증가되도록 수류를 안내하는 가이드부재를 포함하여 연수수량을 증가시키면서 연수성능을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101212293B1

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：KR1020070047615

申请日：2007-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 함정윤 ,  블라디미르우라자에브 ,  정진하 ,  노지마히데오

IPC: C02F1/44 ,  B01D61/02 ,  C02F1/72 ,  C02F103/00

Abstract: 이를위해본 발명은역삼투막을이용하여물을정화하는정수장치에있어서,상기역삼투막을내장하며상기역삼투막에의해정화전의물을저수하는제1저수부과정화후의물을저수하는제2저수부로구획되는저수탱크와, 정화수량을증대시키기위해상기제2저수부의내부공기를석션하는압력강하유닛을포함하여제2저수부의압력을강하시킴으로써물분자의투과성능을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101176634B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020070048420

申请日：2007-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 함정윤 ,  에듀어드쿠르기 ,  정진하 ,  노지마히데오

IPC: C02F1/46 ,  C02F5/02 ,  C02F1/42

Abstract: 처리 용량을 늘릴 수 있는 CDI 타입의 연수기가 개시된다. 본 발명에 따른 연수기는 경수가 유입되고 연수화된 경수가 배출되는 챔버와, 챔버 내부에 복수개가 적층 마련되되 양전압과 음전압이 교대로 인가되는 전극부를 포함하는 연수기에 있어서, 전극부를 콘 형상으로 마련하거나 또는 구동부재를 이용하여 회전시킴으로써, 연수 동작시에는 전극부와 경수 사이의 접촉 시간(표면적 또는 거리)을 연장시켜 이온의 흡착량을 늘리고, 재생 동작시에는 전극부와 경수 사이의 접촉 시간(또는 거리)을 상대적으로 단축시킴으로써 탈착량을 늘리기 때문에, 단위 시간에 처리할 수 있는 유량이 종래에 비해 상대적으로 증가된다.

Abstract translation: 公开了一种能够增加处理能力的CDI型软水器。 根据本发明的软水器包括用于排放软水流动并软化水的硬水的腔室和在腔室内具有多个堆叠层的电极单元，其中交替地施加正电压和负电压， 通过增加离子的吸附量，在软水操作过程中电极部分和硬水之间的比例（表面积或距离），并且在再生操作期间，电极部分和硬水之间的接触 由于通过相对缩短时间（或距离）来增加解吸量，因此每单位时间可处理的流量与常规流量相比相对增加。

公开(公告)号：KR1020120071054A

公开(公告)日：2012-07-02

申请号：KR1020100132638

申请日：2010-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정수 ,  가기환 ,  이효상 ,  정진하 ,  최준회 ,  하지훈 ,  노태균

IPC: F25D17/06 ,  F25D29/00 ,  F25D17/08

CPC classification number: F25D17/062 ,  F25B2600/112 ,  F25D31/005 ,  F25D2317/0684

Abstract: PURPOSE: A refrigerator and control method thereof are provided to prevent a partial overcooling phenomenon by evenly dispersing a flow of cold air inside a storing room due to the various conditions and functions of an inlet and outlet. CONSTITUTION: A refrigerator comprises a storing room, an evaporator, a first opening hole(25), a second opening hole(24), a fan, and a control unit. The evaporator cools air inside the storing room. The first opening hole sucks air inside the storing room. The second opening hole discharges the air cooled through the evaporator to the inside of the storing room. The fan drives blades at a first angle and second angle. The control unit drives the fan at the first angle which controls the air to be sucked through the first opening hole and discharged through the second opening hole and the fan at the second angle which controls the air to be sucked through the second opening hole and discharged through the first opening hole, thereby controlling a flow direction of the air.

Abstract translation: 目的：提供一种冰箱及其控制方法，以防止由于入口和出口的各种条件和功能而将冷气流均匀地分散在储藏室内部分过冷现象。 构成：冰箱包括储藏室，蒸发器，第一开孔（25），第二开孔（24），风扇和控制单元。 蒸发器冷却储藏室内的空气。 第一个开孔吸入储藏室内的空气。 第二开孔将通过蒸发器冷却的空气排出到储存室的内部。 风扇以第一角度和第二角度驱动叶片。 控制单元以第一角度驱动风扇，该第一角度控制通过第一开孔吸入的空气，并以第二角度排出第二开口孔和风扇，该第二角度控制通过第二开孔吸入的空气并排出 通过第一开孔，从而控制空气的流动方向。

公开(公告)号：KR1020120036128A

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：KR1020100097838

申请日：2010-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용훈 ,  이희석 ,  정진하 ,  이지현

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/552 ,  H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L25/10

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0233 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/60 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device which includes a shielding film and a manufacturing method thereof are provided to improve reception sensitivity of an electronic device by blocking an interference signal emitted from the semiconductor device. CONSTITUTION: A first semiconductor chip(210a) comprises a semiconductor substrate. A first through via(221) penetrates the semiconductor substrate. A second semiconductor chip(210b) is laminated on one side of the first semiconductor chip. A shielding film(250) covers a part of the first or second semiconductor chip. The shielding film is electrically connected to the first through via.

Abstract translation: 目的：提供一种包括屏蔽膜的半导体器件及其制造方法，以通过阻挡从半导体器件发射的干扰信号来提高电子器件的接收灵敏度。 构成：第一半导体芯片（210a）包括半导体衬底。 第一通孔（221）穿透半导体衬底。 在第一半导体芯片的一侧层叠第二半导体芯片（210b）。 屏蔽膜（250）覆盖第一或第二半导体芯片的一部分。 屏蔽膜电连接到第一通孔。

公开(公告)号：KR1020110102681A

公开(公告)日：2011-09-19

申请号：KR1020100021829

申请日：2010-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최준회 ,  한정수 ,  표상연 ,  정진하 ,  하지훈 ,  노태균

IPC: D06F33/02 ,  D06F37/02

CPC classification number: D06F39/003

Abstract: 회전조의 이동변위에 따라 세탁물의 무게를 검출할 수 있는 세탁기 및 그 제어방법을 개시한다. 세탁기는 세탁물의 무게에 상응하여 이동변위가 발생하는 회전조와, 회전조의 이동변위를 검출하는 적어도 하나 이상의 센서모듈과, 이동변위에 따라 세탁물의 무게를 산출하는 제어부를 포함하므로, 세탁물이 직접 수용되는 회전조의 이동변위에 따라 세탁물의 무게를 감지할 수 있다.